芯片版图的检测方法、装置、设备、存储介质及程序产品与流程

专利2025-06-07  29


本申请属于半导体检测,尤其涉及一种芯片版图的检测方法、装置、设备、存储介质及程序产品。


背景技术:

1、在芯片制造过程中,光刻胶上的图形尺寸与刻蚀后的衬底上图形尺寸通常存在偏差,被称为刻蚀偏差。为了保证刻蚀后衬底上的图形与设计版图一致,通常需要对刻蚀图形进行刻蚀补偿。为了保证刻蚀补偿的效果,则需要对刻蚀补偿是否到位进行检测。

2、现有方法中,通常根据刻蚀补偿过程中的掩膜可制造性规则(mask rule check,mrc)依次对补偿后的版图进行计算,从而识别出是否存在未达到mrc规则就提前停止补偿的补偿不到位的情形。

3、然而,由于设计版图的复杂性,在进行刻蚀补偿是否到位的检测时计算量庞大,从而导致刻蚀补偿是否到位的检测效率较低。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种芯片版图的检测方法、装置、设备、存储介质及程序产品,能够提高刻蚀补偿是否到位的检测效率。

2、本申请实施例的一方面,提供一种芯片版图的检测方法,包括:

3、获取初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图,第一补偿版图为对初始设计版图在未考虑掩膜可制造性规则的情况下进行刻蚀补偿修正的版图,第二补偿版图为对初始设计版图在考虑了掩膜可制造性规则的情况下进行刻蚀补偿修正的版图;

4、根据初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第二补偿版图是否满足刻蚀补偿目标;

5、在第二补偿版图不满足刻蚀补偿目标的情况下,根据第二补偿版图的图形边缘的尺寸信息,确定图形边缘中刻蚀补偿不到位的补偿不到位边缘;

6、根据第一补偿版图与第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第一补偿版图与第二补偿版图的第一未重叠区域;

7、将补偿不到位边缘所在的第一未重叠区域确定为第二补偿版图的补偿不到位区域。

8、本申请实施例的一方面,提供一种芯片版图的检测装置,包括:

9、版图获取模块,用于获取初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图,第一补偿版图为对初始设计版图在未考虑掩膜可制造性规则的情况下进行刻蚀补偿修正的版图,第二补偿版图为对初始设计版图在考虑了掩膜可制造性规则的情况下进行刻蚀补偿修正的版图;

10、版图判断模块,用于根据初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第二补偿版图是否满足刻蚀补偿目标;

11、边缘确定模块,用于在第二补偿版图不满足刻蚀补偿目标的情况下,根据第二补偿版图的图形边缘的尺寸信息,确定图形边缘中刻蚀补偿不到位的补偿不到位边缘;

12、版图比较模块,用于根据第一补偿版图与第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第一补偿版图与第二补偿版图的第一未重叠区域;

13、区域确定模块,用于将补偿不到位边缘所在的第一未重叠区域确定为第二补偿版图的补偿不到位区域。

14、本申请实施例的一方面,提供一种电子设备,该设备包括:存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序或指令,程序或指令被处理器执行时实现如上述本申请实施例的任意一方面提供的芯片版图的检测方法。

15、本申请实施例的一方面,提供一种可读存储介质,可读存储介质上存储程序或指令,程序或指令被处理器执行时实现如上述本申请实施例的任意一方面提供的芯片版图的检测方法。

16、本申请实施例的一方面,提供一种计算机程序产品,计算机程序产品中的指令由电子设备的处理器执行时,使得电子设备执行如上述本申请实施例的任意一方面提供的芯片版图的检测方法。

17、本申请实施例提供的芯片版图的检测方法中,根据初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第二补偿版图是否满足刻蚀补偿目标。如此,根据初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图三者之间的联系,借助三者的位置关系以及图形几何关系即可判定第二补偿版图是否补偿到位,无需进行大量计算。且在判定补偿到位的情况下,则无需继续进行补偿不到位区域的确定流程,能够简化检测步骤,从而提高刻蚀补偿是否到位的检测效率。然后,在判定补偿不到位的情况下,只需对第二补偿版图中图形边缘的尺寸信息进行检测计算,得到图形边缘中刻蚀补偿不到位的补偿不到位边缘,即可根据补偿不到位边缘确定第二补偿版图的补偿不到位区域。如此,无需再利用各掩膜可制造性规则,分别对第二补偿版图的各个部分都进行检测计算,只需对图形边缘进行检测计算即可,能够极大减少检测时的计算量,从而提高刻蚀补偿是否到位的检测效率。综上所述,本申请实施例能够提高刻蚀补偿是否到位的检测效率。



技术特征:

1.一种芯片版图的检测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述初始设计版图、所述第一补偿版图以及所述第二补偿版图之间的图形几何关系,确定所述第二补偿版图是否满足刻蚀补偿目标,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第二未重叠区域的补偿方式为扩大图形尺寸的情况下,所述目标边缘为所述第二未重叠区域中距离目标位置最远的边缘,所述目标位置为所述初始设计版图与所述第一补偿版图的重叠区域中任意一点的位置;

4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述在所述第二补偿版图不满足刻蚀补偿目标的情况下,根据所述第二补偿版图的图形边缘的尺寸信息,确定所述图形边缘中刻蚀补偿不到位的补偿不到位边缘,包括:

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述第二补偿版图的图形边缘的尺寸与对应的目标掩膜可制造性规则的尺寸阈值进行比较,得到比较结果之前,所述方法还包括:

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述将所述第二补偿版图的图形边缘的尺寸与对应的目标掩膜可制造性规则的尺寸阈值进行比较,得到比较结果之前,所述方法还包括:

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述比较结果,确定所述图形边缘是否刻蚀补偿到位,包括:

8.一种芯片版图的检测装置,其特征在于,包括:

9.一种电子设备,其特征在于,所述设备包括:处理器以及存储有计算机程序指令的存储器;

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令,所述计算机程序指令被处理器执行时实现如权利要求1-7任意一项所述的芯片版图的检测方法。

11.一种计算机程序产品,其特征在于,所述计算机程序产品中的指令由电子设备的处理器执行时,使得所述电子设备执行如权利要求1-7任意一项所述的芯片版图的检测方法。


技术总结
本申请公开了一种芯片版图的检测方法、装置、设备、存储介质及程序产品,涉及半导体检测技术领域。该芯片版图的检测方法包括:获取初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图;根据初始设计版图、第一补偿版图以及第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第二补偿版图是否满足刻蚀补偿目标;在第二补偿版图不满足刻蚀补偿目标的情况下,根据第二补偿版图的图形边缘的尺寸信息,确定图形边缘中刻蚀补偿不到位的补偿不到位边缘;根据第一补偿版图与第二补偿版图之间的图形几何关系,确定第一补偿版图与第二补偿版图的第一未重叠区域;将补偿不到位边缘所在的第一未重叠区域确定为第二补偿版图的补偿不到位区域。

技术研发人员:李登瑚
受保护的技术使用者:深圳晶源信息技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/17
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