实施方式涉及一种半导体存储装置。
背景技术：
1、已知有存储单元呈三维状排列的nand(not and，与非)型闪存。
技术实现思路
1、实施方式提供一种抑制了周边电路元件的不良的半导体存储装置。
2、实施方式的半导体存储装置包括：半导体衬底；控制电路，配置在所述半导体衬底上；存储单元阵列，配置在所述控制电路的上方，且具有呈三维配置的多个存储单元，由所述控制电路所控制；第1氮化物层，配置在所述控制电路与所述存储单元阵列之间；以及第2氮化物层，配置在所述控制电路与所述第1氮化物层之间。
1.一种半导体存储装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
8.一种半导体存储装置，具备：
9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中
10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中
11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中
12.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中
13.一种半导体存储装置，具备：
14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中
15.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中
16.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中
17.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中
18.一种半导体存储装置，具备：
19.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中
20.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中
21.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中
22.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中
23.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中
24.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中
25.一种半导体存储装置，具备：
26.根据权利要求25所述的半导体存储装置，其中
27.根据权利要求25所述的半导体存储装置，其中
28.根据权利要求25所述的半导体存储装置，其中
29.根据权利要求25所述的半导体存储装置，其中
30.一种半导体存储装置，具备：
31.根据权利要求30所述的半导体存储装置，其中
32.根据权利要求30所述的半导体存储装置，其中
33.根据权利要求30所述的半导体存储装置，其中
34.根据权利要求30所述的半导体存储装置，其中
