本发明涉及一种含碳原子膜的干式蚀刻方法。
背景技术：
1、在半导体集成电路中，元件的微细化及层叠化正在发展，在半导体集成电路的制造中，需要如下技术，即，为了对被蚀刻膜进行图案化而使用光致抗蚀剂等掩模，在被蚀刻膜上高精度且高速地加工开口小且纵横比大的深孔或沟槽。
2、作为这样的技术，例如已知有专利文献1中所记载的方法。在该公报中，报告了通过将在氧中添加了硫化羰的混合气体的等离子体气体用作含有碳的碳质层的蚀刻气体来提高加工精度。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2009-200459号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术课题
2、然而，上述专利文献1中所记载的方法在对碳质层进行干式蚀刻时，与配置于碳质层上的掩模相比，优先对碳质层进行各向异性蚀刻，在这方面有改善的余地。在此，在对配置于碳质层上的掩模的蚀刻速率大于对碳质层的蚀刻速率的情况下，也可以考虑使掩模的厚度增加即可。但是，此时，有可能由于蚀刻而发生掩模倒塌。
3、本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种含碳原子膜的干式蚀刻方法，在对含碳原子膜进行干式蚀刻时，与配置于含碳原子膜上的掩模相比，能够优先对含碳原子膜进行各向异性蚀刻。
4、用于解决技术课题的手段
5、本发明的发明人发现作为配置于含碳原子膜上的掩模配置包含含氧材料的掩模并使掩模的开口宽度在特定的范围内，并且将含碳原子膜的蚀刻时的氧中的添加气体由硫化羰改为二氧化硫，出乎意料地能够解决上述问题，从而完成了本发明。
6、即，本发明的一侧面提供一种含碳原子膜的干式蚀刻方法，其利用蚀刻气体对含有碳原子的含碳原子膜进行蚀刻，其包括：混合气体导入工序，将至少含有氧及二氧化硫的混合气体导入到配置有结构体的蚀刻腔室，上述结构体具备上述含碳原子膜及具有第1开口部的掩模；及蚀刻工序，在上述蚀刻腔室内使上述混合气体等离子体化而产生等离子体气体，并使用该等离子体气体作为上述蚀刻气体来蚀刻上述结构体的上述含碳原子膜而形成第2开口部，在上述混合气体导入工序中，上述掩模包含含氧材料，上述掩模的上述第1开口部的宽度为10～150nm。
7、根据上述含碳原子膜的干式蚀刻方法，在对含碳原子膜进行干式蚀刻时，与配置于含碳原子膜上的掩模相比，能够优先对含碳原子膜进行各向异性蚀刻。
8、上述掩模的第1开口部的宽度可以为40～150nm。
9、上述第1开口部的形状可以为沟槽或孔。
10、上述含碳原子膜可以包含非晶碳。
11、上述掩模中所包含的上述含氧材料可以为二氧化硅。
12、上述含碳原子膜的厚度可以为0.1μm以上。
13、上述含碳原子膜的厚度可以为10.0μm以下。
14、上述掩模的厚度可以为上述含碳原子膜的厚度的0.01倍以上。
15、上述掩模的厚度可以为上述含碳原子膜的厚度的0.5倍以下。
16、在上述混合气体中，上述二氧化硫及上述氧的合计体积中的上述二氧化硫的含有率可以为20～40体积％。
17、发明效果
18、根据本发明提供一种含碳原子膜的干式蚀刻方法，其在对含碳原子膜进行干式蚀刻时，与配置于含碳原子膜上的掩模相比，能够优先对含碳原子膜进行各向异性蚀刻。
1.一种含碳原子膜的干式蚀刻方法，其利用蚀刻气体对含有碳原子的含碳原子膜进行蚀刻，其包括：
2.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
3.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
4.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
5.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
6.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
7.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
8.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
9.根据权利要求1所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的含碳原子膜的干式蚀刻方法，其中，
