本发明属于玻璃薄膜制造，涉及一种具有新型表面结构的低粗糙度钼薄膜的制备方法。
背景技术：
1、钼电极在cigs薄膜太阳能电池上的应用已经很久，钼薄膜催化制备二硫化钼的技术也已经日趋成熟。钼薄膜在目前的磁控溅射工艺条件下只能制备出蠕虫状的杂乱无章的表面结构（如图1所示），且电阻率最低在3*10-5ω*cm左右。杂乱无章的表面结构会提高后续制备二硫化钼薄膜的难度，而电阻率较高也是mo导电薄膜与cu和ag导电薄膜之间最大的差距，普通钼薄膜粗糙度ra/rq在2以上，较高的粗糙度会加大制备二维材料的难度且对cigs薄膜太阳能电池的后续工艺有较大影响。
技术实现思路
1、本发明的目的是为了改善薄膜的电学性能，表面形貌和粗糙度，提供一种具有新型表面结构的低粗糙度钼薄膜的制备方法。
2、为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
3、一种具有新型表面结构的低粗糙度钼薄膜，其特征在于包括以下步骤：
4、（1）将普通白玻璃基底进行清洗去除表面污渍，随后吹干或烘干备用；
5、（2）将干燥后的普通玻璃基底采用磁控溅射法进行镀膜，放置玻璃基底时需将基底与法线方向呈60°夹角，与靶材入射方向呈120°夹角，以金属mo为靶材，镀制一层厚度为250-450nm的钼薄膜。
6、进一步，所述钼薄膜的表面结构呈定向排列，粗糙度ra/rq小于0.6。
7、本发明的有益效果是：本发明利用磁控溅射技术，仅仅通过改变基底与磁场、电场的夹角，且非水平放置，即可制备出具有定向排列表面的表面结构，方法简单，且有效地提高了薄膜的电学性能，还可以在对此mo薄膜进行表面改性时提高其改性后的薄膜性能，降低制备二硫化钼的难度，改善cigs背电极中钼薄膜与其他膜层的结合力等性能。
1.一种具有新型表面结构的低粗糙度钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种具有新型表面结构的低粗糙度钼薄膜的制备方法，其特征在于，所镀制的钼薄膜的表面结构具有定向排列的特性。
3.根据权利要求1所述的一种具有新型表面结构的低粗糙度钼薄膜的制备方法，其特征在于，所镀制的钼薄膜粗糙度ra/rq小于0.6。
