本发明涉及晶圆测温，具体涉及一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置。
背景技术：
1、在集成电路制造过程中，温度是极其重要的参数，尤其是随着芯片制程尺寸的不断减小，晶圆表面的温度测量和控制极为重要。例如在等离子刻蚀中，为了提高刻蚀速率和温度分布的均匀性，一般需要对晶圆的温度进行精确的测量，以此来准确控制晶圆的温度，保证良好的刻蚀效果。因此，需要一种温度测量装置，这种测量装置能够记录晶圆在工艺过程中的温度信息，工程师可以通过分析这些温度信息来调整设备参数及工艺，以此来提高芯片制造的良率。
2、目前，晶圆温度检测装置主要为有线式。有线式的晶圆温度测量装置将温度传感器嵌入或贴在晶圆表面上，通过导线将信号引出。这种装置制作简单，但存在较多的问题，例如会引入污染、引线对晶圆表面的温度场造成破坏、引线会阻碍测温等。
技术实现思路
1、发明目的：提供一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，以解决现有技术存在的上述问题。
2、为了解决上述技术问题，本发明提供一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，本装置包括上硅片与下硅片，所述上硅片与所述下硅片之间设置有无线测温组件，所述无线测温组件由电路、测温器件、电池以及主控组成，所述电路设置在所述上硅片与所述下硅片之间，所述测温器件、电池以及主控均与所述电路电性连接，所述上硅片与所述下硅片通过高温粘接胶粘接。
3、作为一个优选方案，所述上硅片与所述下硅片均为圆形，所述上硅片与所述下硅片的圆心处设置有rf线圈，所述电路设置为多根，多根所述电路绕着所述rf线圈环形阵列，且两两相邻的所述电路的之间的夹角相等。
4、作为一个优选方案，所述电路的数量在10-20根之间。
5、作为一个优选方案，所述电池与所述主控均通过焊接剂焊接在所述下硅片上。
6、作为一个优选方案，所述上硅片与所述下硅片上均开设有用于容纳所述电池以及所述主控的凹槽。
7、作为一个优选方案，所述无线测温组件外侧包裹设置有绝缘膜。
8、作为一个优选方案，所述无线测温组件外侧包裹设置有抗电磁干扰膜。
9、作为一个优选方案，所述抗电磁干扰膜具体为聚酰亚胺膜。
10、作为一个优选方案，所述上硅片上方设置有抗刻蚀膜。
11、有益效果：本发明涉及一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，具体实施时，通过所述测温器件对晶圆的内部进行测温，得到的温度数据由所述主控上传到云端，所述电池为所述测温器件以及所述主控的电源，本发明为无线式温度测量装置，使用时能消除部分有线式测温带来的污染，并且避免在处理腔室上开设通孔，降低了制造难度且测温效果好。
1.一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
9.根据权利要求7所述的一种适用于半导体真空腔室的无线测温装置，其特征在于：
