背景技术：
1、诸如可编程集成电路的集成电路常常包含以静态随机存取存储器(sram)单元的形式的易失性存储器元件。在可编程集成电路中，sram单元可用作配置随机存取存储器(cram)单元。可编程集成电路是可由用户编程来实现期望定制逻辑功能的一种类型的集成电路。cram单元用于存储由用户供应的配置数据。一旦被加载，cram单元就将控制信号供应到晶体管以配置晶体管来实现所期望的逻辑功能。
2、一般使用一对交叉耦合的逆变器来形成易失性存储器元件，例如sram和cram单元。在每个存储器单元中，这对交叉耦合的逆变器可连接到地址晶体管，其在数据从存储器单元被读取或被写到存储器单元内时被接通。当没有数据从存储器单元被读取或被写到存储器单元内时，地址晶体管被断开以隔离存储器单元。
3、对每个连续代的集成电路技术存在朝着较小的尺寸、较低的阈值电压和较低的电源电压按比例缩放晶体管的趋势。较低的电源电压和较小的设备可能导致易失性存储器元件的降低的读/写裕度。这可能对可靠的设备操作提出挑战。
4、然而，较小的设备往往更多地遭受过程、电压和温度变化(pvt变化)。在较低的电源电压下操作存储器元件可进一步加重由存储器元件经历的变化的量，导致减小的存储器产量。
5、在本文描述的实施例产生在这一背景下。
技术实现思路
1.一种集成电路，包括：
2.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一非易失性电阻元件和所述第二非易失性电阻元件形成导电桥接随机存取存储器单元。
3.如权利要求1所述的集成电路，还包括：
4.如权利要求1-3中的任一项所述的集成电路，其中所述第一可调节电源电压是负的。
5.如权利要求1-3中的任一项所述的集成电路，其中所述第二可调节电源电压是负的。
6.如权利要求1所述的集成电路，还包括：
7.如权利要求1所述的集成电路，还包括：
8.如权利要求1-3或6-7中的任一项所述的集成电路，还包括：
9.一种操作集成电路的方法，所述方法包括：
10.如权利要求9所述的方法，其中所述负电压电平的幅度和所述正电压电平的幅度是相等的。
11.如权利要求9所述的方法，还包括：
12.如权利要求9所述的方法，其中所述第一非易失性电阻元件具有第一阴极端子，并且其中所述第二非易失性电阻元件具有面向所述第一阴极端子的第二阴极端子。
13.如权利要求9-12中的任一项所述的方法，还包括将所述第二电源线配置在高阻抗状态中。
14.如权利要求9-12中的任一项所述的方法，还包括：
15.如权利要求9-13中的任一项所述的方法，还包括：
16.一种集成电路，包括：
17.如权利要求16所述的集成电路，还包括：
18.如权利要求17所述的集成电路，其中所述第一可调节电源电压是负的。
19.如权利要求18所述的集成电路，其中所述第二可调节电源电压也是负的。
20.如权利要求19所述的集成电路，还包括：
