本发明涉及硅材料加工，特别是涉及一种高纯度硅材料的加工方法。
背景技术：
1、真空腔体上部电极是以单晶硅硅片为原料，上部电极为负极，由硅棒经过切片、研磨、刻蚀、打微孔、形状加工、抛光、清洗等一系列精密加工制成，广泛应用在红外探测、半导体、航天、汽车、医疗、电子消费产品、科研等领域。
2、然而，硅电极在硅片氧化膜刻蚀等加工工艺过程会被逐渐腐蚀并变薄，当硅电极厚度减少到一定程度后，就需替换新的硅电极。目前市售的真空腔体上部电极，由于组成硅体的晶体纯度程度低、抗腐蚀性差，耐久性低，其使用周期短、使用效果差且价格昂贵。
3、因此，亟需一种新的加工方法，能够使真空腔体上部电极具有更高的纯度、体积电阻率和耐用性，具有更优耐等离子腐蚀特性和低阶电损耗，同时能够大幅降低真空腔体上部电极材料的制造成本。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本发明旨在提供一种高纯度硅材料的加工方法，以高纯度单晶硅为原料，通过高转速高精密设备进行前段工艺的加工处理，后续通过对产品的清洗、刻蚀、抛光、脱脂等工艺流程，得到加工后的高纯度硅材料。
2、本发明提供了一种高纯度硅材料的加工方法，包括以下步骤：
3、获取高纯度单晶硅；
4、对高纯度单晶硅加工微孔后进行脱脂；
5、对脱脂后的高纯度单晶硅进行微孔蚀刻；
6、对蚀刻后的高纯度单晶硅进行抛光；
7、对抛光后的高纯度单晶硅进行微孔脱脂。
8、作为本发明的进一步改进，所述对高纯度单晶硅加工微孔后进行脱脂，包括：
9、将硅材料表面水基清洗液和水按照4:1的比例进行混合，得到第一脱脂液；
10、使用第一脱脂液对加工微孔后的高纯度单晶硅进行脱脂；
11、使用40hz的超声波清洗8分钟。
12、作为本发明的进一步改进，所述硅材料表面水基清洗液包括无机盐分散剂、非离子表面活性剂、抛光剂、剥离剂。
13、作为本发明的进一步改进，所述无机盐分散剂的组分包括碳酸钾，所述非离子表面活性剂的组分包括2-巯基-3-丁醇，所述抛光剂的组分包括焦磷酸钾，所述剥离剂的组分包括氢氧化钾。
14、作为本发明的进一步改进，所述无机盐分散剂的含量为3.9％，所述非离子表面活性剂的含量为19％，所述抛光剂的含量为5.5％，所述剥离剂的含量为3.5％。
15、作为本发明的进一步改进，所述对脱脂后的高纯度单晶硅进行微孔蚀刻，包括：
16、将含量为49％的氟化氢和含量为55％的硝酸按照1:4的比例进行混合，得到第二蚀刻液；
17、使用第二蚀刻液对脱脂后的高纯度单晶硅蚀刻30秒；
18、使用去离子水冲洗；
19、使用超声波清洗5分钟。
20、作为本发明的进一步改进，所述对蚀刻后的高纯度单晶硅进行抛光，包括：
21、使用粗糙度1500目的抛光垫；
22、将抛光液和水按照10:1的比例进行混合，得到第三抛光液；
23、使用第三抛光液对蚀刻后的高纯度单晶硅进行抛光，抛光时间为60分钟，单面抛光时间为30分钟，使高纯度单晶硅的粗糙度达到0.025ra以下。
24、作为本发明的进一步改进，所述抛光液的组分及重量比包括20～40wt％的磨料、5～10wt％的ph值调节剂、0.04～0.05wt％的表面活性剂、1～10wt％的氧化剂、3～5wt％的螯合剂。
25、作为本发明的进一步改进，所述对抛光后的高纯度单晶硅进行微孔脱脂，包括：
26、将硫酸和过氧化氢按照1:1的比例进行混合，得到第四脱脂液；
27、将抛光后的高纯度单晶硅放置于第四脱脂液中，放置时间10分钟，温度保持130℃；
28、使用超声波清洗10分钟。
29、作为本发明的进一步改进，所述硫酸含量为95～98％，所述过氧化氢含量为34％。
30、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
31、本发明提供了一种高纯度硅材料的加工方法，能够使真空腔体上部电极具有更高的纯度、体积电阻率和耐用性，具有更优耐等离子腐蚀特性和低阶电损耗，同时能够大幅降低真空腔体上部电极材料的制造成本。
1.一种高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述对高纯度单晶硅加工微孔后进行脱脂，包括：
3.根据权利要求2所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述硅材料表面水基清洗液包括无机盐分散剂、非离子表面活性剂、抛光剂、剥离剂。
4.根据权利要求3所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述无机盐分散剂的组分包括碳酸钾，所述非离子表面活性剂的组分包括2-巯基-3-丁醇，所述抛光剂的组分包括焦磷酸钾，所述剥离剂的组分包括氢氧化钾。
5.根据权利要求3或4所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述无机盐分散剂的含量为3.9％，所述非离子表面活性剂的含量为19％，所述抛光剂的含量为5.5％，所述剥离剂的含量为3.5％。
6.根据权利要求1所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述对脱脂后的高纯度单晶硅进行微孔蚀刻，包括：
7.根据权利要求1所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述对蚀刻后的高纯度单晶硅进行抛光，包括：
8.根据权利要求7所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述抛光液的组分及重量比包括20～40wt％的磨料、5～10wt％的ph值调节剂、0.04～0.05wt％的表面活性剂、1～10wt％的氧化剂、3～5wt％的螯合剂。
9.根据权利要求1所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述对抛光后的高纯度单晶硅进行微孔脱脂，包括：
10.根据权利要求9所述的高纯度硅材料的加工方法，其特征在于，所述硫酸含量为95～98％，所述过氧化氢含量为34％。
