本发明涉及pcb加工，尤其涉及一种孔口包覆铜的制造方法及非对称结构hdi板的制造方法。
背景技术：
1、hdi板通常用于需要高密度互连的电子设备中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。这些设备需要更小、更紧凑的电路板来支持高性能的处理器、内存和其他组件。非对称结构hdi（highdensityinterconnect）板是一种特殊的电子板，这种类型的板设计特点是具有非对称的导电层布局。这种结构允许电路板在某一侧具有更多的导电层，而在另一侧则较少，从而满足特定应用中的不同需求。非对称结构hdi板通过优化导电层的布局，具有更高的布线密度和更优的信号传输的特点，而且通过减少不必要的导电层，还可以降低材料成本和制造成本。然而，非对称结构hdi板的设计和生产也面临一些挑战。特别是制作盲孔并进行孔口包覆铜的过程中，由于多次盲孔的制作过程中需要进行多次盲孔电镀以及多次对铜面的铜层减薄，每次电镀与铜层减薄之间存在一定的铜层厚度极差。在多次盲孔电镀和铜层减薄后，部分盲孔表面的铜层偏薄，无法在盲孔表面处实现包覆铜，最终导致盲孔孔铜与基板表面铜层拉裂形成分层，影响产品的稳定性和可靠性，甚至还可能导致电路性能下降或失效。
2、因此，需要对现有的非对称结构hdi的生产过程进行改进，以避免孔口包覆铜缺失的问题。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题，本发明的目的之一提供一种孔口包覆铜的制造方法，该方法能够确保在盲孔处形成质量可靠的包覆铜，从而保证孔铜与面铜之间连接的可靠性，保证hdi产品的质量。
2、一种孔口包覆铜的制造方法，包括：
3、在hdi板的基板的表面，预留基板与其余各层连通的孔位；
4、在预留的孔位的孔口处制作凹槽，其中所述凹槽从基板的表面向内凹陷；其中凹槽的直径大于对应的孔位的直径；
5、从所制作的凹槽处钻出基板与hdi板其余各层连通的连通孔，并对所钻出的连通孔进行电镀；
6、在凹槽处形成包覆铜层。
7、在本发明较佳的技术方案中，所述在凹槽处形成包覆铜层，包括：
8、在对所钻出的连通孔进行沉铜电镀后，在hdi板电镀面铜，并在凹槽处形成包覆铜层；
9、其中，所述包覆铜层从连通孔的孔口向外延伸，所述包覆铜的厚度大于5μm，且所述包覆铜边缘至连通孔的孔口边缘的最小距离大于25μm。
10、在本发明较佳的技术方案中，所述在预留孔位的孔口处制作凹槽，包括：
11、在母板的基板表面上贴干膜，并根据设计要求，在基板表面对基板与hdi板其余各层连通的连通孔进行开窗，使得连通孔的孔位露出；
12、对开窗后的基板进行减铜；
13、对减铜后的基板进行退膜处理，使得所露出的孔位处形成凹槽。
14、在本发明较佳的技术方案中，从所制作的凹槽处钻出基板与hdi板其余各层连通的连通孔，并对所钻出的连通孔进行电镀，包括：
15、根据设计要求，从凹槽处逐层钻出基板面与其余各层连通的连通孔；
16、对所钻出的连通孔进行沉铜电镀，并电镀面铜，在凹槽处形成与连通孔的孔铜相连的包覆铜层；
17、对形成的凹槽进行塞孔。
18、在本发明较佳的技术方案中，所述在预留孔位的孔口处制作凹槽，包括：
19、在基板上，在基板与hdi板其余各层连通的连通孔的孔位处贴干膜；
20、对贴膜后的基板进行电镀面铜；
21、对电镀面铜后的基板进行退膜，使得基板上的连通孔的孔位处形成凹槽。
22、在本发明较佳的技术方案中，所述从所制作的凹槽处钻出基板与hdi板其余各层连通的连通孔，包括：
23、对形成的凹槽进行塞孔；
24、根据设计要求，从塞孔后的凹槽处逐层钻出基板与其余各层连通的连通孔；
25、对所钻出的连通孔进行沉铜电镀，并电镀面铜。
26、在本发明较佳的技术方案中，所述对形成的凹槽进行塞孔，还包括：
27、在下一次的连通孔制作过程前，根据设计要求，采用激光逐层将凹槽中的树脂除去，并用等离子机进行残留树脂清洁，露出凹槽；
28、从所露出的凹槽处制作钻出基板与hdi板其余各层连通的连通孔；
29、对钻出的连通孔进行沉铜电镀，并电镀面铜，在凹槽处形成与连通孔的孔铜相连的包覆铜。
30、本发明的目的之二提供一种非对称结构hdi板的制造方法，该hdi板包括母板和子板，所述母板包括多层芯板和基板；
31、在连通孔的制造过程中，采用如上所述的孔口包覆铜的制造方法，在连通孔的孔口处形成包覆铜。
32、在本发明较佳的技术方案中，母板的制作过程，包括：
33、钻出母板的基板上的通孔，并对所钻出的通孔进行电镀、树脂塞孔；
34、获取母板各层的芯板，对所获取的各层芯板进行减铜处理，并在各层芯板上钻孔、电镀、塞孔以及制作线路图形；
35、将完线路图形制作的芯板逐层压合在基板上；
36、其中，在压合的过程中，采用如上所述的孔口包覆铜的制造方法，在基板上制作与压合的芯板连通的连通孔；
37、母板制造完成后，将子板逐层压合在母板上，并对压合的子板进行钻孔、沉铜电镀以及线路图形制作，得到非对称结构的hdi板。
38、在本发明较佳的技术方案中，其中，在母板的芯板的电镀过程中，在单个芯板的边缘钻n行循环孔，n为大于等于1的自然数；
39、其中，所述循环孔的孔径大于0.2mm；
40、在将子板压合在母板后，还包括：
41、在压合完成的hdi板的边缘钻改善孔，所述改善孔贯穿母板和子板；
42、且沿hdi板的中心至边缘方向，所述改善孔设置m排，m为大于1的自然数；
43、其中，相邻两排的改善孔的位置相互错开；
44、所述改善孔的孔径为0.3mm-0.5mm，且在同一排改善孔中，改善孔的直径大于相邻两个改善孔的最小距离；且所述改善孔的孔径与芯板的材料、厚度相关；
45、在本发明较佳的技术方案中，在母板制造前，还包括工程图形设计；
46、所述工程图形设计包括：
47、在母板的芯板的图形设计过程中，将芯板的多个pcb板图形拼合在一块基板上；
48、其中，拼合过程中，将单个pcb板图形旋转预设的角度，使得单个pcb板的图形与半固化片的经纬线交错分布；
49、其中，预设的角度为10°-45°。
50、本发明的有益效果为：
51、本发明提供的一种孔口包覆铜的制造方法，该孔口包覆铜的制造方法包括：在hdi板的基板的表面，预留基板与其余各层连通的孔位；在预留的孔位的孔口处制作凹槽，其中凹槽从基板的表面向内凹陷；其中凹槽的直径大于对应的孔位的直径；从所制作的凹槽处钻出基板与hdi板其余各层连通的连通孔，并对所钻出的连通孔进行电镀；在凹槽处形成包覆铜层。该孔口包覆铜的制造方法，通过在基板的表面预留的孔位的孔口处制作凹槽，并从钻出基板与hdi板其余各层连通的连通孔，在电镀的过程中，能够在凹槽处形成包覆铜层。由于该凹槽的直径大于对应的孔位的直径，因此该包覆铜层从连通孔的孔口处延伸至凹槽中，能够增强连通孔的孔铜与基板之间的结合力，防止孔铜与基板表面铜层拉裂形成分层，从而有助于提高产品的质量。
52、本技术还提供一种包括上述孔口包覆铜的制造方法的非对称结构hdi板的制造方法，该方法制得的hdi板产品的质量可靠、性能突出，不易出现电路连接不畅的情况。
1.一种孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
7.根据权利要求4或6所述的孔口包覆铜的制造方法，其特征在于：
8.一种非对称结构hdi板的制造方法，包括母板和子板，所述母板包括多层芯板和基板，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的非对称结构hdi板的制造方法，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的非对称结构hdi板的制造方法，其特征在于：
11.根据权利要求9所述的非对称hdi板的制造方法，其特征在于：
