本发明涉及单晶硅制备，具体涉及一种低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒。
背景技术：
1、在半导体材料制备技术领域，单晶硅是一种重要的材料，广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。其中，12英寸单晶硅片是一种高性能的半导体元器件，它的尺寸是指其直径大小，通常为12英寸(约300毫米)。12英寸单晶硅片具有尺寸大，面积优，转换效率高等优势，其可以提高从硅片到电池片再到组件的生产效率，主要用于逻辑芯片、存储芯片等高性能芯片生产。单晶硅中的氧含量对其电学性能有着重要影响。较高的氧含量会导致杂质能级的形成，从而降低材料的载流子迁移率和电子迁移长度，影响芯片的性能。
2、现有技术中，如申请号为202311399324.2的中国发明具体公开了一种12寸超低氧晶棒拉制方法及单晶晶棒，通过在拉晶过程中，调节炉压，使得石英坩埚与硅熔体生成的sio挥发速率加快，再配合氩气流量将挥发的sio带走，减少单晶炉内的氧含量以降低氧进入晶棒的几率，进一步的调节晶棒、坩埚转速抑制坩埚内熔体的对流，以减少晶棒中的氧含量，使得晶棒中的氧含量降低。该专利虽然降低了晶棒中的氧含量，但晶棒的品质未能得到很好的提升。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明提供一种低氧高品质单晶硅的制备方法及单晶晶棒，以解决现有低氧单晶硅品质不高的技术问题。
2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种低氧高品质单晶硅的制备方法，包括以下步骤：
4、s1、在拉晶过程中，调节加热器上升至预定距离，使得加热器的发热区位于所述硅熔液的液面上方，以降低单晶硅的氧含量；
5、s2、在加热器上升的过程中，施加水平磁场，调节磁场中心位置与液面位置持平，并控制磁场强度保持不变，以抑制液面对流，使熔体温度分布均匀，提高单晶硅的品质。
6、优选地，在步骤s1中，所述预定距离为ncp+140mm~+160mm。
7、优选地，在步骤s2中，所述磁场强度为0.4t。
8、优选地，在拉晶过程中，调节液口距的位置并保持液口距不变。
9、优选地，所述液口距为45-55mm。
10、优选地，在拉晶过程中，向水冷套及炉筒中通入冷却水，以控制单晶硅生长速率，提高单晶硅的品质。
11、本发明还提供一种单晶晶棒，利用如上所述的低氧高品质单晶硅的制备方法进行拉制，得到晶棒。
12、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
13、本发明的低氧高品质单晶硅的制备方法，当拉制12英寸的晶棒时，在拉晶过程中，调节加热器上升至预定距离，使得加热器的发热区位于所述硅熔液的液面上方，以降低单晶硅的氧含量；在加热器上升的过程中，施加水平磁场，调节磁场中心位置与液面位置持平，并控制磁场强度保持不变，以抑制液面对流，使熔体温度分布均匀，提高单晶硅的品质，从而在降低单晶硅氧含量的同时保证单晶硅的品质。
1.一种低氧高品质单晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的低氧高品质单晶硅的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，所述预定距离为ncp+140mm~+160mm。
3.根据权利要求1所述的低氧高品质单晶硅的制备方法，其特征在于，在步骤s2中，所述磁场强度为0.4t。
4.根据权利要求1所述的低氧高品质单晶硅的制备方法，其特征在于，在拉晶过程中，调节液口距的位置并保持液口距不变。
5.根据权利要求4所述的低氧高品质单晶硅的制备方法，其特征在于，所述液口距为45-55mm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的低氧高品质单晶硅的制备方法，其特征在于，在拉晶过程中，向水冷套及炉筒中通入冷却水，以控制单晶硅生长速率，提高单晶硅的品质。
7.一种单晶晶棒，其特征在于：利用权利要求1-6任一项所述的低氧高品质单晶硅的制备方法进行拉制，得到晶棒。
