背景技术：
1、半导体设备制造工艺可涉及材料沉积、图案化和移除的许多步骤以在衬底上形成集成电路。可使用多种方法以选择性地将材料沉积至衬底上。一示例为化学气相沉积。化学气相沉积工艺涉及使一或更多前体气体在处理室内的衬底上方流动。室中的条件是受控的以致使前体气体在衬底表面上反应和/或分解，从而形成膜。
技术实现思路
1、提供本
技术实现要素：
，以利用简化的形式来介绍概念的选择，其将在以下的具体实施方式中进一步描述。本发明内容不意图识别所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不意图用于限制所要求保护的主题的范围。此外，所要求保护的主题不限于解决本公开内容的任何部分中所提到的任何或所有缺点的实现方案。
2、公开了关于包含护罩的净化板的示例。护罩有助于避免在多站处理室中的站之间的串扰。一示例提供了包含处理室的处理工具，处理室包含多个站。处理工具还包含具有面向室的表面的净化板。净化板还包含被配置成容纳多个站的工艺气体出口的多个切口。净化板还包含围绕多个切口中的第一切口的周边的至少一部分配置的护罩。护罩远离面向室的表面延伸。净化板还包含形成在面向室的表面及护罩中的多个净化气体孔。
3、在一些这样的示例中，护罩是第一护罩，且处理工具包含至少部分地围绕多个切口中的第二切口的周边配置的第二护罩。
4、在一些这样的示例中，多个净化气体孔可替代地或额外地包含图案，且其中该图案在护罩的边缘处中断。
5、在一些这样的示例中，护罩可替代地或额外地远离面向室的表面延伸介于0.10英寸与0.25英寸之间的范围内的距离。
6、在一些这样的示例中，护罩可替代地或额外地被配置成容纳移送环的一或更多个插片。
7、在一些这样的示例中，处理室可替代地或额外地包含四个站。
8、在一些这样的示例中，处理工具还包含位于多个站中的站处的基座、在处理室的底表面上方支撑基座的基座支撑件、以及基座屏蔽系统，基座屏蔽系统包含围绕基座支撑件配置的侧屏蔽件、支撑侧屏蔽件的底部屏蔽件、以及辐射屏蔽件，底部屏蔽件包含被配置成调整侧屏蔽件倾斜度和侧屏蔽件高度中的一或更多者的多个调整器，底部屏蔽件还包含一或更多个开口，辐射屏蔽件被配置成吸收从基座辐射的热并从处理室转移要移除的热，辐射屏蔽件包含穿过底部屏蔽件的一或更多开口延伸的一或更多脚垫。可替代地或额外地，在一些这样的示例中，侧屏蔽件围绕基座配置，且处理工具还包含净化气体出口以将净化气体流入至少部分地由侧屏蔽件包围的空间中。可替代地或额外地，在一些这样的示例中，处理工具还包含由底部屏蔽件支撑的多个升降销，且其中底部屏蔽件的多个调整器进一步被配置成调整升降销高度和相对于基座角度的升降销角度中的一或更多者，其中辐射屏蔽件包含被配置成容纳多个升降销的多个切口。
9、在一些这样的示例中，处理室可替代地或额外地包含化学气相沉积工具。
10、另一示例提供用于处理工具中的处理室的净化板。净化板包含面向室的表面。净化板还包含被配置成容纳处理工具的相应工艺气体出口的切口。净化板还包含围绕切口的周边的至少一部分配置的护罩。护罩从面向室的表面延伸。净化板还包含形成在面向室的表面和护罩中的多个净化气体孔。
11、在一些这样的示例中，净化板包含单一本体。
12、在一些这样的示例中，净化板可替代地或额外地由铝形成。
13、在一些这样的示例中，护罩是第一护罩，且净化板包含围绕第二切口配置的第二护罩。
14、在一些这样的示例中，多个净化气体孔可替代地或额外地包含图案，且该图案于护罩的边缘处中断。
15、在一些这样的示例中，护罩可替代地或额外地远离面向室的表面延伸介于0.10英寸与0.25英寸之间的范围内的距离。
16、在一些这样的示例中，净化板可替代地或额外地包含第二、第三、及第四切口。
17、在一些这样的示例中，护罩可替代地或额外地包含被配置成容纳移送环的一或更多个插片的一或更多个凹口。
18、在一些这样的示例中，净化板可替代地或额外地被配置成用于化学气相沉积工具的沉积室。
19、另一示例提供在处理工具的处理室内处理多个衬底的方法。处理室包含多个站以及相应的多个工艺气体出口。处理室还包含净化板。净化板包含被配置成容纳多个工艺气体出口的多个切口。方法包含使第一前体气体在第一站的第一衬底上方流动。方法还包含使第二前体气体在第二站的第二衬底上方流动。方法还包含使净化气体流动通过贯穿净化板的面向室的表面形成的净化孔。方法还包含使净化气体流动通过贯穿净化板的护罩形成的净化孔。护罩围绕多个切口中的第一切口的周边的至少一部分配置。
20、在一些这样的示例中，护罩是第一护罩，且方法还包含使净化气体流动通过在净化板的第二护罩中形成的净化孔。第二护罩至少部分地围绕多个切口中的第二切口的一部分配置。
21、在一些这样的示例中，处理多个衬底的方法可替代地或额外地还包含额外方法，额外方法包含执行化学气相沉积工艺。
22、在一些这样的示例中，方法可替代地或额外地还包含在第一前体气体流动之后将第一衬底移送至第二站，以及在第二前体气体流动之后将第二衬底移送至第三站。
23、还公开了关于用于保护衬底处理工具的基座系统的基座屏蔽系统的示例。一示例提供衬底处理工具，衬底处理工具包含处理室、衬底加热器、及配置在处理室内的基座系统。基座系统包含基座以及被配置成在处理室的底表面上方支撑基座的基座支撑件。衬底处理工具还包含基座屏蔽系统。基座屏蔽系统包含围绕基座支撑件配置的侧屏蔽件。基座屏蔽系统还包含支撑侧屏蔽件的底部屏蔽件，底部屏蔽件包含被配置成调整侧屏蔽件倾斜度和侧屏蔽件高度中的一或更多者的多个调整器，底部屏蔽件还包含一或更多个开口。基座屏蔽系统还包含被配置成吸收从基座辐射的热并从处理室转移要移除的热的辐射屏蔽件，辐射屏蔽件包含穿过底部屏蔽件的一或更多个开口延伸的一或更多个脚垫。
24、在一些这样的示例中，侧屏蔽件围绕基座配置。
25、在一些这样的示例中，衬底处理工具额外地或可替代地还包含净化气体出口以使净化气体流入至少部分地由侧屏蔽件包围的空间中。
26、在一些这样的示例中，衬底处理工具额外地或可替代地还包含由底部屏蔽件支撑的多个升降销。
27、在一些这样的示例中，底部屏蔽件的多个调整器额外地或可替代地还被配置成调整升降销高度和相对于基座角度的升降销角度中的一或更多者。
28、在一些这样的示例中，辐射屏蔽件额外地或可替代地包含被配置成容纳多个升降销的多个切口。
29、在一些这样的示例中，衬底处理工具额外地或可替代地包含化学气相沉积工具。
30、在一些这样的示例中，侧屏蔽件与底部屏蔽件额外地或可替代地是整合的。
31、在一些这样的示例中，侧屏蔽件额外地或可替代地包含铝。
32、另一示例提供用于衬底处理工具的基座屏蔽系统。基座屏蔽系统包含被配置成围绕衬底处理工具的基座系统的基座支撑件放置的侧屏蔽件。基座屏蔽系统还包含被配置成支撑侧屏蔽件的底部屏蔽件。底部屏蔽件包含被配置成调整侧屏蔽件倾斜度和侧屏蔽件高度中的一或更多者的多个调整器，底部屏蔽件还包含一或更多个开口。基座屏蔽系统还包含被配置成吸收从基座支撑件及基座辐射的热的辐射屏蔽件。辐射屏蔽件包含被配置成穿过底部屏蔽件的一或更多个开口延伸的一或更多个脚垫。
33、在一些这样的示例中，底部屏蔽件被配置成支撑多个升降销。
34、在一些这样的示例中，底部屏蔽件的调整器额外地或可替代地进一步被配置成调整升降销高度和相对于基座角度的升降销角度中的一或更多者。
35、在一些这样的示例中，多个升降销额外地或可替代地包含三或更多个升降销且底部屏蔽件的调整器进一步被配置成调整相对于基座表面的升降销平面度。
36、在一些这样的示例中，辐射屏蔽件额外地或可替代地还包含被配置成容纳多个升降销的多个切口。
37、在一些这样的示例中，侧屏蔽件与底部屏蔽件额外地或可替代地是整合的。
38、在一些这样的示例中，侧屏蔽件额外地或可替代地包含铝。
39、另一示例提供调整处理工具的方法，处理工具包含处理化学品出口、基座系统和基座屏蔽系统。基座系统包含基座和基座支撑件。基座屏蔽系统包含底部屏蔽件、围绕基座配置且由底部屏蔽件支撑的侧屏蔽件、以及包含穿过底部屏蔽件中一或更多个开口延伸的一或更多脚垫的辐射屏蔽件。方法包含调整基座相对于处理化学品出口的倾斜角度。方法还包含调整于底部屏蔽件上的一或更多个调整器以调整侧屏蔽件相对于基座的位置。
40、在一些这样的示例中，方法还包含在调整基座的倾斜角度之前对处理工具的处理室施加真空。
41、在一些这样的示例中，方法额外地或可替代地还包含将净化气体导入至少部分地被侧屏蔽件围绕的空间中。
42、在一些这样的示例中，调整一或更多个调整器额外地或可替代地包含调整螺钉、凸轮、齿条与小齿轮、水平仪、活塞、或楔子中的一或更多者。
1.一种处理工具，其包含：
2.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述护罩是第一护罩，且所述处理工具还包含至少部分地围绕所述多个切口中的第二切口的周边配置的第二护罩。
3.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述多个净化气体孔包含图案，且其中所述图案在所述护罩的边缘处中断。
4.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述护罩被配置成容纳移送环的一或更多个插片。
5.根据权利要求1所述的处理工具，其还包含位于所述多个站中的站处的基座、将所述基座支撑在所述处理室的底表面上方的基座支撑件、以及基座屏蔽系统，所述基座屏蔽系统包含：
6.根据权利要求5所述的处理工具，其中所述侧屏蔽件围绕所述基座配置，且所述处理工具还包含净化气体出口以使净化气体流入至少部分地由所述侧屏蔽件包围的空间中。
7.根据权利要求5所述的处理工具，其还包含由所述底部屏蔽件支撑的多个升降销，且其中所述底部屏蔽件的所述多个调整器还被配置成调整升降销高度和相对于基座角度的升降销角度中的一或更多者，其中所述辐射屏蔽件包含被配置成容纳所述多个升降销的多个切口。
8.一种用于处理工具中的处理室的净化板，所述净化板包含：
9.根据权利要求8所述的净化板，其中所述净化板包含单一本体。
10.根据权利要求8所述的净化板，其中所述净化板由铝形成。
11.根据权利要求8所述的净化板，其中所述护罩是第一护罩，且所述净化板还包含围绕第二切口配置的第二护罩。
12.根据权利要求8所述的净化板，其中所述多个净化气体孔包含图案，所述图案于所述护罩的边缘处中断。
13.根据权利要求8所述的净化板，其中所述护罩远离所述面向室的表面延伸介于0.10英寸与0.25英寸之间的范围内的距离。
14.根据权利要求8所述的净化板，其还包含第二切口、第三切口和第四切口。
15.根据权利要求8所述的净化板，其中所述护罩包含被配置成容纳移送环的一或更多个插片的一或更多个凹口。
16.根据权利要求8所述的净化板，其中所述净化板被配置用于化学气相沉积工具的沉积室。
17.一种在处理工具的处理室内处理多个衬底的方法，所述处理室包含多个站和相应的多个工艺气体出口，所述处理室还包含净化板，所述净化板包含多个切口，所述多个切口中的每一者被配置成容纳所述多个工艺气体出口中的工艺气体出口，所述方法包含：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述护罩是第一护罩，且所述方法还包含使所述净化气体流动通过在所述净化板的第二护罩中形成的净化孔，所述第二护罩至少部分地围绕所述多个切口中的第二切口的一部分配置。
19.根据权利要求17所述的方法，其中处理所述多个衬底的所述方法还包含额外方法，所述额外方法包含：
20.根据权利要求17所述的方法，其还包含在使所述第一前体气体流动之后，将所述第一衬底移送至所述第二站，以及在使所述第二前体气体流动之后，将所述第二衬底移送至第三站。
