本发明适用于气体放电管，提供了一种低残压高压放电管及其生产制造工艺。
背景技术：
1、放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件，若其两端的电压高过其保护规格值时，其内部会出现短路现象，并吸收掉输入的过高压，目前市面上的普通放电管在电源emc浪涌试验中，残压一般比直流击穿电压高1000v-1500v,产品反应慢，导致防护能力较弱，容易造成电源主板死机、复位等问题，有必要设计一种新型低残压高压放电管，有效降低emc浪涌试验时的残压，提高反应速度，有效保护后级电路的核心芯片。
技术实现思路
1、为此，本发明提供一种低残压高压放电管及其生产制造工艺，通过对环形电极放电端的电子粉涂覆物配方改进，以及对放电室内工艺气体配方的改进，达到了降低残压的作用，使得残压与直流电压接近。
2、为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种低残压高压放电管，包括：
3、金属化陶瓷管，所述金属化陶瓷管内侧壁固定设置有至少一个导电碳线；
4、两个环形电极，分别固定设置在金属化陶瓷管的两端管口处，所述两个环形电极与金属化陶瓷管组成了密闭的放电室，所述放电室充入有工艺气体，所述环形电极包括凸起部，所述凸起部设置在放电室内，所述凸起部固定设置有电子粉涂覆物。
5、进一步的，所述工艺气体至少由以下体积份数的气体混合而成：氩气1～3份、氮气5～6份、氢气0.5～1.5份、氦气0.5份。
6、进一步的，所述电子粉涂覆物至少由以下重量份数的金属盐粉末或金属粉末混合制得：溴化钠20～30份、硅酸钠5～10份、二氧化钛2～8份、硅酸钾6～8份、氧化锆1～6份、碳酸铯1～3份、钨酸铯1～3份、硅酸铯1～3份、氯化钾1～3份、镍粉2份、铝粉2份。
7、进一步的，所述导电碳线数量为四个，前述四个导电碳线间隔90°呈环形阵列布置在金属化陶瓷管内侧壁上。
8、进一步的，所述凸起部的端面中间位置设置有网格槽，所述电子粉涂覆物设置在网格槽内。
9、同时还提供了一种低残压高压放电管的生产制造工艺，包括如下步骤：
10、s1.通过涂覆工装将所述电子涂覆物涂抹在所述两个环形电极凸起部的网格槽内，然后将两个环形电极放入烘箱烘烤进行电子涂覆物的固化；
11、s2.在金属化陶瓷管内侧壁上设置数个导电碳线，然后将s1步骤中制得的两个环形电极分别安装到金属化陶瓷管的两端；
12、s3.将s2步骤中装配到一起的金属化陶瓷管以及两个环形电极放入真空封装设备进行封装，在封装过程中，首先将放电室内的空气抽出，然后向放电室内注入所述工艺气体，最后将金属化陶瓷管与两个环形电极的连接位置密封连接。
13、进一步的，所述s3步骤中，封装温度为820℃～850℃。
14、进一步的，所述s3步骤中，金属化陶瓷管与两个环形电极的连接位置通过焊接方式密封连接。
15、与现有技术相比，本发明的有益效果是：
16、1、本发明中采用环形电极，在增加通流能力的同时，改变脉冲放电间隙，起降低残压的作用，同时通过优化环形电极放电端的电子粉涂覆物配方以及放电室内工艺气体的配方，有效降低残压；
17、2、通过在金属化陶瓷管的内侧壁增加导电碳线的方式有效降低脉冲击穿电压，而同时设置四条导电碳线的缘故，则是防止单个导电碳线失效时，剩余的导电碳线仍然能继续工作，保证降低脉冲击穿电压的效果。
1.一种低残压高压放电管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种低残压高压放电管，其特征在于：所述工艺气体至少由以下体积份数的气体混合而成：氩气1～3份、氮气5～6份、氢气0.5～1.5份、氦气0.5份。
3.根据权利要求2所述的一种低残压高压放电管，其特征在于：所述电子粉涂覆物(3)至少由以下重量份数的金属盐粉末或金属粉末混合制得：溴化钠20～30份、硅酸钠5～10份、二氧化钛2～8份、硅酸钾6～8份、氧化锆1～6份、碳酸铯1～3份、钨酸铯1～3份、硅酸铯1～3份、氯化钾1～3份、镍粉2份、铝粉2份。
4.根据权利要求1所述的一种低残压高压放电管，其特征在于：所述导电碳线(4)数量为四个，前述四个导电碳线(4)间隔90°呈环形阵列布置在金属化陶瓷管(1)内侧壁上。
5.根据权利要求1所述的一种低残压高压放电管，其特征在于：所述凸起部(21)的端面中间位置设置有网格槽，所述电子粉涂覆物(3)设置在网格槽内。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种低残压高压放电管的生产制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的一种低残压高压放电管的生产制造工艺，其特征在于：所述s3步骤中，封装温度为820℃～850℃。
8.根据权利要求6所述的一种低残压高压放电管的生产制造工艺，其特征在于：所述s3步骤中，金属化陶瓷管(1)与两个环形电极(2)的连接位置通过焊接方式密封连接。
