本发明属于半导体热检测领域，特别涉及一种gan器件近结区热阻测试方法和计算机设备。
背景技术：
1、gan器件具有高电子迁移率和大输出电流优势，但高电流密度工作下器件会产生大量的焦耳热，器件热源沟道温度会远高于环境温度，进而对器件的材料和电学特性造成极大影响。其中，近结区热阻是直接影响gan器件散热和实际工作温度的关键参数之一，如何降低gan器件近结区热阻成为行业重点关注的研究热点，其中，如何实现近结区热阻的精准检测是开展gan器件热管理工作、热可靠性评估以及热性能优化设计工作的重要基础。
2、现有技术利用3ω法测量得到gan器件的温升曲线，通过曲线中斜率差异与器件材料结构相对应，实现gan器件片内热阻测量，但该方法测试时间长，且因为温升曲线的拐点不够清晰，难以判断器件近结区的不同材料层的热阻。
技术实现思路
1、本发明的目的是提供一种gan器件近结区热阻测试方法、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，能够高效地测试获取gan器件近结区的不同材料层的热阻。
2、为了实现上述目的，本发明的一个方面提供一种gan器件近结区热阻测试方法，包括：
3、步骤s1：采用与待测gan器件相同的制作工艺制作热阻测试结构，所述热阻测试结构包括第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、设置在衬底层上的aln缓冲层、设置在aln缓冲层上的gan层，第二测试结构包括衬底层，在第一测试结构和第二测试结构的表面设置金属测试电极；
4、步骤s2：利用3ω法对第一测试结构进行测试，得到第一测试结构的综合热导率，如下计算得到gan器件的片内热阻：
5、
6、其中，为第一测试结构的厚度，为第一测试结构的综合热导率，为gan器件的片内热阻；
7、步骤s3：利用3ω法对第二测试结构进行测试，得到第二测试结构的综合热导率，如下计算得到衬底层的体热阻：
8、
9、其中，为第二测试结构的厚度，为第二测试结构的综合热导率，为衬底层的体热阻；
10、步骤s4：根据第一测试结构和第二测试结构的3ω法测试结果，如下计算得到gan层的综合热导率：
11、
12、其中，为对第一测试结构进行测试时金属测试电极的温升，为对第二测试结构进行测试时金属测试电极的温升，为第一测试结构表面的金属测试电极的电阻，为对第一测试结构进行测试时驱动电流的峰值数值，为金属测试电极的宽度，为gan层的厚度，为gan层的综合热导率，
13、根据gan层的综合热导率，如下计算得到gan层的结构热阻：
14、，
15、其中，为gan层的结构热阻；
16、步骤s5：基于gan器件的片内热阻、衬底层的体热阻、gan层的结构热阻，如下计算得到aln缓冲层的接触热阻：
17、
18、其中，为aln缓冲层的接触热阻。
19、本发明的另一个方面提供一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现上述的方法的步骤。
20、本发明的又一个方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
21、本发明的又一个方面提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
22、根据本发明上述方面的gan器件近结区热阻的测试方法、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，能够高效地获取gan器件近结区片内热阻、衬底层的体热阻，gan层的结构热阻、aln缓冲层的接触热阻，从而得到gan器件近结区的不同材料层的热阻。
1.一种gan器件近结区热阻测试方法，其特征在于，包括：
2.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1所述的方法的步骤。
3.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1所述的方法的步骤。
4.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1所述的方法的步骤。
