本实用新型属于半导体制备技术领域，特别是涉及一种薄膜沉积系统。
背景技术：
对于3d存储技术，碳材料是硬掩膜的一种重要的候选材料，然而，碳材料一直存在蚀刻选择比不足的问题。在现有技术中，为了改善碳膜的蚀刻选择比不足的问题，主要采用下面两种方案，一种是增加碳质硬掩膜的厚度，另一种是通过调整工艺参数来优化工艺条件，例如可通过调整碳膜的沉积温度来改善碳膜的蚀刻选择比。
然而，通过增加碳膜的厚度来改善其蚀刻选择比不足的问题是一种折衷过程(tradeoffprocess)，这是因为碳膜的厚度增加容易引起倾斜和弯曲问题；而通过增加碳膜的沉积温度或者优化工艺条件可能会引起光覆盖限制(photooverlaylimitation)和光电弧缺陷问题(arcingdefectissue)。
技术实现要素：
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种薄膜沉积系统，用于提高沉积碳膜的质量。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种薄膜沉积系统，所述薄膜沉积系统包括：
用于向基板上沉积碳膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括沉积腔室，以及用于承载所述基板的支撑底座；
用于对沉积于所述基板上的碳膜进行紫外处理的紫外照射装置，所述紫外照射装置设置于所述沉积腔室内，所述紫外照射装置的照射区域覆盖所述碳膜。
在一可选实施例中，所述薄膜沉积装置还包括气体分配组件与气体调节面板，所述气体分配组件设置于所述沉积腔室的顶部，所述气体分配组件与气体调节面板连接。
在一可选实施例中，所述紫外照射装置具有环状结构。
在一可选实施例中，所述紫外照射装置设置于所述沉积腔室的顶部，且环绕所述气体分配组件设置。
在一可选实施例中，所述薄膜沉积系统还包括可将所述紫外照射装置转动至所述支撑底座上方，以对沉积于所述基板上的碳膜进行紫外处理的转动组件，所述紫外照射装置通过所述转动组件安装于所述沉积腔室内。
在一可选实施例中，所述紫外照射装置包括盘状结构或长条形结构。
在一可选实施例中，所述薄膜沉积装置包括等离子体增强化学的气相沉积设备。
在一可选实施例中，所述紫外照射装置包括灯座板，以及按照预设方式间隔设置于所述灯座板上的若干紫外发光单元。
在一可选实施例中，所述薄膜沉积系统还包括紫外灯控制器，所述紫外灯控制器与所述紫外照射装置的各所述紫外发光单元连接。
在一可选实施例中，所述紫外灯控制器独立控制所述紫外照射装置的每个所述紫外发光单元。
本实用新型的薄膜沉积系统，通过在薄膜沉积装置(例如等离子体增强化学的气相沉积设备)的沉积腔室中引入紫外照射装置，可以在碳膜的沉积过程中或者沉积完成后来对碳膜进行紫外照射处理，在这个过程中，碳膜能够释放出更多的h2(将碳膜转换成纯碳结构)，在保持碳膜的透明性的情况下提高碳膜蚀刻选择比；
利用本实用新型的薄膜沉积系统进行碳膜沉积时，工艺过程简单，能够比较容易的获取具有良好透明性和高蚀刻选择性的碳膜，并且不会出现碳膜与基板的覆盖问题；
本实用新型的薄膜沉积系统，可以更容易控制碳膜的质量均匀性以获取更好的临界尺寸一致性(criticaldimensionuniformity，简称cdu)。
当然，实施本实用新型的任一产品并不一定会同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
图1显示为本实用新型的实施例一的薄膜沉积系统的结构示意图。
图2显示为本实用新型的利用紫外光照射增强碳膜质量原理图。
图3显示为本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元全部点亮时的仰视示意图。
图4显示为本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元全部关闭时的仰视示意图。
图5显示为本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元部分点亮的一种仰视示意图。
图6显示为本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元部分点亮的另一种仰视示意图。
图7显示为本实用新型的实施例二的薄膜沉积系统的结构示意图。
图8显示为本实用新型的实施例三的薄膜沉积系统的紫外照射装置结构示意图。
元件标号：
100薄膜沉积系统
110沉积腔室
111沉积腔
112顶部
113底部
120射频电源组件
130气体调节面板
140支撑底座
150气体分配组件
151喷嘴
160抽真空装置
170支撑杆
200基板
300碳膜
400紫外照射装置
401灯座板
402紫外发光单元
500转动组件
600紫外灯控制器
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。如在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。需要说明的，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，组件布局形态也可能更为复杂。
碳材料是硬掩膜的一种重要的候选材料，碳材料一直存在蚀刻选择比不足的问题。本实用新型的实施例介绍一种薄膜沉积系统，通过在薄膜沉积装置(例如等离子体增强化学的气相沉积设备)的沉积腔室中引入紫外照射装置，可以在碳膜的沉积过程中或者沉积完成后来对碳膜进行紫外照射处理，在这个过程中，碳膜能够释放出更多的h2(将碳膜转换成纯碳结构)，在保持碳膜的透明性的情况下，提高碳膜的蚀刻选择比。其中，图1示出了本实用新型实施例一的薄膜沉积系统的结构示意图；图2示出了本实用新型的实施例中利用紫外光照射增强碳膜质量原理图；图3示出了本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元全部点亮时的仰视示意图；图4示出了本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元全部关闭时的仰视示意图；图5示出了本实用新型的实施例一的紫外照射装置中全部紫外发光单元部分点亮的一种仰视示意图；图6示出了本实用新型的实施例的紫外照射装置中全部紫外发光单元部分点亮的另一种仰视示意图；图7示出了本实用新型的实施例二的薄膜沉积系统的结构示意图；图8示出了本实施三的紫外照射装置的全部点亮时结构示意图。
以下将结合附图1-8来详细阐述本实用新型的薄膜沉积系统的技术方案。
实施例一
请参阅图1，在本实施例中，所述薄膜沉积系统100包括薄膜沉积装置以及紫外照射装置400。所述薄膜沉积装置例如可以是等离子体增强化学的气相沉积设备，所述薄膜沉积装置用于通过等离子体增强化学气相沉积方法在基板200上沉积碳膜300；所述紫外照射装置400设置于所述沉积腔室110内，所述紫外照射装置400用于对沉积于所述基板200上的碳膜300进行紫外处理的紫外照射装置400，所述紫外照射装置400的安装位置需要使所述紫外照射装置400的照射区域覆盖所述碳膜300，从而可以在碳膜300的沉积过程中或者碳膜300沉积完成后来对碳膜300进行照射，通过紫外光照射可以打开沉积碳膜300中的c-h键，从而时碳膜300能够释放出更多的h2，以将碳膜300转换成纯碳结构(其作用机理见附图2)。利用本实施例的薄膜沉积系统100可以在基板200上沉积出具有良好透明性和高蚀刻选择性的碳膜300，该碳膜300例如可以作为光刻工艺的硬掩膜。
请参阅图1，在本实施例中，所述薄膜沉积装置例如可以是等离子体增强化学气相沉积设备，所述碳膜300沉积装置包括沉积腔室110，支撑底座140，支撑杆170，气体调节面板130，气体分配组件150，抽真空装置160以及总控装置(未图示)，所述等离子体增强化学气相沉积设备可以用来进行碳膜300的沉积。
请参阅图1，在本实施例中，所述沉积腔室110例如可以包括顶部112，侧壁以及底部113，所述顶部112，侧壁及底部113限制出沉积腔111，所述沉积腔111用于容置上述支撑底座140，支撑杆170，气体分配组件150等组件。
请参阅图1，在本实施例中，所述支撑底座140通过支撑杆170安装于所述沉积腔室110的底部113，所述支撑底座140用于承载基板200，所述支撑底座140例如可以由铝、陶瓷和其他适合材料制成。作为示例，例如可利用位移机构控制支撑杆170上下运动，从而调整支撑底座140高度。作为示例，所述支撑杆170可在转动机构的驱动下旋转以带动所述支撑底座140以及设置于所述支撑底座140上的基板200同步旋转并控制转速，从而让基板200各个方向上沉积的碳膜300更均匀。作为示例，所述支撑底座140上还可以嵌入加热元件(未图示)，通过外部电源施加在所述加热元件上，该加热元件可加热支撑底座140，进而可用于控制放置在支撑底座140上表面上的基板200的温度。作为示例，所述支撑底座140上还可以嵌入温度传感器(譬如热电偶)，用以监控支撑底座140的温度，测量温度可发送给上述总控装置，以用来控制供给加热器元件的电源功率，从而使基板200维持在所需的温度。
需要说明的是，在本实施例中，所述基板200可以是包含一种或者多种材料层的半导体结构等，譬如晶圆。
请参阅图1，在本实施例中。所述气体分配组件150安装于所述沉积腔室110的顶部112中央位置，所述气体分配组件150与位于沉积腔室110外部的气体调节面板130连接，所述气体调节面板130与上述总控装置连接，可以在薄膜沉积过程中将所需源气体通过气体分配组件150供给给沉积腔111。所述气体分配组件150具有多个喷嘴151，该喷嘴151用于将用于沉积碳膜300的源气体(例如碳源)引入到沉积腔室110的沉积腔111中。所述喷嘴151可具有不同尺寸、数量、分布、形状、设计和直径，以针对不同工艺要求协助各种源气体流入。需要说明的是，所述总控装置例如可以由中央处理单元cpu，存储器以及相关电路组成，用于控制所述薄膜沉积系统100的运行程序，调节气体调节面板的气体流量等。
请查阅图1，在本实施例中，所述气体分配组件150和支撑底座140可形成内部沉积腔111中的一对分隔电极，其中一个接地，另一个与射频电源组件120连接。所述射频电源组件120用于向与其连接的电极提供偏压电位，以在在气体分配组件150与支撑底座140间产生等离子体。需要说明的是，虽然图1中示出了射频电源组件120与气体分配组件150(其可作为一个电极)连接的情形，但可以理解的是，在一些实施例中，所述射频电源组件120也可以是施加在支撑底座140(其可作为另一个电极)上，在另一些实施例中，所述射频电源组件120也可以分别施加在所述是施加在气体分配组件150与支撑底座140。
请查阅图1，在本实施例中，所述抽真空装置160耦接至所述沉积腔室110，所述抽真空装置160例如可通过节流阀和隔离阀与所述沉积腔111连通。该抽空装置可控制沉积腔111中的压力，同时还能够在沉积过程中将源气体和副产物排出沉积腔室110外。作为示例，所述抽真空装置160例如可以是真空泵组。
请参阅图1，在本实施例中，所述碳膜300例如可以是采用丙烯、乙炔、乙烯、甲烷、己烷、己烷、异戊二烯、丁二烯等碳源来通过等离子体增强化学气相沉积方法在所述基板200上沉积碳膜300等。在一可选实施例中，在进行碳膜300的沉积过程中，也可以在碳源中加入二硼烷(b2h6)、邻碳硼烷与三甲基硼氮炔等硼源来形成碰掺杂的碳膜300。
请参阅图1，在本实施例中，所述薄膜沉积系统100还包括可将所述紫外照射装置400转动至所述支撑底座140上方，以对沉积于所述基板200上的碳膜300进行紫外处理的转动组件500，所述紫外照射装置400通过所述转动组件500安装于所述沉积腔室110内，所述转动组件例如可以由电机和减速传动构成。在碳膜沉积过程中，可通过该转动组件500将紫外照射装置400旋转至沉积腔111的边缘位置，以便不会影响碳膜300的沉积，而当沉积完成或者沉积的中间停止时间段内通过该转动组件500将紫外照射装置400旋转至所述支撑底座140与所述气体分配组件150之间，用于对碳膜300进行照射，通过紫外光照射可以打开沉积碳膜300中的c-h键，从而时碳膜300能够释放出更多的h2，以将碳膜300转换成纯碳结构，也就是说，在本实施例中，紫外照射的时机可以选择在碳膜300沉积完成后，也可以是在碳膜300沉积和碳膜300紫外照射间隔来进行。
请参阅图3-6所示，在本实施例中，所述紫外照射装置400具有圆盘状结构(在其他实施例中，也可以是其他合适的形状，例如椭圆形或者实施例三中的长条形)，所述紫外照射装置400包括灯座板401，以及按照预设方式间隔设置于所述灯座板401上的若干紫外发光单元402(例如紫外led)。作为示例，在图3-6中，紫外发光单元402按照行间隔排列，同时同一行中各紫外发光单元402也间隔排列。可以理解的，所述紫外照射装置400的行间距及列间距可根据需要进行设定。
请参阅图3-6所示，在本实施例中，所述薄膜沉积系统100还包括紫外灯控制器600，所述紫外灯控制器600与所述紫外照射装置400的各所述紫外发光单元402连接，用于控制各所述紫外发光单元402的通断，照射功率，照射时间等参数。在利用该薄膜沉积系统100进行碳膜300沉积时，所述紫外灯的波长介于100nm-400nm之间，譬如254nm或365nm，照射功率介于100wto60kw之间，时间介于1minto180min，可以理解的是，所述照射功率和所述照射时间可根据需要进行选择。
需要说明的是，在本实施例中，在利用紫外照射装置400对沉积在基板200上的碳膜进行照射的过程中，可利用转动机构驱动支撑杆170旋转以带动支撑底座140旋转，从而带动设置于支撑底座140上基板200同步旋转，以更均匀的照射整个碳膜300，从而控制基板200每个位置碳膜300的质量。
具体地，在一具体示例中，所述紫外灯控制器600独立控制所述紫外照射装置400的每个所述紫外发光单元402的关断以及功率，从而可以调整控制紫外照射的均匀性，进而来控制基板200上碳膜300的均匀性；并且还可以控制所述紫外照射装置400中指定区域中的紫外发光单元402关闭或者打开来调整局部碳膜300的质量。其中，图3-6依次表示所述紫外照射装置400中全部紫外发光单元402全部点亮、全部关闭，以及两种部分点亮时示意图，图3-6中，未填充的紫外发光单元402表示该紫外发光单元402为打开状态，而填充的紫外发光单元402表示该紫外发光单元402为关闭状态。
实施例二
请参阅图7，在本实施例中，所述薄膜沉积系统100包括薄膜沉积装置、紫外照射装置400及紫外灯控制器600。该实施例与实施例一的区别在于紫外照射装置400的结构以及安装位置不同，并且省去了转动组件500，其他结构与实施例一基本相同，故不再做重复说明。
在本实施例中，请参阅图7，所述紫外照射装置400具有圆环状结构，所述紫外照射装置400包括灯座板401，以及按照预设方式间隔设置于所述灯座板401上的若干紫外发光单元402，所述紫外照射装置400设置于所述沉积腔室110的顶部112，且环绕所述气体分配组件150设置。可以理解的，所述紫外照射装置400的各紫外发光单元402的间距可根据需要进行设定。在本实施例中，所述紫外照射装置400中各紫外发光单元402的安装角度并不相同，可以根据实际需要进行安装设置，从而可以使所述紫外照射装置400的各紫外发光单元402的照射角度，以使所述紫外照射装置400光线能够照射到整个碳膜300上。
由于在本实施例中，所述紫外照射装置400设置于所述沉积腔室110的顶部112，且环绕所述气体分配组件150设置，因此不会影响基板200上碳膜300的沉积过程。利用本实施例的碳膜300沉积系统可以同时进行沉积和照射操作，从而可以省去或者减少碳膜300沉积完成后的紫外照射时间，可以大大缩短工艺时间，并且同时进行沉积和照射操作可以更容易的控制碳膜300沉积过程中h2的释放。
在本实施例中，同样可以利用与所述紫外照射装置400的各所述紫外发光单元402连接紫外灯控制器600，来控制各所述紫外发光单元402的通断，照射功率，照射时间等参数。在一具体示例中，所述紫外灯控制器600同样可以独立控制所述紫外照射装置400的每个所述紫外发光单元402的关断以及功率，从而可以调整控制紫外照射的均匀性，进而来控制基板200上碳膜300的均匀性；并且还可以控制所述紫外照射装置400中指定区域中的紫外发光单元402关闭或者打开来调整局部碳膜300的质量。
实施例三
请参阅图1和图8，在本实施例中，所述薄膜沉积系统100包括薄膜沉积装置、紫外照射装置400、控制紫外照射装置400转动到合适位置的转动组件500以及紫外灯控制器600。该实施例与实施例一的区别在于紫外照射装置400的形状结构不同，其他结构均与实施例一的相同，故不再做重复说明。
请参阅图1和8，在本实施例中，所述紫外照射装置400具有长条状，这样可以减少紫外照射装置400的体积，以适应不同薄膜沉积装置的机台体积限制。在对沉积在基板200上的碳膜300进行照射时，可通过该转动组件500将紫外照射装置400旋转至所述支撑底座140与所述气体分配组件150之间，用于对碳膜300进行照射，并且在照射的过程中通过旋转基板200并且控制转速(可利用转动机构驱动支撑杆170旋转以带动支撑底座140旋转，从而带动设置于支撑底座140上基板200同步旋转)，从而控制基板200每个位置碳膜300的质量；而在碳膜300沉积时，可通过该转动组件500将紫外照射装置400旋转至沉积腔111的边缘位置，以便不会影响碳膜300的沉积。
在本实施例中，同样可以利用与所述紫外照射装置400的各所述紫外发光单元402连接紫外灯控制器600来控制各所述紫外发光单元402的通断，照射功率，照射时间等参数。在一具体示例中，所述紫外灯控制器600同样可以独立控制所述紫外照射装置400的每个所述紫外发光单元402的关断以及功率，从而可以调整控制紫外照射的均匀性，进而来控制基板200上碳膜300的均匀性；并且还可以控制所述紫外照射装置400中指定区域中的紫外发光单元402关闭或者打开来调整局部碳膜300的质量。
虽然本实用新型中，所述薄膜沉积系统100是用来进行碳膜沉积，但可以理解的是，本实用新型的薄膜沉积系统100同样可以适用于其他需要在沉积过程中用紫外进行照射处理的薄膜沉积。
综上所述，本实用新型的薄膜沉积系统，通过在薄膜沉积装置(例如等离子体增强化学的气相沉积设备)的沉积腔室中引入紫外照射装置，可以在碳膜的沉积过程中或者沉积完成后来对碳膜进行紫外照射处理，在这个过程中，碳膜能够释放出更多的h2(将碳膜转换成纯碳结构)，在保持碳膜的透明性的情况下进一步提高蚀刻选择比；利用本实用新型的薄膜沉积系统进行碳膜沉积时，工艺过程简单，能够比较容易的获取具有良好透明性和高蚀刻选择性的碳膜，并且不会出现碳膜与基板的覆盖问题；本实用新型的薄膜沉积系统，可以更容易控制碳膜的质量均匀性以获取更好的临界尺寸一致性(criticaldimensionuniformity，简称cdu)。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
在本文的描述中，提供了许多特定细节，诸如部件和/或方法的实例，以提供对本实用新型实施例的完全理解。然而，本领域技术人员将认识到可以在没有一项或多项具体细节的情况下或通过其他设备、系统、组件、方法、部件、材料、零件等等来实践本实用新型的实施例。在其他情况下，未具体示出或详细描述公知的结构、材料或操作，以避免使本实用新型实施例的内容变模糊。
在整篇说明书中提到“一个实施例(oneembodiment)”、“实施例(anembodiment)”或“具体实施例(aspecificembodiment)”意指与结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本实用新型的至少一个实施例中，并且不一定在所有实施例中。因而，在整篇说明书中不同地方的短语“在一个实施例中(inoneembodiment)”、“在实施例中(inanembodiment)”或“在具体实施例中(inaspecificembodiment)”的各个表象不一定是指相同的实施例。此外，本实用新型的任何具体实施例的特定特征、结构或特性可以按任何合适的方式与一个或多个其他实施例结合。应当理解本文所述和所示的实用新型实施例的其他变型和修改可能是根据本文教导的，并将被视作本实用新型精神和范围的一部分。
还应当理解还可以以更分离或更整合的方式实施附图所示元件中的一个或多个，或者甚至因为在某些情况下不能操作而被移除或因为可以根据特定应用是有用的而被提供。
另外，除非另外明确指明，附图中的任何标志箭头应当仅被视为示例性的，而并非限制。此外，除非另外指明，本文所用的术语“或”一般意在表示“和/或”。在术语因提供分离或组合能力是不清楚的而被预见的情况下，部件或步骤的组合也将视为已被指明。
如在本文的描述和在下面整篇权利要求书中所用，除非另外指明，“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”包括复数参考物。同样，如在本文的描述和在下面整篇权利要求书中所用，除非另外指明，“在…中(in)”的意思包括“在…中(in)”和“在…上(on)”。
本实用新型所示实施例的上述描述(包括在说明书摘要中所述的内容)并非意在详尽列举或将本实用新型限制到本文所公开的精确形式。尽管在本文仅为说明的目的而描述了本实用新型的具体实施例和本实用新型的实例，但是正如本领域技术人员将认识和理解的，各种等效修改是可以在本实用新型的精神和范围内的。如所指出的，可以按照本实用新型所述实施例的上述描述来对本实用新型进行这些修改，并且这些修改将在本实用新型的精神和范围内。
本文已经在总体上将系统和方法描述为有助于理解本实用新型的细节。此外，已经给出了各种具体细节以提供本实用新型实施例的总体理解。然而，相关领域的技术人员将会认识到，本实用新型的实施例可以在没有一个或多个具体细节的情况下进行实践，或者利用其它装置、系统、配件、方法、组件、材料、部分等进行实践。在其它情况下，并未特别示出或详细描述公知结构、材料和/或操作以避免对本实用新型实施例的各方面造成混淆。
因而，尽管本实用新型在本文已参照其具体实施例进行描述，但是修改自由、各种改变和替换意在上述公开内，并且应当理解，在某些情况下，在未背离所提出实用新型的范围和精神的前提下，在没有对应使用其他特征的情况下将采用本实用新型的一些特征。因此，可以进行许多修改，以使特定环境或材料适应本实用新型的实质范围和精神。本实用新型并非意在限制到在下面权利要求书中使用的特定术语和/或作为设想用以执行本实用新型的最佳方式公开的具体实施例，但是本实用新型将包括落入所附权利要求书范围内的任何和所有实施例及等同物。因而，本实用新型的范围将只由所附的权利要求书进行确定。
1.一种薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统包括：
用于向基板上沉积碳膜的薄膜沉积装置，所述薄膜沉积装置包括沉积腔室，以及用于承载所述基板的支撑底座；
用于对沉积于所述基板上的碳膜进行紫外处理的紫外照射装置，所述紫外照射装置设置于所述沉积腔室内，所述紫外照射装置的照射区域可覆盖所述碳膜的至少部分表面。
2.根据权利要求1所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积装置还包括气体分配组件与气体调节面板，所述气体分配组件设置于所述沉积腔室的顶部，所述气体分配组件与气体调节面板连接。
3.根据权利要求2所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述紫外照射装置具有环状结构。
4.根据权利要求3所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述紫外照射装置设置于所述沉积腔室的顶部，且环绕所述气体分配组件设置。
5.根据权利要求1所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统还包括可将所述紫外照射装置转动至所述支撑底座上方，以对沉积于所述基板上的碳膜进行紫外处理的转动组件，所述紫外照射装置通过所述转动组件安装于所述沉积腔室内。
6.根据权利要求5所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述紫外照射装置包括盘状结构或长条形结构。
7.根据权利要求1所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积装置包括等离子体增强化学气相沉积设备。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述紫外照射装置包括灯座板，以及按照预设方式间隔设置于所述灯座板上的若干紫外发光单元。
9.根据权利要求8所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述薄膜沉积系统还包括紫外灯控制器，所述紫外灯控制器与所述紫外照射装置的各所述紫外发光单元连接。
10.根据权利要求9所述薄膜沉积系统，其特征在于，所述紫外灯控制器独立控制所述紫外照射装置的每个所述紫外发光单元。
技术总结