本发明涉及半导体，特别涉及一种nord闪存存储器、版图及其写入方法、读取方法。
背景技术：
1、nord闪存存储器版图(flash)在对某个位单元(bit)进行写(program)或读(read)操作时，对其他位单元(bit)会产生串扰，严重的话会导致其他bit中的数据发生变化，引起失效。
2、图1是现有技术中的nord闪存存储器版图结构示意图。如图1所示，nord闪存存储器版图包括互相垂直的多条字线和多条位线，例如是字线wl0、字线wl1、字线wl2和字线wl3，位线bl0、位线bl1、位线bl2、位线bl3、位线bl4和位线bl5。每条字线wl两侧分别设置有两条控制栅，例如是，字线wl0两侧分别设置有控制栅cg0和控制栅cg1，控制栅cg0和控制栅cg1下方分别形成有浮栅，控制栅cg0用于存储一个数据单元，控制栅cg1也用于存储一个数据单元。字线wl1两侧分别设置有控制栅cg2和控制栅cg3，而控制栅cg2和控制栅cg3下方分别形成有浮栅，控制栅cg2用于存储一个数据单元，控制栅cg3也用于存储一个数据单元。在位线延伸方向上，为了接出控制栅cg0和控制栅cg1，需要分开设置接触插塞，也即控制栅cg0和控制栅cg1在位线延伸方向上是错开的，以及在两个接触插塞之间设置有间隔区域，因此，每两条位线位于同一有源区，有源区的宽度为两个位线的宽度和间隔区域宽度之后，有源区的宽度相当于三倍的接触插塞的宽度。由于nord闪存存储器版图中同一行位单元(bit)的字线wl和控制栅cg电压共享，同一列位单元的位线bl电压共享。对某个位单元进行操作时，不可避免的会影响到同行或者同列的其他位单元，如何降低位单元之间的干扰，是目前的一个难点。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种nord闪存存储器、版图及其写入方法、读取方法，以解决对某个位单元进行操作时，不可避免的会干扰到同行或者同列的其他位单元的问题。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种nord闪存存储器版图，包括多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线，所述第一方向和所述第二方向垂直，相邻的所述字线之间设置有一条共用的源线，每条所述字线两侧设置有平行的第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅和第二控制栅下方均设置有位单元，靠近所述源线的两条控制栅下方的位单元用于存储数据，远离所述源线的两条控制栅下方的位单元被屏蔽。
3、基于同一发明构思，本发明还提供一种nord闪存存储器，采用上述所述的nord闪存存储器版图制作而成，包括多条沿第一方向延伸的字线和沿第二方向延伸的位线，相邻的所述字线之间设置有一条共用的源线，每条所述字线两侧设置有平行的第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅和第二控制栅下方均设置有位单元，靠近所述源线的两条控制栅下方的位单元用于存储数据单元，远离所述源线的两条控制栅下方的位单元被屏蔽。
4、可选的，远离所述源线的两条控制栅为常开状态，以屏蔽远离所述源线的两条控制栅下方的位单元。
5、可选的，所述第一方向为行，所述第二方向为列。
6、可选的，同一列位单元的所述位线电压共享，共用源线的位单元的所述字线和所述控制栅电压共享。
7、可选的，所述nord闪存存储器版图结构的加压方式为在所述位线和所述源线之间施加电压，同时在所述字线和所述控制栅上施加电压。
8、基于同一发明构思，本发明还提供一种nord闪存存储器的读取方法，采用上述任一项所述的nord闪存存储器，包括：
9、对靠近源线两侧的控制栅中的任一个控制栅进行施加电压以读取数据，并屏蔽远离所述源线两侧的控制栅下方的位单元。
10、基于同一发明构思，本发明还提供一种nord闪存存储器的写入方法，采用上述任一项所述的nord闪存存储器，包括：
11、对靠近源线两侧的控制栅中的其中一个控制栅进行施加电压以写入数据，则靠近源线两侧的控制栅中的另一个所述控制栅下方的位单元受到干扰的时间为秒量级。
12、可选的，对靠近源线两侧的控制栅中的一个控制栅进行施加电压以写入数据，则位于同一控制栅上且位于相邻所述位线上的位受到的干扰的时间为毫秒量级。
13、可选的，对靠近源线两侧的控制栅中的一个控制栅进行施加电压以写入数据，则位于同一位线且位于非共同一源线上的位单元不受干扰。
14、在本发明提供的nord闪存存储器版图中，nord闪存存储器版图包括多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线，所述第一方向和所述第二方向垂直，相邻的所述字线之间设置有一条共用的源线，每条所述字线两侧设置有平行的第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅和第二控制栅下方均设置有位单元，靠近所述源线的两条控制栅下方的位单元用于存储数据，远离所述源线的两条控制栅下方的位单元被屏蔽，不用于存储数据。本发明通过只使用共用字线的两个位单元中的一个，虽然只利用一半的位单元，但在源线和位线之间施加电压能够使有源区面积可以减少一半，因此，器件面积基本不变；由于改变了nord闪存存储器的写入、擦除和读取数据的加压方式以及只使用共用字线的两个位单元中的一个，改善了nord闪存存储器的写入干扰和读取干扰，使nord闪存存储器的可靠性大大提升。
1.一种nord闪存存储器版图，其特征在于，包括多条沿第一方向延伸的字线和多条沿第二方向延伸的位线，所述第一方向和所述第二方向垂直，相邻的所述字线之间设置有一条共用的源线，每条所述字线两侧设置有平行的第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅和第二控制栅下方均设置有位单元，靠近所述源线的两条控制栅下方的位单元用于存储数据，远离所述源线的两条控制栅下方的位单元被屏蔽。
2.一种nord闪存存储器，其特征在于，采用权利要求1所述的nord闪存存储器版图制作而成，包括多条沿第一方向延伸的字线和沿第二方向延伸的位线，相邻的所述字线之间设置有一条共用的源线，每条所述字线两侧设置有平行的第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅和第二控制栅下方均设置有位单元，靠近所述源线的两条控制栅下方的位单元用于存储数据单元，远离所述源线的两条控制栅下方的位单元被屏蔽。
3.根据权利要求2所述的nord闪存存储器，其特征在于，远离所述源线的两条控制栅为常开状态，以屏蔽远离所述源线的两条控制栅下方的位单元。
4.根据权利要求2所述的nord闪存存储器，其特征在于，所述第一方向为行，所述第二方向为列。
5.根据权利要求4所述的nord闪存存储器，其特征在于，同一列位单元的所述位线电压共享，共用源线的位单元的所述字线和所述控制栅电压共享。
6.根据权利要求2所述的nord闪存存储器，其特征在于，所述nord闪存存储器版图结构的加压方式为在所述位线和所述源线之间施加电压，同时在所述字线和所述控制栅上施加电压。
7.一种nord闪存存储器的读取方法，其特征在于，采用如权利要求2～6任一项所述的nord闪存存储器，包括：
8.一种nord闪存存储器的写入方法，其特征在于，采用如权利要求2～6任一项所述的nord闪存存储器，包括：
9.根据权利要求8所述的nord闪存存储器的写入方法，其特征在于，对靠近源线两侧的控制栅中的一个控制栅进行施加电压以写入数据，则位于同一控制栅上且位于相邻所述位线上的位受到的干扰的时间为毫秒量级。
10.根据权利要求8所述的nord闪存存储器的写入方法，其特征在于，对靠近源线两侧的控制栅中的一个控制栅进行施加电压以写入数据，则位于同一位线且位于非共同一源线上的位单元不受干扰。
