本发明涉及直拉单晶制造领域，特别涉及一种改善氧环缺陷的工艺。
背景技术：
1、研究表明，直拉单晶中氧含量在1400℃引入硅晶体，以间隙氧方式存在，随着温度降低，氧在硅晶体中固溶度降低，间隙氧析出，氧与空位缺陷结合，随温度变化，氧沉淀形核长大：（1+r）si+2oi+βv（空位）；sio2+rsii+应力释放。
2、osf形核中心是氧沉淀和位错的复合体，从氧沉淀到osf的转变是通过应力促进自间隙硅原子的过饱和，氧沉淀长大，大的体积变化致使硅原子从沉淀与硅基体界面附近转移出去，过剩形成层错，近而形成osf。
3、因此，提出一种改善氧环缺陷的工艺来解决上述问题很有必要。
技术实现思路
1、本发明的主要目的在于提供一种改善氧环缺陷的工艺，可以有效解决背景技术中的问题。
2、为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
3、一种改善氧环缺陷的工艺，所述包括以下操作步骤：
4、s1：准备单晶炉：单晶炉包括炭毡、石英坩埚、石墨托、溶体、加热器、热屏、晶棒、炉体外壳和氩气管；
5、s2：拉晶处理：启动加热器，对石英坩埚进行加热，加热后晶棒配合溶体进行拉晶处理，拉晶过程中，控制热屏移动，使得热屏底部远离溶体表面，使得晶体的y值增大，用于提高石英坩埚侧壁热辐射面积，通过氩气管对晶体进行充氩处理，用于增加晶棒下部的受热；
6、s3：设置不同的液口距生产晶棒进行小批量电池验证，监控经电池topcon高温扩散热处理后osf产生情况；
7、s4：对除杂用材料进行氧沉淀热处理工艺和cu扩散工艺：其中材料包括cz-si、ncz-si，对处理完毕的cz-si、ncz-si采用800目和2000目的sic颗粒对其进行研磨，然后在90℃下用cp4溶液进行化学抛光30s，通过掩膜沉积厚度30nm的al沉积在制备的晶体处。
8、优选的，所述步骤s1中，炭毡置于炉体外壳的底部，石墨托位于炭毡的顶部，石英坩埚置于石墨托的顶部，溶体置于石英坩埚的内腔中，加热器安装在石英坩埚的外壁，热屏置于石英坩埚的内腔中，晶棒延伸至溶体处，氩气管安装在炉体外壳的侧边，炉体外壳还安装有加厚保温桶，用于使引晶、等径功率降低，减少坩埚烘烤，避免更多氧析出，用于使径向梯度减小，生长界面热应力减少。
9、优选的，所述其中cz-si的处理包括氧沉淀热处理工艺：800℃/225h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却；800℃/225h，cu扩散工艺：rtp扩散，1200℃/50s；800℃/225h+1250℃/2h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：常规扩散，1000℃/10min，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：rtp扩散，1000℃/50s，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：rtp扩散，1000℃/100s，空气冷却。
10、优选的，所述其中ncz-si的处理包括氧沉淀热处理工艺：800℃/225h，cu扩散工艺：rtp扩散，1200℃/50s；800℃/225h+1250℃/2h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却。
11、有益效果
12、与现有技术相比，本发明提供了一种改善氧环缺陷的工艺，具备以下有益效果：
13、1、该改善氧环缺陷的工艺，本发明一种通过调整热屏位置，降低单晶硅氧化诱生层错环的工艺，基于此缺陷的形成原理，通过控制生产过程中，控制固液界面v/g值大于临界值0.13mm2min-1k-1，且控制热应力的减少，可得到更高的空位浓度及减少位错的产生，避免osf-ring的生成。
1.一种改善氧环缺陷的工艺，其特征在于：所述包括以下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的一种改善氧环缺陷的工艺，其特征在于：所述步骤s1中，炭毡置于炉体外壳的底部，石墨托位于炭毡的顶部，石英坩埚置于石墨托的顶部，溶体置于石英坩埚的内腔中，加热器安装在石英坩埚的外壁，热屏置于石英坩埚的内腔中，晶棒延伸至溶体处，氩气管安装在炉体外壳的侧边，炉体外壳还安装有加厚保温桶，用于使引晶、等径功率降低，减少坩埚烘烤，避免更多氧析出，用于使径向梯度减小，生长界面热应力减少。
3.根据权利要求1所述的一种改善氧环缺陷的工艺，其特征在于：所述其中cz-si的处理包括氧沉淀热处理工艺：800℃/225h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却；800℃/225h，cu扩散工艺：rtp扩散，1200℃/50s；800℃/225h+1250℃/2h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：常规扩散，1000℃/10min，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：rtp扩散，1000℃/50s，空气冷却；750℃/16h+1050℃/32h，cu扩散工艺：rtp扩散，1000℃/100s，空气冷却。
4.根据权利要求1所述的一种改善氧环缺陷的工艺，其特征在于：所述其中ncz-si的处理包括氧沉淀热处理工艺：800℃/225h，cu扩散工艺：rtp扩散，1200℃/50s；800℃/225h+1250℃/2h，cu扩散工艺：常规扩散，1200℃/10min，空气冷却。
