本申请涉及半导体，具体涉及一种提升器件可靠性的方法。
背景技术：
1、在高k金属栅工艺中，常用氮化钽(tan)作为刻蚀阻挡金属层，氮化钛(tin)作为pmos功函数金属层，nmos功函数金属层tial生长在它们之上。
2、tan/tin金属层易被氧化，而氧化后的tan/tin对于器件的稳定性会造成不利的效果。对于tin，ti-n中的n会因为氧化被o原子替代，形成tio、tion，而tio、tion对于功函数调节能力相较于tin差很多。对于tan，由于ta-n中被氧化部分形成ta-o，而tao的抗刻蚀能力比tan差很多，因此无法很好的保护高k介质层，对电性的稳定造成损失。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种提升器件可靠性的方法，用于解决现有技术中tan/tin金属层易被氧化导致器件稳定性变差的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种提升器件可靠性的方法，包括：
3、步骤一，提供一衬底，衬底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有沟槽，在沟槽的侧壁和底部依次形成高k介质层和盖帽层；
4、步骤二，在盖帽层上依次形成阻挡层和pmos功函数金属层，而后去除位于nmos区域的pmos功函数金属层；
5、步骤三，使用氢气还原阻挡层和pmos功函数金属层表面形成的氧化层；
6、步骤四，使用氨气氮化阻挡层和pmos功函数金属层的表面；
7、步骤五，依次形成nmos功函数金属层和金属栅极，填满沟槽。
8、优选的，步骤三中氢气还原的工艺条件为：包括但不限于使用等离子体轰击或者纯化学还原，温度为200℃～450℃。
9、优选的，步骤四中氨气氮化的工艺条件为：采用化学气相反应，流量为5slm～25slm，温度为320℃～800℃。
10、优选的，采用化学气相沉积工艺形成层间介质层和高k介质层。
11、优选的，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成盖帽层。
12、优选的，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成阻挡层。
13、优选的，阻挡层的材料包括氮化钽。
14、优选的，采用原子层沉积工艺形成pmos功函数金属层。
15、优选的，pmos功函数金属层的材料包括氮化钛。
16、优选的，采用物理磁控溅射工艺或原子层沉积工艺形成nmos功函数金属层。
17、如上所述，本申请提供的提升器件可靠性的方法，具有以下有益效果：在形成nmos功函数金属层之前，增加氢气(h2)还原和氨气(nh3)氮化的预处理工序，增加阻挡层抗刻蚀能力的同时盖上pmos功函数金属层的功函数调节效果，从而提升器件可靠性。
1.一种提升器件可靠性的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤三中氢气还原的工艺条件为：包括但不限于使用等离子体轰击或者纯化学还原，温度为200℃～450℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤四中氨气氮化的工艺条件为：采用化学气相反应，流量为5slm～25slm，温度为320℃～800℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述层间介质层和所述高k介质层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述盖帽层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述阻挡层。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化钽。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述pmos功函数金属层。
9.根据权利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述pmos功函数金属层的材料包括氮化钛。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理磁控溅射工艺或原子层沉积工艺形成所述nmos功函数金属层。
