本发明涉及硅产品制作技术领域，尤其涉及一种硅片处理设备。
背景技术：
用于装载硅片的fosb(片盒)一般都是不导电的，换而言之，片盒表面会有静电存在，而静电有吸附微粒的作用，当片盒在运输硅片的过程中，容易因为片盒表面的静电吸附一些微粒，片盒表面吸附的微粒会污染到硅片表面，由于静电的存在，片盒表面不断吸附微粒，造成污染硅片的风险大大增加。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片处理设备，解决由于片盒表面的静电而容易对硅片产生污染的问题。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：一种硅片处理设备，包括硅片处理装置，所述硅片处理装置包括一具有容纳腔体的柜体，所述柜体的第一侧壁上设置有入口，所述入口处设置有片盒上载台，还包括离子风机和排风结构；
所述离子风机设置于所述柜体的顶部，用于在片盒进入所述柜体之前对片盒提供离子风以消除片盒静电，并去除片盒上的污染物；
所述排风结构包括与真空设备连接的排风管道，所述排风管道设置于所述第一侧壁上，且所述排风管道的进口位于所述离子风机与所述柜体的入口之间，用于吸取并排出由离子风吹起的污染物。
可选的，还包括用于运输片盒至所述片盒上载台的运输装置，所述离子风机位于片盒的运输路径上。
可选的，所述离子风机设置于所述柜体的顶部靠近所述第一侧壁的区域，所述运输装置将片盒运输至与所述离子风机的出风口正对时，所述排风管道的进口朝向片盒与所述离子风机出风口之间的缝隙。
可选的，所述离子风机的出风口的外部包覆有壳体，所述壳体包括使得所述出风口外露的开口，所述开口与所述入口位于所述柜体的同一侧。
可选的，所述壳体包括容纳所述出风口的第一区域，以及能够容纳部分片盒的第二区域。
可选的，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁和第三侧壁，所述第二侧壁靠近所述开口的一端具有第一缺口，所述第三侧壁靠近所述开口的一端具有第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口的形状相同，且所述第一缺口在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。
可选的，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁和第三侧壁，所述第二侧壁的一个边缘设置有第一缺口，沿所述第一缺口向靠近所述第三侧壁的方向垂直延伸，并贯穿所述第三侧壁，在所述第三侧壁上形成第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口之间的区域形成所述开口，且所述第一缺口在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。
可选的，所述壳体包括位于所述出风口靠近所述片盒上载台的一侧的底壁，所述壳体上与所述底壁相对设置的一侧敞口设置，所述底壁设置有第三缺口，使得片盒能够沿垂直于水平面的竖直方向、穿过所述第三缺口。
本发明的有益效果是：通过所述离子风机的设置，在片盒卸载或装载硅片前，去除片盒表面的静电，并通过排风结构的配合，将由离子风吹起的颗粒污染吸走，防止颗粒污染对硅片的污染。
附图说明
图1表示本发明实施例中硅片处理设备结构示意图一；
图2表示本发明实施例中硅片处理设备结构示意图二；
图3表示本发明实施例中离子风机结构示意图；
图4表示本发明实施例中壳体结构示意图一；
图5表示本发明实施例中壳体结构示意图二；
图6表示本发明实施例中壳体结构示意图三。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1-图3所示，本实施例提供一种硅片处理设备，包括硅片处理装置1，所述硅片处理装置1包括一具有容纳腔体的柜体11，所述柜体11的第一侧壁上设置有入口，所述入口处设置有片盒上载台12，还包括离子风机2和排风结构；
所述离子风机2设置于所述柜体11的顶部，用于在片盒进入所述柜体11之前对片盒提供离子风以消除片盒静电，并去除片盒上的污染物；
所述排风结构包括与真空设备连接的排风管道，所述排风管道设置于所述第一侧壁上，且所述排风管道的进口位于所述离子风机2与所述柜体11的入口之间，用于吸取并排出由离子风吹起的污染物。
图1中表示处理片盒4被消除静电时与离子风机的相对位置关系，通过所述离子风机2的设置，在片盒卸载或装载硅片前，去除片盒表面的静电，并通过排风结构的配合，将由离子风吹起的颗粒污染吸走，防止颗粒污染进入所述柜体11，防止颗粒污染对硅片的污染。
图1中表示处理片盒4被消除静电时与离子风机的相对位置关系，片盒4与离子风机之间的缝隙的大小可根据实际需要设定，只要便于所述排风管道将离子风吹起的颗粒污染吸走即可。
本实施例中示例性的，还包括用于运输片盒至所述片盒上载台12的运输装置，所述离子风机2位于片盒的运输路径上。
所述运输装置将片盒运输至所述片盒上载台12之前，在所述离子风机2的位置停留预设时间以清除片盒表面的颗粒污染，无需改变所述运输装置的运输路径，简化操作流程。
本实施例中示例性的，所述运输装置为天车，本实施例中的硅片处理设备应用于使用天车装置的硅片加工车间，有些大型设备不便于安装小型洁净棚，由于天车的设置无法安装洁净棚，这样片盒表面由于静电的存在，而吸附的颗粒容易对硅片造成污染，本实施例中，通过离子风去除静电，并将片盒表面的颗粒吹离，并通过排风结构的设置将离子风吹起的颗粒快速吸走，达到净化片盒表面的作用，防止片盒的门打开以卸载或装载硅片时，硅片被沾污。
本实施例中示例性的，所述离子风机2设置于所述柜体11的顶部靠近所述第一侧壁的区域，所述运输装置将片盒运输至与所述离子风机2的出风口21正对时，所述排风管道的进口朝向片盒与所述离子风机2出风口21之间的缝隙。
所述排风管道的设置，可以及时吸走被离子风吹离的颗粒污染，同时起到离子风的方向导流的作用，防止片盒表面的颗粒污染四散。
所述排风管道吸走的颗粒污染可以收纳于污染收集箱内，便于处理。
所述硅片处理设备所在的工作空间(如车间)内，一般会设置排风设备和污染回收设备，可以将所述排风管道连接于所述工作空间内设置的排风设备，这样所述排风管道吸走的颗粒污染可以直接通过所述污染回收设备处理，无需再单独设置，降低成本。
本实施例中示例性的，所述离子风机2的出风口21的外部包覆有壳体3，所述壳体3包括使得所述出风口21外露的开口，所述开口与所述入口位于所述柜体11的同一侧。
所述壳体3的设置进一步的保证离子风的风向朝向片盒，防止颗粒污染四散，有效的防止对硅片的污染。
本实施例中示例性的，所述壳体3包括容纳所述出风口21的第一区域，以及能够容纳部分片盒的第二区域。
片盒部分容纳于所述壳体3内，可以有效的防止片盒表面颗粒污染四散。
参考图3和图4，本实施例中示例性的，所述壳体3在垂直于所述离子风机2的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧,310和第三侧壁320，所述第二侧壁310靠近所述开口的一端具有第一缺口31，所述第三侧壁320靠近所述开口的一端具有第二缺口32，所述第一缺口31和所述第二缺口32的形状相同，且所述第一缺口31在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向(参考图4中的x方向)上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机2的出风方向。
需要说明的是，在图3的图示方向，第二侧壁310和第三侧壁320重叠(第三侧壁320被第二侧壁310遮挡)，第一缺口31和第二缺口32重叠，所以将第一缺口31和第二缺口32标示在同一位置，但实际上第一缺口31和第二缺口32并不是同一结构，可以参考图4。
本实施例中，用于运输片盒的运输装置为天车，天车将片盒运送至所述柜体11的承载台上的路径不一，在天车的运输路径是垂直于水平面的竖直方向时，所述第一缺口31和所述第二缺口32的设置，便于天车将片盒运输至与所述离子风机2的出风口21正对的位置，且使得片盒被部分所述壳体3包覆，片盒、所述壳体3、所述离子风机2形成了一个半封闭空间，所述排风管道位于所述壳体3靠近所述片盒上载台12的一侧，且所述排风管道的进口朝向所述壳体3与片盒之间的缝隙，由于所述排风管道与真空设备相连接，使得所述半封闭空间内形成负压，离子风机2吹出的离子风进入所述半封闭空间，经过片盒表面后，即被所述排风管道吸走，离子风不会吹向其他方向，防止了由离子风吹起的颗粒污染落入所述片盒上载台12或其他地方，有效的防止了颗粒污染四散，避免了对硅片的污染。需要说明的是，本实施例中的硅片处理设备应用于使用天车装置的硅片加工车间，对于fosb所存在的静电吸附的颗粒所造成的的颗粒沾污风险的控制，他考虑了有些大型设备不方便安装小型洁净棚，以及规避了有天车无法安装洁净棚的情况，通过消除静电的方式，并通过吹风的方式，将没有静电吸附的微粒吹离，并在真空负压的条件下快速抽离此区域，达到净化fosb表面的作用，防止因为fosb打开fosb门时，硅片被沾污的风险。
所述壳体并不限于上述所述，例如本实施例一实施方式中，参考图5，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁310和第三侧壁320，所述第二侧壁310的一个边缘设置有第一缺口31，沿所述第一缺口31向靠近所述第三侧壁320的方向垂直延伸，并贯穿所述第三侧壁320，在所述第三侧壁320上形成第二缺口32，所述第一缺口31和所述第二缺口32之间的区域形成所述开口，且所述第一缺口31在第二方向(参考图5中x方向)上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。
图5中所示的壳体相对于图4中所示的壳体，缩小了所述开口的大小，即缩小了由片盒、所述壳体3、所述离子风机2形成的半封闭空间的大小，有利于半封闭内负压的控制，有效的控制离子风的风向，避免颗粒污染的四散。
参考图6，本实施例中示例性的，所述壳体包括位于所述出风口靠近所述片盒上载台的一侧的底壁，所述壳体上与所述底壁相对设置的一侧敞口设置，所述底壁设置有第三缺口33，使得片盒能够沿垂直于水平面的竖直方向、穿过所述第三缺口33。
需要说明的是，图6中所示的壳体相对于图4和图5中所示的壳体，结构简单，更便于片盒的移动，但是由于所述壳体上与所述底壁相对设置的一侧敞口设置，不利于负压的控制，本实施例中优选图5中所示的壳体结构。
需要说明的是，所述离子风机2的数量可以根据实际需要设定，本实施例的一具体实施方式中，所述离子风机2的数量与所述片盒上载台12的数量相同，如图2所示，硅片处理设备包括两个片盒上载台12，对应的所述硅片处理设备设置了两个离子风机2。
需要说明的是，本实施例中所述硅片处理设备应用于硅片生产和检验过程中所涉及的多种工序，例如所述硅片处理装置1可以为分选机、硅片参数测试仪等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
1.一种硅片处理设备，包括硅片处理装置，所述硅片处理装置包括一具有容纳腔体的柜体，所述柜体的第一侧壁上设置有入口，所述入口处设置有片盒上载台，其特征在于，还包括离子风机和排风结构；
所述离子风机设置于所述柜体的顶部，用于在片盒进入所述柜体之前对片盒提供离子风以消除片盒静电，并去除片盒上的污染物；
所述排风结构包括与真空设备连接的排风管道，所述排风管道设置于所述第一侧壁上，且所述排风管道的进口位于所述离子风机与所述柜体的入口之间，用于吸取并排出由离子风吹起的污染物。
2.根据权利要求1所述的硅片处理设备，其特征在于，还包括用于运输片盒至所述片盒上载台的运输装置，所述离子风机位于片盒的运输路径上。
3.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述离子风机设置于所述柜体的顶部靠近所述第一侧壁的区域，所述运输装置将片盒运输至与所述离子风机的出风口正对时，所述排风管道的进口朝向片盒与所述离子风机出风口之间的缝隙。
4.根据权利要求2所述的硅片处理设备，其特征在于，所述离子风机的出风口的外部包覆有壳体，所述壳体包括使得所述出风口外露的开口，所述开口与所述入口位于所述柜体的同一侧。
5.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体包括容纳所述出风口的第一区域，以及能够容纳部分片盒的第二区域。
6.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁和第三侧壁，所述第二侧壁靠近所述开口的一端具有第一缺口，所述第三侧壁靠近所述开口的一端具有第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口的形状相同，且所述第一缺口在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。
7.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体在垂直于所述离子风机的出风方向的第一方向上包括相对的第二侧壁和第三侧壁，所述第二侧壁的一个边缘设置有第一缺口，沿所述第一缺口向靠近所述第三侧壁的方向垂直延伸，并贯穿所述第三侧壁，在所述第三侧壁上形成第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口之间的区域形成所述开口，且所述第一缺口在第二方向上的长度大于片盒在所述第二方向上的长度，所述第二方向垂直于所述第一方向，且垂直于所述离子风机的出风方向。
8.根据权利要求4所述的硅片处理设备，其特征在于，所述壳体包括位于所述出风口靠近所述片盒上载台的一侧的底壁，所述壳体上与所述底壁相对设置的一侧敞口设置，所述底壁设置有第三缺口，使得片盒能够沿垂直于水平面的竖直方向、穿过所述第三缺口。
技术总结