本公开涉及加热装置和基板处理装置。
背景技术：
1、在专利文献1中，在处理装置所具有的处理容器内的底部设有载置台构造。载置台构造具备用于载置并支承半导体晶圆的载置台。载置台包括由厚壁且透明的石英构成的载置台主体和设于载置台主体的上表面侧且由与载置台主体不同的不透明的电介质构成的散热板。在载置台主体内以埋入的方式设有加热部件。加热部件具有由碳线构成的加热器线材，遍及载置台主体的大致整个面地设为规定的图案形状。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2011-54838号公报
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本公开的技术在不使对所载置的基板进行加热的加热装置变厚的情况下改善该加热装置对基板的加热的面内均匀性。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一技术方案为一种加热装置，其对直接或隔着其他构件间接地载置于该加热装置的基板进行加热，其中，该加热装置具有：线状的加热器；以及基材，其具有自与所述基板侧相反的一侧朝向所述基板侧凹陷且在内部固定有所述加热器的槽，所述槽在近前侧具有与所述加热器接触的接触部，在里侧具有与所述加热器不接触的非接触部。
5、发明的效果
6、根据本公开的技术，能够在不使对所载置的基板进行加热的加热装置变厚的情况下改善该加热装置对基板的加热的面内均匀性。
1.一种加热装置，其对直接或隔着其他构件间接地载置于该加热装置的基板进行加热，其中，
2.根据权利要求1所述的加热装置，其中，
3.根据权利要求2所述的加热装置，其中，
4.根据权利要求2或3所述的加热装置，其中，
5.根据权利要求2或3所述的加热装置，其中，
6.根据权利要求2或3所述的加热装置，其中，
7.一种基板处理装置，其中，
