本申请涉及面板级封装领域，特别是涉及面板级封装基板方法、装置及降低翘曲方法。
背景技术：
1、封装通常是集成电路制造的一个后期步骤，chiplet级的封装是芯粒或称小芯片封装，封装可以保护chiplet级封装的内部的一个或多个裸片，且设有与外界连接的引脚。
2、将系统芯片（system on chip，soc）分解为多个具有特定功能的小型芯片或模块，这些模块被称为chiplet，即芯粒或称为小芯片。chiplet可以独立设计和制造，然后通过封装技术重新组合在一起，形成一个完整的系统。半导体封装技术一直在不断发展，逐渐从2d封装发展到2.5d封装，现已进入到3d封装。
3、简单地说，2.5d封装是把多块芯片安装在同一块硅中介层上，再把硅中介层安装到 pcb基板上，然后再把它们整体封装到一起，形成一块完整的集成芯片。3d封装是在2.5d封装的基础上进一步去掉硅中介层，直接把每块芯片堆叠到一起，以缩短传输路径和减小体积。
4、chiplet级的封装的载体的材料主要包括有机物基板、硅基板、玻璃基板。若以载体的形式来分类，chiplet级的封装包括晶圆级封装（wafer level package，wlp）和面板级封装（panel level package，plp）。面板级封装的优势主要在于成本，作为示例，将300mm晶圆级封装与515×510mm面板级封装相比，面板级封装芯片的占用面积比亦即面积使用率约为93%，而晶圆级封装芯片的占用面积比则约为64%。这就直接导致生产过程中生产成本及生产速率uph的巨大差异。
5、传统扇出晶圆级封装（fan-out wafer level package，fowlp）技术的面积使用率不到85%，作为对比扇出面板级封装（fan-out panel level package，foplp）的面积使用率则超过93%，这样可以放置更多的芯片，因此有利于降低生产成本。作为示例，推算晶圆级封装从200mm过渡到300mm，大约能节省25%的成本，而从300mm的晶圆级封装过渡到面板级封装，则能节约66%的成本，亦即面板级封装的成本与晶圆级封装的成本相比，降低了66%。因此面板级封装替代晶圆级封装是必然的。
6、扇出（fan-out）是相对于扇入（fan-in）而言的，扇入型封装的导线重新分布层（rdl，redistribution layer）线路和引脚都在被封装芯片的投影面积之内，而扇出型封装的rdl线路和引脚不仅在芯片所处的投影面积之内，而且在投影面积的外围也有分布。亦即扇入型封装直接在原硅片上完成，是在原芯片尺寸内部将所需要的i/o排列完成，封装尺寸基本等于芯片尺寸；作为对比，扇出型封装制程与扇入型基本一致，但不同之处在于并不是在原始硅片上做，而是将芯片切割下来，然后重组晶圆，这样做的目的是制造扇出区的空间，因此扇出型封装可以实现更多的i/o。
7、但是foplp尚处于早期发展阶段，由于是面板级封装，因此随着面板越来越大，不可避免地存在翘曲和芯片移位问题。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种面板级封装基板方法、装置及降低翘曲方法。
2、在一个实施例中，一种降低翘曲方法，其应用于面板级封装基板中；所述降低翘曲方法包括步骤：
3、s10，提供母基板；
4、s20，切割所述母基板，得到子基板；
5、s30，提供压板，所述压板设有开口；
6、s40，所述压板设置于制程腔体中，且位于基片台上；
7、s50，所述子基板进入所述制程腔体中，放置于所述基片台上；
8、s60，所述压板压接所述子基板的边缘，且通过所述开口露出所述子基板。
9、上述降低翘曲方法，应用于面板级封装基板中，通过压板配合基片台的设计，克服了面板级封装基板所存在的翘曲问题，尤其适合面板越来越大的面板级封装需求；相对于晶圆级封装，有利于增加产能，进一步提高面积使用率；而相对于传统面板级封装，面板的尺寸越大，本申请各实施例对于翘曲降低的幅度越大，从而使面板级封装走向更大尺寸。
10、在其中一个实施例中，步骤s20中，根据子基板的封装规格切割所述母基板；或者，
11、步骤s30中，根据所述子基板的规格设置所述开口。
12、在其中一个实施例中，步骤s30中，还提供载板，所述载板设有用于承载所述子基板的承载区；并且，
13、步骤s50包括：
14、s51，将所述子基板放在所述载板上，且所述子基板至少部分位于所述承载区中；
15、s52，承载有所述子基板的所述载板进入所述制程腔体中，放置于所述基片台上。
16、在其中一个实施例中，步骤s20中，以预设切割方式切割所述母基板，得到规格相同的所述子基板；
17、步骤s30中，所述载板设有矩阵分布的所述承载区，每一所述承载区上承载一所述子基板；并且，所述压板设有矩阵分布的所述开口，每一所述开口露出一所述子基板。
18、在其中一个实施例中，步骤s30中，所述压板与所述载板成套设置；或者，
19、步骤s60中，所述压板与所述载板共同夹持固定各所述子基板。
20、在其中一个实施例中，步骤s60中，上升所述基片台或下降所述压板，以使所述压板压接所述子基板的边缘。
21、在其中一个实施例中，一种面板级封装基板方法，其包括任一实施例所述降低翘曲方法。
22、在其中一个实施例中，所述面板级封装基板方法还包括扇出型封装步骤。
23、在其中一个实施例中，一种面板级封装基板装置，其包括制程腔体及设置于所述制程腔体中的压板、载板、基片台；
24、所述载板设有用于承载子基板的承载区；
25、所述载板设置于所述基片台上；
26、所述压板位于所述基片台上，且设有开口；
27、其中，所述压板与所述基片台可移动设置，以使所述压板压接所述载板上的所述子基板，且通过所述开口露出所述子基板。
28、在其中一个实施例中，所述载板设有矩阵分布的所述承载区，所述压板设有矩阵分布的所述开口，各所述开口与各所述承载区一一对应设置；或者，所述压板与所述载板共同夹持固定各所述子基板。
1.一种降低翘曲方法，其特征在于，应用于面板级封装基板中；所述降低翘曲方法包括步骤：
2.根据权利要求1所述降低翘曲方法，其特征在于，步骤s20中，根据子基板的封装规格切割所述母基板；或者，
3.根据权利要求1所述降低翘曲方法，其特征在于，步骤s30中，还提供载板，所述载板设有用于承载所述子基板的承载区；并且，
4.根据权利要求3所述降低翘曲方法，其特征在于，步骤s20中，以预设切割方式切割所述母基板，得到规格相同的所述子基板；
5.根据权利要求4所述降低翘曲方法，其特征在于，步骤s30中，所述压板与所述载板成套设置；或者，
6.根据权利要求1至5中任一项所述降低翘曲方法，其特征在于，步骤s60中，上升所述基片台或下降所述压板，以使所述压板压接所述子基板的边缘。
7.一种面板级封装基板方法，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述降低翘曲方法。
8.根据权利要求7所述面板级封装基板方法，其特征在于，还包括扇出型封装步骤。
9.一种面板级封装基板装置，其特征在于，包括制程腔体及设置于所述制程腔体中的压板、载板、基片台；
10.根据权利要求9所述面板级封装基板装置，其特征在于，所述载板设有矩阵分布的所述承载区，所述压板设有矩阵分布的所述开口，各所述开口与各所述承载区一一对应设置；或者，所述压板与所述载板共同夹持固定各所述子基板。
