实施例与半导体制造领域相关，并且具体而言与用于测量移动的工艺套件的位置和侵蚀的方法和装置相关。
背景技术：
1、在基板(诸如，半导体晶片)的处理中，基板被放置在处理腔室中的支撑表面(例如，静电吸盘(esc))上。一般而言，工艺套件被放置在支撑表面周围以在基板处理期间提供所需的处理特性。例如，工艺套件可以用来帮助在等离子体腔室中对等离子体塑形，以跨晶片提供更均匀的工艺。如此，通常需要控制工艺套件的顶表面相对于正被处理的基板的顶表面的定位，以实现所需的处理结果。
2、在安装工艺套件之后，可以实现各种测试(诸如，蚀刻速率测试或颗粒测试)以确认工艺套件相对于经处理的基板适当地定位。然而，此类测试是昂贵的，并且可能要花数小时来完成。并且，工艺套件可能在基板的处理期间被侵蚀。如此，可能需要调整工艺套件以重设基板表面与工艺套件的顶表面之间的关系。目前，直到在经处理的基板上发现可观察的缺陷之后才适当地界定侵蚀速率并且可作出调整。
技术实现思路
1、本文中所公开的实施例包括一种校准处理腔室的方法。在实施例中，该方法包括以下步骤：将传感器晶片放置到处理腔室中的支撑表面上，其中在z方向上能移位的工艺套件定位在支撑表面周围。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：用传感器晶片的边缘表面上的传感器测量传感器晶片与工艺套件之间的第一间隙距离。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：使工艺套件在z方向上移位。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：测量传感器晶片与工艺套件之间的额外间隙距离。
2、本文中所公开的实施例包括一种用于测量工艺套件的侵蚀的方法。在实施例中，该方法包括以下步骤：将传感器晶片放置在处理工具中的支撑表面上。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：使用传感器晶片上的传感器将环绕支撑表面的工艺套件的顶表面与传感器晶片的顶表面对准。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：从支撑表面移除传感器晶片。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：在处理工具中处理一个或多个器件基板。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：将传感器晶片放置在支撑表面上。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：用传感器晶片的边缘表面上的传感器测量传感器晶片与工艺套件之间的间隙距离。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：使工艺套件在z方向上移位。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：再次测量传感器晶片与工艺套件之间的间隙距离。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：重复使工艺套件移位以及测量间隙距离的操作，直到连续的间隙距离测量值彼此相等为止。
3、本文中所公开的实施例包括一种传感器晶片。在实施例中，该传感器晶片包括：基板，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一表面和第二表面通过边缘表面连接。在实施例中，该传感器晶片进一步包括：多个传感器，位于基板的周边周围，其中这些传感器中的每一个是面向外部的位置传感器。
1.一种传感器晶片，包括：
2.如权利要求1所述的传感器晶片，其中所述多个传感器位于所述边缘表面上。
3.如权利要求1所述的传感器晶片，其中所述多个传感器在所述第一表面上方延伸。
4.如权利要求1所述的传感器晶片，其中所述多个传感器中的每一个是自参考电容式传感器。
5.如权利要求1所述的传感器晶片，其中所述多个传感器中的每一个是电容式传感器。
6.如权利要求1所述的传感器晶片，其中所述传感器晶片用于执行一种校准处理腔室的方法，所述方法包括：
7.一种传感器晶片，包括：
8.如权利要求7所述的传感器晶片，其中所述多个传感器位于所述边缘表面上。
9.如权利要求7所述的传感器晶片，其中所述多个传感器在所述第一表面上方延伸。
10.如权利要求7所述的传感器晶片，其中所述多个传感器中的每一个是自参考电容式传感器。
11.如权利要求7所述的传感器晶片，其中所述多个传感器中的每一个是电容式传感器。
