本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种光学临近效应修正(opc)验证(verify)方法。
背景技术：
1、随着版图设计尺寸不断变小，光学临近效应会导致在晶圆(wafer)上不能得到想要的图形，必须使用opc技术来解决该种问题。
2、现有常规opc verify中，首先会对逻辑(logic)和sram区域先进行区分，每个区域均需检查关键尺寸(cd)的断路(pinch)、短路(bridge)等通用检查(check)项目(item)，不同区域因设计规则(design rule)不同，会设置不同的误差容限(error tolerance)，但是现有方法的verify预警结果在审查(review)时不能够高效的识别出logic区域或者sram区域的亚规则(sub rule)图形的设计问题点和规则上(on rule)图形opc修正不到位导致的高风险点，不利于及时发现版图设计问题和opc修正异常问题，影响最终的产品良率，尤其是在大芯片(chip)报错量较多时更易漏掉版图设计异常以及由设计异常或者opc菜单(recipe)设置不优化导致的高风险点。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是提供一种opc验证方法，能加强对版图异常问题的高效检查，还能加强对opc修正异常的检查，从而能及时发现版图设计问题和opc修正异常问题且不产生遗漏，从而能改善产品良率，能在芯片尺寸较大时候提高检查效率。
2、为解决上述技术问题，本发明提供的opc验证方法包括如下步骤：
3、步骤一、对版图进行区域划分并得到选定区域。
4、步骤二、基于设计规则对所述选定区域的图形进行区分以将图形分成亚规则(subrule)图形和规则上(on rule)图形。
5、步骤三、对所述亚规则图形进行标识形成亚规则图形标记。
6、以所述亚规则图形标记中心为原点扩展形成直径大小为第一值的光晕(halo)区域并将所述光晕区域作为所述亚规则图形的第一标记区域(marker region)层。
7、将所述版图的所述选定区域中所述第一标记区域层的取非区域作为所述规则上图形的第二标记区域层。
8、步骤四、分别对所述第一标记区域层和所述第二标记区域层的图形进行opc验证。
9、对所述第一标记区域层的所述opc验证的项目包括第一关键尺寸检查；所述第一关键尺寸检查采用分层检查，所述第一关键尺寸的各层检查的第一误差容限按照设计规则的设定值乘以对应的百分比确定。
10、进一步的改进是，所述第一验证规范值(spec)的各分层对应的所述第一误差容限分别为所述设计规则的设定值的±5％、±10％和±15％。
11、进一步的改进是，所述第一关键尺寸检查的各层检查的第一验证规范值分别为所述设计规则的设定值加上对应的所述第一误差容限。
12、进一步的改进是，对所述第二标记区域层的所述opc验证的项目包括第二关键尺寸检查；所述第二关键尺寸的第二误差容限由模型拟合误差(model fittting error)确定。
13、进一步的改进是，所述第二关键尺寸的第二误差容限为一维图形的模型拟合误差±2dbu，dbu表示布图数据库单位，如版图格点宽度。
14、进一步的改进是，所述第二关键尺寸检查的第二验证规范值分别为所述设计规则的设定值加上对应的所述第二误差容限。
15、进一步的改进是，步骤一中，所述选定区域包括逻辑区域和存储区域。
16、进一步的改进是，所述存储区域包括sram区域。
17、进一步的改进是，步骤二中，将符合如下定义的图形作为所述亚规则图形：
18、最小关键尺寸小于所述设计规则的设定值；
19、最小间隔小于所述设计规则的设定值；
20、存在非45度的斜边的图形的设定值；
21、孔层的包裹尺寸小于所述设计规则的设定值。
22、进一步的改进是，所述第一值为2倍～4倍的光学直径。
23、本发明在对版图进行区域划分如划分为逻辑区域和存储区域的基础上，对选定区域的图形区分成亚规则图形和规则上图形并对亚规则图形进行标识形成亚规则图形标记，通过亚规则图形标记嫩个提取出亚规则图形对应的第一标记区域层，对第一标记区域层进行取非能得到规则上图形对应的第二标记区域层；
24、在对选定区域进行opc验证时，会对第一标记区域层和第二标记区域层的图形进行单独验证，这样第一标记区域层和第二标记区域层能独立设置对应的误差容限，本发明通过设置多个第一误差容限，能采用分层检查方式实现对第一标记区域层的第一关键尺寸检查，分层检查能高效检出异常问题，特别是高效检出版图设计异常问题。
25、本发明还能将对第二标记区域层的第二关键尺寸检查的第二误差容限设置为由模型拟合误差确定，模型拟合误差和opc修正异常相关，能有效检查和opc修正异常问题；且，本发明的第二误差容限的设置，能实现第二关键尺寸检查的报错点的数量小于现有方法，从而能提高效率，但是并不会产生漏检问题，预警安全有效。
26、所以，本发明能加强对版图异常问题的高效检查，还能加强对opc修正异常的检查，从而能及时发现版图设计问题和opc修正异常问题且不产生遗漏，从而能改善产品良率，能在芯片尺寸较大时候提高检查效率。
1.一种opc验证方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的opc验证方法，其特征在于：所述第一验证规范值的各分层对应的所述第一误差容限分别为所述设计规则的设定值的±5％、±10％和±15％。
3.如权利要求1或2所述的opc验证方法，其特征在于：所述第一关键尺寸检查的各层检查的第一验证规范值分别为所述设计规则的设定值加上对应的所述第一误差容限。
4.如权利要求1所述的opc验证方法，其特征在于：对所述第二标记区域层的所述opc验证的项目包括第二关键尺寸检查；所述第二关键尺寸的第二误差容限由模型拟合误差确定。
5.如权利要求4所述的opc验证方法，其特征在于：所述第二关键尺寸的第二误差容限为一维图形的模型拟合误差±2dbu，dbu表示布图数据库单位。
6.如权利要求4或5所述的opc验证方法，其特征在于：所述第二关键尺寸检查的第二验证规范值分别为所述设计规则的设定值加上对应的所述第二误差容限。
7.如权利要求1所述的opc验证方法，其特征在于：步骤一中，所述选定区域包括逻辑区域和存储区域。
8.如权利要求7所述的opc验证方法，其特征在于：所述存储区域包括sram区域。
9.如权利要求1所述的opc验证方法，其特征在于：步骤二中，将符合如下定义的图形作为所述亚规则图形：
10.如权利要求1所述的opc验证方法，其特征在于：所述第一值为2倍～4倍的光学直径。
