本实用新型涉及超高频射频电路技术领域，尤其涉及一种超高频单通道射频读写器模块。
背景技术：
射频识别（rfid）技术是一种无接触自动识别技术，用射频信号的空间传输与耦合特性实现了自动识别的技术，通过读写器电磁波向无源标签进行馈电，同时通过对载波进行调制实现读写器与标签的无线通信，从而实现读写器与标签的非接触式信息传递。其中超高频段rfid系统具有通信距离远，标签与读写器通信速度快，标签制作成本低等优点，适用于仓储物流管理，车辆人员管理等众多领域，是实现物联网工程应用的一个重要技术方法与手段。
现有常规的超高频读写器，读写器工作时会发射连续载波信号,无源标签收到后返回携带有标签信息的反射波，读写器接收标签返回信号的同时仍在继续发射连续载波。这个过程中，大量的载波信号会由于环形器或者定向耦合器的隔离度不够等原因而进入到读写器接收链路,导致灵敏度低。
以上不足，有待改进。
技术实现要素：
为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种超高频单通道射频读写器模块。
本实用新型技术方案如下所述：
一种超高频单通道射频读写器模块，包括读写器芯片、耦合器、接收巴伦、载波抵消巴伦、功率检测芯片以及功放芯片，所述读写器芯片通过所述接收巴伦连接所述耦合器的第一端，所述读写器芯片通过所述载波抵消巴伦以及所述功率检测芯片连接所述耦合器的第二端，所述读写器芯片通过所述功放芯片连接所述耦合器的第三端，所述耦合器的第四端通过天线射频线连接天线。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述读写器芯片位于pcb板的中上部，所述接收巴伦位于所述读写器的左侧，所述载波抵消巴伦位于所述读写器的左侧且位于所述接收巴伦的下方，所述耦合器位于所述载波抵消巴伦的左侧且位于所述pcb板的左侧，所述功率检测芯片位于所述耦合器的右下方，所述功放芯片位于所述耦合器的下方且位于所述功率检测芯片的下方。
进一步的，所述读写器通过功放射频线连接所述功放芯片，所述功放射频线的拐角为弧形走线。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述pcb板上还设有微处理器，所述微处理器位于所述pcb板的右侧。
进一步的，所述微处理器与所述读写器芯片连接。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述pcb板上还设有电源模块，所述电源模块位于所述pcb板上的左下方。
进一步的，所述电源模块为射频读写器模块供电。
根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述读写器芯片为r2000超高频读写器芯片。
根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于，读写器芯片输出的射频信号经过功放芯片将信号放大，连接到耦合器，并通过天线把射频信号传输出去。耦合器耦合出来一个射频信号，通过接收巴伦以及载波抵消巴伦，同时连接一个功率检测芯片，抵消了泄漏到读写器中的载波泄漏信号，完成载波抵消，从而消除了载波泄露导致的信号干扰，提升了读写器的灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的结构框图。
图2为本实用新型的pcb布局结构示意图。
图3为图2的放大图。
在图中各附图标记：
1、读写器芯片，2、耦合器，3、接收巴伦，4、载波抵消巴伦，5、功率检测芯片，6、功放芯片，7、电源模块，8、天线，9、微处理器，10、天线射频线，11、功放射频线。
具体实施方式
下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述：
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
如图1所示，一种超高频单通道射频读写器模块，包括读写器芯片1、耦合器2、接收巴伦3、载波抵消巴伦4、功率检测芯片5以及功放芯片6，读写器芯片1通过接收巴伦3连接耦合器2的第一端，读写器芯片1通过载波抵消巴伦4以及功率检测芯片5连接耦合器2的第二端，读写器芯片1通过功放芯片6连接耦合器2的第三端，耦合器2的第四端通过天线射频线10连接天线8。
在本实用新型中，耦合器2的第一端与接收巴伦3连接，用于将单端射频信号转换为差分信号，抵抗共模干扰；耦合器2的第二端分别与载波抵消巴伦4以及功率检测芯片5连接，起到载波抵消的作用；耦合器2的第三端与功放芯片6连接，耦合器2的第四端与天线8连接，用于发射信号和接收信号，微处理器9与读写器芯片1连接。
在本实用新型中，微处理器9与读写器芯片1连接，电源模块7为射频读写器模块供电。
读写器芯片1输出的射频信号经过功放芯片6将信号放大，连接到耦合器2，并通过天线8把射频信号传输出去。耦合器2耦合出来一个射频信号，通过接收巴伦3以及载波抵消巴伦4，同时连接一个功率检测芯片5，抵消了泄漏到读写器中的载波泄漏信号，完成载波抵消，从而消除了载波泄露导致的信号干扰，提升了读写器的灵敏度。
如图2-图3所示，读写器芯片1位于pcb板的中上部，接收巴伦3位于读写器的左侧，载波抵消巴伦4位于读写器的左侧且位于接收巴伦3的下方，耦合器2位于载波抵消巴伦4的左侧且位于pcb板的左侧，功率检测芯片5位于耦合器2的右下方，功放芯片6位于耦合器2的下方且位于功率检测芯片5的下方，微处理器9位于pcb板的右侧，电源模块7位于pcb板上的左下方。
在本实用新型中，读写器通过功放射频线11连接功放芯片6，功放射频线11的拐角为弧形走线。功放射频线11及天线射频线10的拐角处均为弧形走线，保证信号传输快速。读写器芯片1、接收巴伦3、载波抵消巴伦4以及耦合器2之间位于pcb板上的布局较紧凑，连接的走线的距离较短，信号干扰较小，进一步增强信号的收发性能。
在本实用新型中，读写器芯片1为r2000超高频读写器芯片1。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述，显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。
1.一种超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，包括读写器芯片、耦合器、接收巴伦、载波抵消巴伦、功率检测芯片以及功放芯片，所述读写器芯片通过所述接收巴伦连接所述耦合器的第一端，所述读写器芯片通过所述载波抵消巴伦以及所述功率检测芯片连接所述耦合器的第二端，所述读写器芯片通过所述功放芯片连接所述耦合器的第三端，所述耦合器的第四端通过天线射频线连接天线。
2.根据权利要求1所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述读写器芯片位于pcb板的中上部，所述接收巴伦位于所述读写器的左侧，所述载波抵消巴伦位于所述读写器的左侧且位于所述接收巴伦的下方，所述耦合器位于所述载波抵消巴伦的左侧且位于所述pcb板的左侧，所述功率检测芯片位于所述耦合器的右下方，所述功放芯片位于所述耦合器的下方且位于所述功率检测芯片的下方。
3.根据权利要求2所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述读写器通过功放射频线连接所述功放芯片，所述功放射频线的拐角为弧形走线。
4.根据权利要求2所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述pcb板上还设有微处理器，所述微处理器位于所述pcb板的右侧。
5.根据权利要求4所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述微处理器与所述读写器芯片连接。
6.根据权利要求2所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述pcb板上还设有电源模块，所述电源模块位于所述pcb板上的左下方。
7.根据权利要求6所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述电源模块为射频读写器模块供电。
8.根据权利要求1所述的超高频单通道射频读写器模块，其特征在于，所述读写器芯片为r2000超高频读写器芯片。
技术总结