本发明属于温度补偿型声表面波滤波器领域，具体涉及一种新型的温度补偿型tc-saw工艺。
背景技术：
1、温度补偿型声表面波滤波器(简称：tc-saw)通过在其idt上覆着温度补偿层，对常规saw滤波器进行技术改进，使得器件的频率温度系数(tcf)降至0到-25ppm/℃，较常规saw的温度特性(通常约为-45～-60ppm/℃)有了显著提升。
2、传统技术采用溅射工艺在ln衬底上直接溅射sio2温度补偿层，溅射功率较大，形成的sio2膜层形貌和膜层致密性相对较差，且溅射过程易形成sio2粉尘，对器件性能产生影响。此外，传统溅射工艺形成的sio2温度补偿层，ln衬底上的sio2和idt上的sio2膜厚差异大，进而影响器件性能，后续需要长时间的cmp将sio2膜厚差研磨至1nm以内。
技术实现思路
1、本发明针对现有sio2温度补偿层制备过程中膜层形貌和膜层致密性相对较差，以及衬底和idt上膜厚差异大的问题，提出一种新型的温度补偿型tc-saw工艺。本发明在热氧硅片的sio2膜一侧开槽呈现idt图形对应形状；采用键合工艺对ln衬底和开槽后的热氧硅片进行键合；对硅衬底和sio2进行减薄和化学机械抛平，从而形成sio2温度补偿层。sio2温度补偿层平坦度高，简化了生产流程，节约了生产成本。
2、为了实现上述目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种新型的温度补偿型tc-saw工艺，按照以下步骤进行：
3、步骤1)清洗衬底，为后续光刻做准备；
4、步骤2)叉指电极制备：在衬底光刻胶涂布、曝光、显影，使光刻胶形状呈现对应指条形状，在衬底上蒸镀金属，采用lift off工艺，剥离光刻胶及光刻胶上沉积的金属，形成idt图形对应的叉指电极；
5、步骤3)准备热氧硅片，热氧硅片的sio2层的厚度为0.5～2μm；
6、步骤4)对热氧硅片的sio2一侧进行开槽，形成与叉指电极图形对应的凹槽；
7、步骤5)翻转热氧硅片，使sio2一侧与衬底相对，采用键合工艺对衬底和热氧硅片进行键合；
8、步骤6)对热氧硅片进行减薄操作，将si衬底完全去除并去除部分sio2；
9、步骤7)对减薄后的sio2膜层进行cmp抛光；
10、步骤8)光刻胶涂布、曝光、显影，使光刻胶形状呈现对应形状，刻蚀对应区域的sio2；
11、步骤9)在sio2膜层上蒸镀met金属，然后再在met金属上沉积第二介质层；
12、步骤10)对钝化层进行开孔刻蚀，刻蚀掉pad图形区域的膜层。
13、进一步的，所述衬底采用锂铌酸锂ln衬底。
14、进一步的，所述键合工艺采用粘合剂键合、或采用共晶键合，或采用热压键合。
15、进一步的，所述减薄后的sio2膜层的厚度为1.2～1.4μm。
16、与现有技术相比，本发明的有益效果为：
17、1、本发明有别于传统tc-saw工艺，通过键合工艺将热氧化硅片与ln衬底键合，相较于在ln衬底上直接溅射sio2，热氧化硅片的sio2膜层缺陷少，致密性高，温度补偿效果更好，tcf系数更高。同时可以避免溅射sio2过程中出现sio2粉尘，影响器件性能。
18、2、本发明采用键合方式将开槽后的热氧硅片和镀有idt的ln衬底键合，sio2膜平坦度高，简化了温度补偿型声表面波滤波器的生产流程，节约了生产成本。
19、3、本发明采用热氧硅片与衬底键合而没有采用sio2晶片与衬底直接键合。由于sio2晶片难以制备，且市场sio2片的温度补偿系数无法达到tc-saw的使用要求；本工艺所需sio2厚度较薄，热氧硅片就可以满足需求。
1.一种新型的温度补偿型tc-saw工艺，其特征在于：按照以下步骤进行：
2.根据权利要求1所述的一种新型的温度补偿型tc-saw工艺，其特征在于：所述衬底采用锂铌酸锂衬底。
3.根据权利要求1所述的一种新型的温度补偿型tc-saw工艺，其特征在于：所述键合工艺采用粘合剂键合、或采用共晶键合，或采用热压键合。
4.根据权利要求1所述的一种新型的温度补偿型tc-saw工艺，其特征在于：所述减薄后的sio2膜层的厚度为1.2～1.4μm。
