本申请涉及半导体，特别是涉及载具和沉积设备。
背景技术：
1、在半导体领域中，整片的基片可以通过切割形成半片或者多个小片基片。切割后的表面存在严重的表面缺陷，需要进行表面处理，减少切割面的电荷复合。相关技术中，通过对堆叠的基片进行加热然后镀膜钝化的方式改善切割后的表面缺陷。但是相关的设备是针对整个基片进行加热，切割的表面如果需要加热到工艺温度，需要很长的预热和热传导过程。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供载具和沉积设备，能够方便地对需要镀膜的表面进行加热镀膜。
2、第一方面，本申请实施例提供一种载具。载具包括载具主体、加热板和载片舟。载具主体具有安装腔。加热板安装于载具主体。载片舟可拆卸放置于安装腔内。载片舟具有用于容置基片的容置腔，载片舟用于将基片的至少一面遮掩。其中，加热板与载片舟的其中一面相对且间隔设置，加热板与载片舟之间形成有气流通道；载具主体具有进气口和出气口，气流通道连通进气口和出气口。
3、可选地，载片舟的至少一侧敞口设置，用于供基片的至少一面暴露；
4、载片舟至少一个具有敞口的侧面与加热板对应设置，以形成气流通道；
5、或者，载片舟具有敞口的多个侧面与加热板一一对应设置，以形成多个气流通道，气流通道并联或串联。
6、可选地，载片舟具有一端开口的容置腔，容置腔用于容置基片，载片舟内的基片堆叠设置，并且堆叠设置的基片中待镀膜的侧面自开口暴露于气流通道，堆叠设置的基片的其他面由载片舟遮掩。
7、可选地，载具主体包括底板和挡块，至少两个挡块在底板上的两侧相对设置；挡块和底板围设形成安装腔；加热板安装于底板上，加热板与两侧的挡块之间间隔分别形成进气口和出气口。
8、可选地，进气口、气流通道和出气口设置于同一轴线上，载片舟面对加热板的侧面裸露于气流通道中，载片舟的其他侧面由载具主体遮挡。
9、可选地，载片舟、加热板以及进气口、气流通道和出气口构成一个工艺单元，载具在气流通道的延伸方向上或者垂直于气流通道的延伸方向上排列有多个工艺单元。
10、可选地，相邻的两个工艺单元，共用同一个加热板，工艺单元以加热板为轴线对称设置。
11、可选地，载具主体与加热板对应的部分间隔设置有至少两个电极馈入部，两个电极馈入部与加热板电连接。
12、可选地，进气口和出气口设置有匀流板。
13、可选地，载片舟在安装腔内设置有多个，载片舟与加热板构成多个气流通道，气流通道串联和/或并联。
14、第二方面，本申请实施例提供一种沉积设备。沉积设备包括设备主体、门体和前述的载具。设备主体和门体围设形成有工艺腔体；载具可拆卸地放置于工艺腔体内，沉积设备包括进气通道和出气通道，进气通道与进气口对应设置，出气通道与出气口对应设置。
15、可选地，门体设置有喷淋阵列，喷淋阵列与进气口对应设置，设备主体设置有导流通道，门体与设备主体闭合配合时，导流通道连通喷淋阵列，导流通道与喷淋阵列构成进气通道。
16、可选地，门体朝向设备主体形成有凸台，喷淋阵列设置于凸台。
17、可选地，载具中载具主体与加热板对应的部分间隔设置有至少两个电极馈入部，两个电极馈入部与加热板电连接；
18、工艺腔体内间隔排列设置有电极，电极与电极馈入部对应设置；
19、其中，电极馈入部和电极在门体朝向设备主体的方向上间隔设置；电极用于向载具馈入电流。
20、可选地，载具在工艺腔体内设置有多个，相邻载具中的气流通道串联和/或并联。
21、本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，载具能够可拆卸的放置到沉积设备中进行薄膜的沉积，沉积设备能够向载具馈入电流以及能够通过载具的进气口和出气口通入工艺气体。通过设置加热板与载片舟的其中一面相对且间隔设置，一方面，能够使加热板对载片舟的其中一面进行集中加热，从而使基片需要镀膜的侧面能够被集中加热，进而减少了需要预热和热传导的时间；另一方面，加热板与载片舟之间间隔形成的气流通道能够供工艺气体流过，从而能够使载片舟面对加热板的侧面能够与工艺气体接触，以使基片需要镀膜的表面能够与工艺气体相互作用，起到镀膜钝化的效果。
1.一种载具，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的载具，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的载具，其特征在于：
10.根据权利要1-9任一项所述的载具，其特征在于：
11.一种沉积设备，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的沉积设备，其特征在于：
13.根据权利要求12所述的沉积设备，其特征在于：
14.根据权利要求11所述的沉积设备，其特征在于：
15.根据权利要求11-14任一项所述的沉积设备，其特征在于：
