本发明涉及半导体制造，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
背景技术：
1、集成电路工作时，所有器件工作在一个面积非常小的硅衬底上，不同器件工作电压不同，且易相互干扰，需要采用隔离技术进行隔离。现有的隔离技术有locos（localoxidation of silicon，硅局部氧化隔离）工艺与sti（shallow trench isolation，浅沟槽隔离）工艺。
2、为了提高器件的击穿电压，常用的方法是通过微调器件结构，增加场板结构，从而调节器件在表面的电场分布。现有技术中，通常采用locos工艺生长的fox（场氧化层）作为场板，改善ldmos（lateral double-diffused mosfet，横向双扩散mos器件）的击穿（breakdown）电压。
3、然而，在制作sti与场板的整个流程中，涉及多道刻蚀、炉管、洗净等制程，工艺流程长，耗时多，成本高，并且在locos鸟嘴位置电势线较为密集，容易击穿，降低了器件的可靠性。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，在缩减工艺流程的同时提高了器件性能。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：
3、提供衬底，在所述衬底上依次形成氧化层与氮化层；
4、依次刻蚀所述氮化层、所述氧化层以及部分厚度的所述衬底，形成沟槽；
5、填充介质材料在所述沟槽内形成浅沟槽隔离结构；以及
6、对所述氮化层进行图形化处理形成场板。
7、可选的，对所述氮化层进行图形化处理形成场板的方法包括：
8、形成图形化的光刻胶层在所述氮化层上，所述图形化的光刻胶层覆盖预定形成场板的区域；
9、以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述氮化层至暴露出所述氧化层；以及
10、去除所述图形化的光刻胶层，剩余的所述氮化层作为场板。
11、可选的，采用湿法刻蚀工艺去除所述氮化层。
12、可选的，所述场板的截面呈长方形。
13、可选的，所述氧化层的材料为氧化硅，所述氮化层的材料为氮化硅。
14、可选的，采用干法刻蚀工艺形成所述沟槽。
15、可选的，采用hdp工艺在所述沟槽内填充介质材料。
16、可选的，在形成所述沟槽之后，在填充介质材料在所述沟槽内之前，所述制作方法还包括：采用热氧化工艺在所述沟槽的侧壁及底部形成氧化硅层。
17、可选的，形成所述场板之后，所述制作方法还包括：形成栅极，所述栅极覆盖部分所述场板以及部分所述氧化层。
18、相应的，本发明还提供一种半导体器件，采用如上所述的半导体器件的制作方法制作而成。
19、综上所述，本发明提供的半导体器件及其制作方法中，首先提供衬底，在衬底上依次形成氧化层与氮化层，然后依次刻蚀所述氮化层、所述氧化层以及部分厚度的所述衬底形成沟槽，接着填充介质材料在所述沟槽内形成浅沟槽隔离结构，之后对所述氮化层进行图形化处理形成场板。本发明意想不到的效果是：在形成浅沟槽隔离结构之后，并无需去除氮化层，直接对氮化层进行图形化处理形成场板，与现有技术中形成浅沟槽隔离结构之后去除氮化层与氧化层，然后再进行locos工艺形成场板相比，本发明减少了两道洗净制程、三道炉管制程以及一道刻蚀制程，缩减了工艺流程，减低了制作成本，有效提高了生产效率。
20、同时，本发明场板位于衬底上方，电流可直接从漏极流向源极，不会被场板阻挡，可降低导通电阻。另外，所述场板的形状规则，无鸟嘴结构，可以减少鸟嘴处的峰值电场，使得电场线分布均匀，不易击穿，从而最终提高器件的性能。
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对所述氮化层进行图形化处理形成场板的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述氮化层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述场板的截面呈长方形。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅，所述氮化层的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述沟槽。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用hdp工艺在所述沟槽内填充介质材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述沟槽之后，在填充介质材料在所述沟槽内之前，所述制作方法还包括：采用热氧化工艺在所述沟槽的侧壁及底部形成氧化硅层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述场板之后，所述制作方法还包括：形成栅极，所述栅极覆盖部分所述场板以及部分所述氧化层。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1~9中任一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。
