本公开总体上涉及基于半导体材料制造微电子部件的方法。更具体地，其旨在一种将半导体层从源基体转移到目标基体的方法。
背景技术：
1、在微电子部件制造方法中，层转移目前用于将高晶体质量的相对薄的半导体层转移到较低晶体质量或由较便宜的材料制成的较厚目标基体上。
2、在转移之后，被转移层可以用作外延步骤的基底。然后可以在外延层内部和其顶部上形成微电子部件。
3、期望至少部分地克服用于将半导体层从源基体转移到目标基体的已知方法的某些缺点。
4、这里更特别地考虑了转移层的边缘质量的提高。
技术实现思路
1、一个实施例提供了一种将层从源基体转移到目标基体的方法，该方法包括以下步骤：
2、a)通过所述层的键合表面和目标基体的键合表面的离子蚀刻或通过将键合材料溅射到所述表面上，使所述层的键合表面和目标基体的键合表面活化；和
3、b)在步骤a)之后，将所述层的键合表面放置成与目标基体的键合表面接触，
4、其中，在步骤a)期间，掩蔽环覆盖所述层的键合表面的外围部分，和/或掩蔽环覆盖目标基体的键合表面的外围部分；并且
5、其中，步骤a)和b)在真空下进行，并且在两个步骤之间不破坏真空。
6、根据一个实施例，目标基体和/或源基体键具有跨越第一宽度的锥形边缘。
7、根据一个实施例，掩蔽环的宽度大于或等于第一宽度。
8、根据一个实施例，该方法包括在步骤b)之后移除源基体的步骤c)。
9、根据一个实施例，步骤c)包括退火步骤，该退火步骤导致在步骤b)结束时获得的组件在将所述层与源基体分开的植入掩埋层的平面中断裂。
10、根据一个实施例，所述层是半导体层。
11、根据一个实施例，该方法包括在步骤b)之后在所述层的与目标基体相对的表面的顶部上外延并与之接触外延的步骤。
12、根据一个实施例，该方法包括在步骤a)之前在所述层的外围和/或目标基体的外围形成台阶的步骤。
13、根据一个实施例，所述台阶通过离子蚀刻形成，同时借助于掩蔽盘保护键合表面的中心部分。
14、根据一个实施例，用于形成所述台阶的离子蚀刻在与步骤a)中用于使键合表面活化的设备相同的设备中实施。
15、根据一个实施例，该方法包括至少10分钟的等待时段和/或在形成所述台阶和使键合表面活化之间施加反应气体的周期。
1.一种将层(15)从源基体(13)转移到目标基体(17)的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述目标基体(17)和/或所述源基体(13)具有跨越第一宽度的锥形边缘。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掩蔽环的宽度大于或等于所述第一宽度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在步骤b)之后移除源基体(13)的步骤c)。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，步骤c)包括退火步骤，所述退火步骤导致在步骤b)中获得的组件在将所述层(15)与所述源基体(13)分开的植入掩埋层的平面中断裂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述层(15)是半导体层。
7.根据从属于权利要求4的权利要求6所述的方法，包括在步骤c)之后在所述层(15)的与所述目标基体(17)相对的表面的顶部上并与之接触地外延的步骤。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，包括在步骤a)之前在所述层(15)的外围和/或所述目标基体(17)的外围形成台阶(29，30)的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述台阶(29，30)是通过离子蚀刻形成的，通过借助于掩蔽盘保护所述键合表面的中心部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，用于形成所述台阶(29，30)的离子蚀刻在与步骤a)中使用的使所述键合表面活化的设备相同的设备中实施。
11.根据权利要求10所述的方法，包括至少10分钟的等待时段和/或在形成所述台阶(29，30)和使所述键合表面活化之间施加反应气体的周期。
