本发明涉及表面安装型的片式电阻器。
背景技术：
1、通常，片式电阻器主要由如下构件构成：长方体形状的绝缘基板；一对表面电极，其在绝缘基板的表面隔开规定间隔地相向配置；电阻体，其将成对的表面电极相互桥接；绝缘性的保护膜，其覆盖电阻体；一对背面电极，其在绝缘基板的背面隔开规定间隔地相向配置；一对端面电极，其将表面电极与背面电极导通；以及覆盖这些各电极的一对外部镀层等。
2、在这种片式电阻器中，通常构成为在表面电极中使用电阻率低的ag(银)系的金属材料，并以覆盖该表面电极的方式形成了外部镀层，但腐蚀性强的硫化气体等容易从作为外部镀层与保护膜的边界部分的间隙侵入，因此存在表面电极与保护膜的边界位置处的表面电极部分被硫化气体等腐蚀而导致电阻值变化、断线等不良情况的风险。
3、以往，如专利文献1所公开的，提出了一种通过与表面电极和保护膜两者连接的方式形成由导电性的树脂材料形成的保护电极，以与保护膜不接触的方式在表面电极和保护电极上形成端面电极，并且以超过保护电极与端面电极的边界位置而覆盖至保护膜的端部的方式形成外部镀层，由此谋求耐硫化性提高的片式电阻器。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：国际公开第2018/123419号。
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、在专利文献1所公开的片式电阻器中，通过由绝缘性的树脂材料形成的保护膜覆盖电阻体，以与该保护膜的端部上表面接触的方式形成保护电极，由此保护电极与保护膜以紧密贴合的方式构成。然而，通常，为了确保对电阻体所产生的热的耐热性以及机械强度，在保护膜的树脂材料中含有sio2等无机填料，另一方面，为了确保导电性，在保护电极的树脂材料中含有金属颗粒，因此这些无机填料和金属颗粒损害了保护电极与保护膜的紧密贴合性。其结果，热循环等产生的热应力导致在保护电极与保护膜的界面形成间隙，存在硫化气体从该部分进入的风险。
3、本发明鉴于上述的现有技术的实际情况而完成，其目的在于，提供一种耐腐蚀性优异的片式电阻器。
4、用于解决问题的方案
5、为了实现上述目的，本发明的片式电阻器的特征在于，具有：长方体形状的绝缘基板；一对表面电极，其设置在所述绝缘基板的主面两端部；电阻体，其以两端部与一对所述表面电极重叠的方式设置；保护膜，其由树脂材料形成，以覆盖所述电阻体的方式设置；辅助膜，其由树脂材料形成，层叠在所述保护膜上；一对辅助电极层，其由含有导电性颗粒的树脂材料形成，层叠在所述表面电极上；一对端面电极，其至少在所述绝缘基板的两端面延伸，与所述辅助电极层导通；以及外部镀层，其覆盖所述辅助电极层和所述端面电极，所述辅助电极层形成至覆盖所述辅助膜的端部表面的位置，所述保护膜比所述辅助膜含有更多的无机填料。
6、在这样构成的片式电阻器中，由含有导电性颗粒的树脂材料形成的辅助电极层层叠在表面电极上，并且该辅助电极层与层叠在保护膜上的辅助膜的端部上表面接触，由树脂材料形成的保护膜比辅助膜含有更多的无机填料，因此辅助膜的树脂成分相对增加，辅助电极层与辅助膜的紧密贴合性提高。由此，即使因热循环等产生热应力，也会抑制热应力导致的辅助电极层从辅助膜剥离，因此硫化气体难以从辅助电极层与辅助膜的界面侵入内部，能够防止表面电极被硫化气体腐蚀。
7、在上述的结构中，在电阻体形成电阻值调整用的调整槽的情况下，优选还具有玻璃层，其覆盖包括表面电极与电阻体的连接部分的该电阻体的整体，将保护膜层叠在该玻璃层上。
8、此外，在上述的结构中，辅助膜的树脂材料所含有的无机填料比保护膜少即可，但是当辅助膜的树脂材料所含有的无机填料的含量为零或10wt％以下时，辅助膜的树脂成分大幅增加，因此能够有效地提高辅助电极层与辅助膜的紧密贴合性。
9、此外，在上述的结构中，保护膜与辅助膜也可以使用不同种类的树脂材料，但是当上述保护膜与辅助膜由同类的树脂材料形成时，辅助电极层与辅助膜的紧密贴合性进一步提高。
10、此外，在上述的结构中，当将沿着绝缘基板的短边方向的长度设为宽度尺寸时，辅助电极层的宽度尺寸设定为比表面电极的宽度尺寸宽且比辅助膜的宽度尺寸窄时，容易形成有镀覆材料的辅助电极层配置在比绝缘基板的长边侧端面更靠内侧区域，因此镀覆材料在绝缘基板的长边侧端面也形成为与其他部位同样的膜厚。其结果，不会产生成为外部镀层剥离的主要原因的膜厚的局部增大，因此能够防止外部镀层的剥离。
11、此外，在上述的结构中，辅助膜也可以不必覆盖保护膜的整个表面，但辅助膜的外形优选设定为比保护膜的外形大，当辅助膜以覆盖保护膜的整个表面的方式形成时，辅助电极层与辅助膜的紧密贴合性提高。
12、发明效果
13、根据本发明，能够提供一种防止辅助电极层剥离且耐腐蚀性优异的片式电阻器。
1.一种片式电阻器，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于，
