本发明涉及显示，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术：
1、微型发光二极管(micro led)技术由于其高对比度、低功耗、长寿命、宽色域、高动态范围和快速响应等优点在显示行业受到关注。量子点是一种可以发光的纳米级材料，在蓝光micro led或紫外光micro led激发下，发射出不同颜色的纯色光，达到全彩显示的需求。
2、micro led和量子点组合的全彩化显示技术，不仅可以减少巨量转移次数，还可解决红光micro led芯片发光效率低的问题。但是由于发光led本身发光不均匀，导致色转换后的显示面板存在显示不均匀的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供了一种显示面板及显示装置，增强非发光区的光的转换效率，提高非发光区出射的光强度，提高显示面板的显示均匀性。
2、第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：
3、背板上的发光层，所述发光层中设置有多个发光单元，所述发光单元包括发光区和非发光区；
4、与所述发光层层叠的光转换层，所述光转换层包括所述多个发光单元分别正对的量子点填充结构；所述多个发光单元中具有目标单元，所述目标单元正对的量子点填充结构作为目标填充结构；
5、所述目标填充结构包括与所述目标单元的非发光区正对的第一量子点填充结构，和与所述目标单元的发光区正对的第二量子点填充结构，所述第一量子点填充结构的单位面积所对应的柱状结构中的量子点数量大于所述第二量子点填充结构的单位面积所对应的柱状结构中的量子点数量，所述单位面积平行于所述光转换层的延伸平面。
6、可选的，所述第一量子点填充结构的量子点浓度大于所述第二量子点填充结构的量子点浓度。
7、可选的，所述第二量子点填充结构包括中心结构和边缘结构，所述中心结构的量子点浓度大于所述边缘结构的量子点浓度。
8、可选的，所述第一量子点填充结构的量子点浓度与所述第二量子点填充结构的量子点浓度的比值小于2。
9、可选的，所述第一量子点填充结构的厚度大于所述第二量子点填充结构的厚度。
10、可选的，所述第二量子点填充结构包括中心结构和边缘结构，所述中心结构的厚度大于所述边缘结构的厚度。
11、可选的，所述第一量子点填充结构和所述第二量子点填充结构的远离所述发光单元的一侧表面齐平，朝向所述发光单元的一侧表面呈阶梯状。
12、可选的，所述第一量子点填充结构的厚度和所述第二量子点填充结构的厚度的比值小于2。
13、可选的，所述目标单元的发光区和非发光区的在平行所述光转换层的延伸平面的平面内的投影面积总和，小于所述第一量子点填充结构和所述第二量子点填充结构在平行所述光转换层的延伸平面的平面内的投影面积总和。
14、可选的，所述发光单元包括第一半导体层，以及位于所述非发光区且位于所述第一半导体层的第一侧的第一电极，以及所述位于所述发光区且位于所述第一半导体层的第一侧的量子阱层、第二半导体层和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述量子阱层与所述第一半导体层连接，所述第二半导体层与所述量子阱层连接，且与所述第二电极连接。
15、可选的，所述光转换层包括量子点衬底，所述量子点衬底具有远离所述发光层的凹槽，所述量子点填充结构设置于所述凹槽中。
16、第二方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。
17、本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，显示面板包括背板上的发光层和与发光层层叠设置的光转换层，发光层中设置有多个发光单元，所述发光单元包括发光区和非发光区，光转换层包括多个发光单元分别正对的量子点填充结构，多个发光单元中具有目标单元，目标单元正对的量子点填充结构作为目标填充结构，目标填充结构包括与目标单元的非发光区正对的第一量子点填充结构，和与目标单元的发光区正对的第二量子点填充结构，第一量子点填充结构的单位面积所对应的柱状结构中的量子点数量大于第二量子点填充结构的单位面积所对应的柱状结构中的量子点数量，前述的单位面积平行于光转换层的延伸平面，量子点数量越多则对光的转换效率越高，也就是说，非发光区的光强相较于发光区的光强较弱，而通过光转换层的设置使非发光区的光经过更多的量子点实现更高效率的光转换，转换后的光的强度在一定程度上得到增强，从而减小非发光区和发光区对应的转换后的光强的差距，提高从光转换层出射的光的均匀性，即提高显示面板的显示均匀性。
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一量子点填充结构的量子点浓度大于所述第二量子点填充结构的量子点浓度。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二量子点填充结构包括中心结构和边缘结构，所述中心结构的量子点浓度大于所述边缘结构的量子点浓度。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一量子点填充结构的量子点浓度与所述第二量子点填充结构的量子点浓度的比值小于2。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一量子点填充结构的厚度大于所述第二量子点填充结构的厚度。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二量子点填充结构包括中心结构和边缘结构，所述中心结构的厚度大于所述边缘结构的厚度。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一量子点填充结构和所述第二量子点填充结构的远离所述发光单元的一侧表面齐平，朝向所述发光单元的一侧表面呈阶梯状。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一量子点填充结构的厚度和所述第二量子点填充结构的厚度的比值小于2。
9.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述目标单元的发光区和非发光区的在平行所述光转换层的延伸平面的平面内的投影面积总和，小于所述第一量子点填充结构和所述第二量子点填充结构在平行所述光转换层的延伸平面的平面内的投影面积总和。
10.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元包括第一半导体层，以及位于所述非发光区且位于所述第一半导体层的第一侧的第一电极，以及所述位于所述发光区且位于所述第一半导体层的第一侧的量子阱层、第二半导体层和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述量子阱层与所述第一半导体层连接，所述第二半导体层与所述量子阱层连接，且与所述第二电极连接。
11.根据权利要求1-8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述光转换层包括量子点衬底，所述量子点衬底具有远离所述发光层的凹槽，所述量子点填充结构设置于所述凹槽中。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的显示面板。
