本发明涉及印制电路板制造，具体为一种显影残胶抑制剂及方法。
背景技术：
1、印制电路板制造过程中，电路图形制造的工艺是使用感光性干膜或油墨(统称为光致抗蚀刻材料)贴合或涂布在裸铜板表面，然后使用特定波长的紫外光透过预先设计好图形的底片照射在光致抗蚀刻材料的表面，使一部分区域的光致抗蚀刻材料交联，然后以稀碳酸钠溶液浸泡将未交联的光致抗蚀刻材料溶解，此工艺即为光致抗蚀刻材料的显影，所用稀碳酸钠溶液业界称为显影液。在另一些显影液中，使用其他无机碱或有机碱作为光致抗蚀刻材料的溶解剂。光致抗蚀刻材料能在碱性溶液中溶解是由于这些材料具有酸性的官能团，主要为羧基(-cooh)，在碱性溶液中被中和，从而使未交联光致抗蚀刻材料溶出到显影液中。
2、由于光致抗蚀刻材料本身所含的光敏引发剂以及未交联单体同时溶出到显影液中，当光致抗蚀刻材料溶出量不断增加时，会在可见光的条件下，引发局部聚合反应，形成不溶性有机物漂浮或悬浮在显影液中，最终形成残胶，可能反粘至印制板表面，导致蚀刻异常，印制板线路短路。此外，残胶还会粘结在设备的传送部件及显影液槽体表面，降低设备的保养周期和生产效率。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种显影残胶抑制剂及方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种显影残胶抑制剂，包括以下质量百分比的原料：表面活性剂化合物1％-30％、缓蚀阻垢剂0.01％-5％和碱0.1％-20％，余量为去离子水。
3、优选的，所述表面活性剂化合物包括但不限于阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂或两者的组合，所述阴离子表面活性剂包括但不限于饱和或不饱和烷基磺酸及其盐、饱和或不饱和烷基羧酸及其盐或饱和或不饱和烷基磷酸及其盐。
4、优选的，所述缓蚀阻垢剂包括但不限于亚硝酸钠、苯甲酸钠、钨酸钠、钼酸钠、磷酸钠、硝酸钠、硅酸钠、硫酸锌、溴化锌、碘化锌、乙酸锌、羟基亚甲基二磷酸、氨三亚甲基磷酸、福美钠或水溶性有机硅中的一种或多种组合。
5、优选的，所述碱包括但不限于碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或多种组合。
6、一种显影残胶抑制剂的制备工艺，包括以下步骤：
7、步骤一，准备原料：准备表面活性剂化合物1％-30％、缓蚀阻垢剂0.01％-5％、碱0.1％-20％和余量为去离子水，进行混合得到混合溶液；
8、步骤二，将步骤一中得到的混合溶液按照0.5％比例加入到老化后的显影液中，搅拌均匀，然后往其中加入1％体积比的稀硫酸，充分混合后静置，沉淀物形成时间大于3min，完全沉降时间大于30min，过滤后滤纸少量残渣。
9、优选的，所述步骤二中稀硫酸的质量百分比为50％wt。
10、与现有技术相比，本发明的有益效果是：
11、本发明的显影残胶抑制剂，采用特定的添加剂及其组合，加入到0.5％-3％wt碱性显影液体系中使用，克服了显影液中残胶反粘及设备保养周期短的问题。添加本发明的显影残胶抑制剂，可显著提升显影液寿命，降低残胶反粘问题，提升产品良率。
1.一种显影残胶抑制剂，其特征在于，包括以下质量百分比的原料：表面活性剂化合物1％-30％、缓蚀阻垢剂0.01％-5％和碱0.1％-20％，余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种显影残胶抑制剂，其特征在于，所述表面活性剂化合物包括但不限于阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂或两者的组合，所述阴离子表面活性剂包括但不限于饱和或不饱和烷基磺酸及其盐、饱和或不饱和烷基羧酸及其盐或饱和或不饱和烷基磷酸及其盐。
3.根据权利要求1所述的一种显影残胶抑制剂，其特征在于，所述缓蚀阻垢剂包括但不限于亚硝酸钠、苯甲酸钠、钨酸钠、钼酸钠、磷酸钠、硝酸钠、硅酸钠、硫酸锌、溴化锌、碘化锌、乙酸锌、羟基亚甲基二磷酸、氨三亚甲基磷酸、福美钠或水溶性有机硅中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的一种显影残胶抑制剂，其特征在于，所述碱包括但不限于碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种或多种组合。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种显影残胶抑制剂的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5中所述的一种显影残胶抑制剂的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中稀硫酸的质量百分比为50％wt。
