本技术涉及显示，尤其涉及一种驱动芯片及其制备方法、发光基板。
背景技术：
1、微型led(light emitting diode)技术由于其高亮度、高色纯度的特点，在大尺寸显示、拼接显示、背光模组等产品中具有明显的竞争优势。相关技术中，微型led显示产品通常采用在基板上键合微型驱动芯片的方式驱动；然而，微型驱动芯片的尺寸较小，导致其制备成本较高，很大程度上限制了微型led显示产品的推广和应用。
技术实现思路
1、本技术的实施例提供了一种驱动芯片及其制备方法、发光基板；该驱动芯片具有结构设计简单、制备成本低的优点，很大程度上解决了相关技术中微型驱动芯片高成本的问题。
2、本技术的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，本技术的实施例提供了一种驱动芯片的制备方法，所述方法包括：
4、提供第一半导体薄膜；所述第一半导体薄膜的材料包括硅；
5、对所述第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜；
6、形成遮光薄膜；所述第二子薄膜位于所述第一子薄膜远离所述遮光薄膜的一侧；
7、提供第一衬底；
8、采用键合工艺将所述遮光薄膜和所述第一衬底键合在一起；
9、对所述第一子薄膜和所述第二子薄膜进行分离处理，得到分离后的所述第二子薄膜和基板；
10、在所述基板上形成驱动单元，得到所述驱动芯片。
11、在一些实施例中，在所述提供第一半导体薄膜的步骤之后，且在对所述第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜的步骤之前，所述方法还包括：
12、在所述第一半导体薄膜上形成缓冲薄膜；所述第二子薄膜位于所述第一子薄膜远离所述缓冲薄膜的一侧，所述遮光薄膜位于所述缓冲薄膜远离所述第一半导体薄膜的一侧。
13、在一些实施例中，所述对所述第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜的步骤包括：
14、采用氢离子注入工艺对所述第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜，所述第一子薄膜包括氢原子。
15、在一些实施例中，所述对所述第一子薄膜和所述第二子薄膜进行分离处理，得到分离后的所述第二子薄膜和基板的步骤包括：
16、在预设温度下，对采用氢离子注入工艺处理之后的所述第一半导体薄膜进行加热处理，得到分离后的所述第二子薄膜和基板；所述预设温度的范围包括450℃～600℃。
17、在一些实施例中，在所述基板上形成驱动单元，得到所述驱动芯片的步骤包括：
18、分别形成至少一个所述第一晶体管和至少一个所述第二晶体管。
19、在一些实施例中，形成所述第一晶体管的步骤包括：
20、在所述基板的所述第一子薄膜上形成第一光阻图案；
21、以所述第一光阻图案为掩膜版，同时对所述遮光薄膜、所述缓冲薄膜和所述第一子薄膜进行图案化处理，得到第一半导体图案的中间结构、缓冲图案和遮光图案；其中，所述缓冲图案在所述第一衬底上的正投影与所述遮光图案在所述第一衬底上的正投影重叠；
22、对所述第一光阻图案进行图案化处理，得到第二光阻图案；
23、以所述第二光阻图案为掩膜版，对所述第一半导体图案的中间结构进行图案化处理，得到所述第一半导体图案。
24、在一些实施例中，以所述第二光阻图案为掩膜版，对所述第一半导体图案的中间结构进行图案化处理，得到所述第一半导体图案的步骤之后，所述形成第一晶体管的步骤还包括：
25、形成第一栅绝缘层；所述第一栅绝缘层覆盖所述第一半导体图案；
26、形成第二栅极图案，所述第二栅极图案位于所述第一栅绝缘层远离所述第一半导体图案的一侧；
27、形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层所述覆盖所述第二栅极图案；
28、其中，所述遮光图案包括所述第一晶体管的第一栅极，所述第二栅极图案包括所述第一晶体管的第二栅极，所述第一半导体图案包括所述第一晶体管的有源部。
29、在一些实施例中，所述形成第二晶体管的步骤包括：
30、在所述第二栅绝缘层上依次形成第三栅极图案、第一层间介质层、第二半导体图案、第三绝缘层、第四栅极图案和第二层间介质层；其中，所述第三栅极图案包括所述第二晶体管的第一栅极，所述第四栅极图案包括所述第二晶体管的第二栅极，所述第二半导体图案包括所述第二晶体管的有源部。
31、在一些实施例中，在所述分别形成至少一个所述第一晶体管和至少一个所述第二晶体管的步骤之后，所述方法还包括：
32、依次形成第一源漏导电层、平坦层、第一钝化层、第二源漏导电层和第二钝化层；其中，所述第一源漏导电层与晶体管电连接，所述第二源漏导电层与所述第一源漏导电层电连接。
33、第二方面，本技术的实施例提供了一种驱动芯片，采用如第一方面中所述的制备方法制备，所述驱动芯片包括：
34、第一衬底；以及位于所述第一衬底一侧的驱动单元；所述驱动单元包括至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管，所述第一晶体管包括：
35、遮光图案，位于所述第一衬底的一侧；
36、缓冲图案，位于所述遮光图案远离所述第一衬底的一侧，所述缓冲图案在所述第一衬底上的正投影与所述遮光图案在所述第一衬底上的正投影重叠；
37、第一半导体图案，位于所述缓冲图案远离所述遮光图案的一侧，所述第一半导体图案在所述第一衬底上的正投影位于所述缓冲图案在所述第一衬底上的正投影以内。
38、在一些实施例中，所述第一晶体管还包括：
39、第一栅绝缘层，覆盖所述第一半导体图案；
40、第二栅极图案，位于所述第一栅绝缘层远离所述第一半导体图案的一侧；
41、第二栅绝缘层，覆盖所述第二栅极图案；
42、其中，所述遮光图案包括所述第一晶体管的第一栅极，所述第二栅极图案包括所述第一晶体管的第二栅极，所述第一半导体图案包括所述第一晶体管的有源部。
43、在一些实施例中，部分所述第二晶体管在所述第一衬底上的正投影与所述第一晶体管在所述第一衬底上的正投影存在交叠；所述第二晶体管包括：
44、第三栅极图案，位于所述第二栅绝缘层远离所述第二栅极图案的一侧；
45、第一层间介质层，覆盖所述第三栅极图案；
46、第二半导体图案，位于所述第一层间介质层远离所述第三栅极图案的一侧；
47、第三栅绝缘层，覆盖所述第二半导体图案；
48、第四栅极图案，位于所述第三栅绝缘层远离所述第二半导体图案的一侧；
49、第二层间介质层，覆盖所述第四栅极图案；
50、其中，所述第三栅极图案包括所述第二晶体管的第一栅极，所述第四栅极图案包括所述第二晶体管的第二栅极，所述第二半导体图案包括所述第二晶体管的有源部。
51、在一些实施例中，所述驱动芯片还包括沿远离所述第二层间介质层方向依次设置的第一源漏导电层、平坦层、第一钝化层、第二源漏导电层和第二钝化层，所述第一源漏导电层与晶体管电连接，所述第二源漏导电层与所述第一源漏导电层电连接。
52、第三方面，本技术的实施例提供了一种发光基板，包括：
53、第二衬底；以及位于所述第二衬底一侧的至少一个第一导电垫组和多个第二导电垫组；
54、至少一个采用如第一方面中所述的方法制备的驱动芯片；
55、多个发光芯片；
56、其中，所述驱动芯片和所述第一导电垫组电连接，所述发光芯片和所述第二导电垫组电连接；所述第一衬底位于所述驱动单元远离所述第二衬底的一侧。
57、本技术的实施例提供了一种驱动芯片及其制备方法、发光基板，该驱动芯片的制备方法包括：提供第一半导体薄膜；第一半导体薄膜的材料包括硅；对第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜；形成遮光薄膜；第二子薄膜位于第一子薄膜远离遮光薄膜的一侧；采用键合工艺将遮光薄膜和第一衬底键合在一起；对第一子薄膜和第二子薄膜进行分离处理，得到分离后的第二子薄膜和基板；在基板上形成驱动单元，得到驱动芯片。
58、本技术采用分离技术，得到分离后的第二子薄膜和基板，再在基板上形成驱动单元，得到驱动芯片；一方面，由于第二子薄膜可以再次作为第一半导体薄膜重复利用；另一方面，在基板上形成驱动单元的过程(例如可以称作玻璃基制程)相较于相关技术中直接在硅基板上形成驱动芯片的过程(例如可以称作硅基制程)的工艺难度低，成本低；综合因素下，很大程度上降低了微型驱动芯片的制备工艺难度和制备成本，提高了其应用范围。
59、上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。
1.一种驱动芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，在所述提供第一半导体薄膜的步骤之后，且在对所述第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜的步骤之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述第一半导体薄膜进行处理，得到第一子薄膜和第二子薄膜的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述第一子薄膜和所述第二子薄膜进行分离处理，得到分离后的所述第二子薄膜和基板的步骤包括：
5.根据权利要求2所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，在所述基板上形成驱动单元，得到所述驱动芯片的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，形成所述第一晶体管的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，以所述第二光阻图案为掩膜版，对所述第一半导体图案的中间结构进行图案化处理，得到所述第一半导体图案的步骤之后，所述形成第一晶体管的步骤还包括：
8.根据权利要求7所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，所述形成第二晶体管的步骤包括：
9.根据权利要求6所述的驱动芯片的制备方法，其特征在于，在所述分别形成至少一个所述第一晶体管和至少一个所述第二晶体管的步骤之后，所述方法还包括：
10.一种驱动芯片，其特征在于，采用如权利要求6～9中任一项所述的制备方法制备，所述驱动芯片包括：
11.根据权利要求10所述的驱动芯片，其特征在于，所述第一晶体管还包括：
12.根据权利要求11所述的驱动芯片，其特征在于，部分所述第二晶体管在所述第一衬底上的正投影与所述第一晶体管在所述第一衬底上的正投影存在交叠；所述第二晶体管包括：
13.根据权利要求12所述的驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片还包括沿远离所述第二层间介质层方向依次设置的第一源漏导电层、平坦层、第一钝化层、第二源漏导电层和第二钝化层，所述第一源漏导电层与晶体管电连接，所述第二源漏导电层与所述第一源漏导电层电连接。
14.一种发光基板，其特征在于，包括：
