一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器的制作方法

专利2025-03-20  27


本发明及薄膜电容器领域,具体涉及一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器。


背景技术:

1、薄膜电容(film capacitor)器又称塑料薄膜电容(plastic film capacitor)。其以塑料薄膜为电介质。

2、现有薄膜电容器的结构,一般包括电容器外壳、电容器芯、用来将电容器芯完全包裹的环氧树脂封装层。其所使用的环氧树脂封装层一般由环氧树脂胶黏剂掺杂有填料(如球形氧化铝)后经过固化制成。

3、但是现有的环氧树脂的阻燃性差,耐热性低,一般达不到v0级阻燃(ul94标准),需要添加大量的溴系阻燃剂,但溴系阻燃剂不符合环保要求,另外大量添加的溴系阻燃剂,还会造成耐热性变差,这对于大容量储能的电容器来说,是亟待解决的难题。


技术实现思路

1、本发明的具体技术方案如下:

2、一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,包括铝壳、位于铝壳内的电容器芯和用来对电容器芯进行绝缘封装的树脂封装层,所述树脂封装层由苯并噁嗪类树脂胶经固化制成,所述苯并噁嗪类树脂胶是将苯并噁嗪树脂、固化剂、促进剂、填料、阻燃剂和溶剂混合均匀而制得。

3、在一种可选的实施例中,所述苯并噁嗪类树脂胶是将100质量份苯并噁嗪树脂、20~25质量份固化剂、0.5~0.7质量份促进剂、15~20质量份填料、3.5~5质量份阻燃剂和100~150质量份溶剂混合均匀而制得。

4、在一种可选的实施例中,所述苯并噁嗪类树脂为4,4'-二氨基二苯甲烷型苯并噁嗪,其结构式如式1所示:

5、

6、在一种可选的实施例中,所述固化剂为4,4’-二氨基二苯砜、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯醚、双氰胺中的一种或几种。

7、在一种可选的实施例中,所述促进剂为2-甲基咪唑或2-苯基咪唑。

8、在一种可选的实施例中,所述填料是氢氧化镁、氢氧化铝、氧化铝、氮化铝、二氧化硅、硅微粉中的一种或多种。

9、在一种可选的实施例中,所述溶剂是丙酮、丁酮、n,n-二甲基甲酰胺、丙二醇单甲醚、甲苯、二甲苯中的一种或多种。

10、在一种可选的实施例中,所述阻燃剂是氨基三亚甲基膦酸或烷基次膦酸铝。

11、在一种可选的实施例中,所述固化剂由4,4’-二氨基二苯砜和双氰胺按照质量比10:3的比例混合制成,所述阻燃剂是氨基三亚甲基膦酸。

12、在本发明中,所述无卤阻燃型金属化薄膜电容器满足无卤要求,阻燃性好,总烟气释放量非常低,耐热性高。



技术特征:

1.一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,包括铝壳、位于铝壳内的电容器芯和用来对电容器芯进行绝缘封装的树脂封装层,其特征在于:所述树脂封装层由苯并噁嗪类树脂胶经固化制成,所述苯并噁嗪类树脂胶是将苯并噁嗪树脂、固化剂、促进剂、填料、阻燃剂和溶剂混合均匀而制得。

2.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述苯并噁嗪类树脂胶是将100质量份苯并噁嗪树脂、20~25质量份固化剂、0.5~0.7质量份促进剂、15~20质量份填料、3.5~5质量份阻燃剂和100~150质量份溶剂混合均匀而制得。

3.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述苯并噁嗪类树脂为4,4'-二氨基二苯甲烷型苯并噁嗪,其结构式如式1所示:

4.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述固化剂为4,4’-二氨基二苯砜、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯醚、双氰胺中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述促进剂为2-甲基咪唑或2-苯基咪唑。

6.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述填料是氢氧化镁、氢氧化铝、氧化铝、氮化铝、二氧化硅、硅微粉中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述溶剂是丙酮、丁酮、n,n-二甲基甲酰胺、丙二醇单甲醚、甲苯、二甲苯中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述阻燃剂是氨基三亚甲基膦酸或烷基次膦酸铝。

9.根据权利要求1所述的一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,其特征在于:所述固化剂由4,4’-二氨基二苯砜和双氰胺按照质量比10:3的比例混合制成,所述阻燃剂是氨基三亚甲基膦酸。


技术总结
本发明涉及一种无卤阻燃型金属化薄膜电容器,包括铝壳、位于铝壳内的电容器芯和用来对电容器芯进行绝缘封装的树脂封装层,树脂封装层由苯并噁嗪类树脂胶经固化制成,所述苯并噁嗪类树脂胶是将100质量份4,4'‑二氨基二苯甲烷型苯并噁嗪、20~25质量份固化剂、0.5~0.7质量份促进剂、15~20质量份填料、3.5~5质量份阻燃剂和100~150质量份溶剂混合均匀而制得。所述无卤阻燃型金属化薄膜电容器满足无卤要求,阻燃性好,总烟气释放量非常低,耐热性高。

技术研发人员:汤泽波,周峰,王金兵,徐湘华,曹慧,周涛
受保护的技术使用者:安徽赛福电容股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/17
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