光学材料的制造方法与流程

专利2026-02-21  4


本发明涉及一种光学材料的制造方法。更具体而言,本发明涉及一种通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(芳香核氢化,日语:“核水素化”)实现的光学材料的制造方法。


背景技术:

1、近年来,以丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、苯乙烯系树脂、聚碳酸酯树脂、环状聚烯烃树脂为代表的聚合物用于各种用途,特别是由于其光学特性,作为光学透镜、光盘基板等光学材料的需求很多。这种光学材料不仅需要高透明性,而且需要高耐热性、低吸水性、机械性能等兼优的高性能。为了满足这些需求,一直在对聚合物进行各种改进,作为这类改进的一例,可以举出芳香族聚合物的氢化(芳香核氢化)。

2、例如,日本专利第5540703号(专利文献1)是涉及芳香族乙烯基化合物/(甲基)丙烯酸酯系共聚物的氢化的发明,日本特开2014-77044号(专利文献2)则涉及一种使用了无硫原料的芳香核氢化聚合物的制造方法。此外,日本专利第2890748号(专利文献3)涉及一种氢化苯乙烯系树脂的制造方法,日本特表2001-527095号(专利文献4)、特表2002-511501号(专利文献5)和特表2002-511508号(专利文献6)号公报涉及芳香族聚合物的氢化方法。日本专利第4224655号(专利文献7)和日本专利第5007688号(专利文献8)则涉及脂环烃系共聚物或含有脂环结构的聚合物,并记载了这些聚合物可以通过芳香族聚合物的氢化得到的内容。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本专利第5540703号公报

6、专利文献2:日本特开2014-77044号公报

7、专利文献3:日本专利第2890748号公报

8、专利文献4:日本特表2001-527095号公报

9、专利文献5:日本特表2002-511501号公报

10、专利文献6:日本特表2002-511508号公报

11、专利文献7:日本专利第4224655号公报

12、专利文献8:日本专利第5007688号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、但是,以往所用的苯乙烯芳香核氢化物和苯乙烯/异戊二烯等共聚物的芳香核氢化物的耐热性难言充分。此外,在芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(芳香核氢化)方法中,为了实现高芳香核氢化率需要进行长时间反应。

3、用于解决课题的技术方案

4、本发明人等经过深入研究后,结果发现:在利用芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(芳香核氢化)实现的光学材料的制造方法中,通过采用特定的混合溶剂作为反应所用的溶剂,提高了反应速度,从而完成了本发明。

5、即,本发明包括以下方面。

6、<1>一种光学材料的制造方法,通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化来形成光学材料,其中,

7、上述芳香族乙烯基化合物系聚合物包含第一单体单元和第二单体单元,

8、上述第一单体单元为源自芳香族乙烯基化合物的结构单元,

9、上述第二单体单元为源自共轭二烯化合物的结构单元,

10、上述方法包括使用上述芳香族乙烯基化合物系聚合物、溶剂和氢化催化剂进行氢化反应来得到氢化聚合物的步骤,

11、上述溶剂为包含至少一种第一溶剂和至少一种第二溶剂的混合溶剂,

12、上述第一溶剂是溶解氢化前的芳香族乙烯基化合物系聚合物的溶剂,

13、上述第二溶剂是溶解上述氢化聚合物的溶剂。

14、<2>根据<1>所述的光学材料的制造方法,其中,上述氢化催化剂为还原处理后的氢化催化剂。

15、<3>根据<1>或<2>所述的光学材料的制造方法,其中,上述至少一种的第一溶剂包含选自乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯和异丁酸甲酯中的一种以上。

16、<4>根据<1>~<3>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述至少一种的第二溶剂包含选自环己烷、c9~c10烷基环己烷、c7~c15单烷基环己烷、c8~c15二烷基环己烷、c9~c15三烷基环己烷、c10~c15四烷基环己烷、环辛烷、c9~c15单烷基环辛烷、c10~c15二烷基环辛烷、c11~c15三烷基环辛烷、c12~c15四烷基环辛烷、正辛烷和正癸烷中的一种以上。

17、<5>根据<1>~<4>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述第一溶剂的沸点在50℃以上且自燃点在400℃以上。

18、<6>根据<1>~<5>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述第二溶剂的沸点在80℃以上且自燃点在230℃以上。

19、<7>根据<1>~<6>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述第一单体选自苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、4-甲基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯和4-甲氧基苯乙烯。

20、<8>根据<1>~<7>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述第二单体选自丁二烯、环戊二烯和异戊二烯。

21、<9>根据<1>~<6>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述芳香族乙烯基化合物系聚合物选自苯乙烯与丁二烯的共聚物、苯乙烯与环戊二烯的共聚物和苯乙烯与异戊二烯的共聚物。

22、<10>根据<1>~<9>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,在上述芳香族乙烯基化合物系聚合物中,上述第一单体单元与上述第二单体单元的聚合比(mol%)在70∶30以上且低于100∶0。

23、<11>根据<1>~<10>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,包括在氢化反应后通过脱挥挤出来形成聚合物树脂的步骤。

24、<12>根据<1>~<11>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,在氢化反应与脱挥挤出之间还包括浓缩工序。

25、<13>根据<1>~<12>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述至少一种的第一溶剂与上述至少一种的第二溶剂的质量比(第一∶第二)为1∶9~9∶1。

26、<14>根据<1>~<13>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述氢化催化剂为载持有钯、铂、钌、铑或镍的固体催化剂。

27、<15>根据<1>~<14>中任一项所述的光学材料的制造方法,其中,上述光学材料为光学透镜。

28、发明效果

29、根据本发明的方法,在通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(芳香核氢化)实现的光学材料的制造方法中,提高了氢化反应的速度,因此能够实现高效制造。而且,通过缩短反应时间,能够减少分子量降低等对聚合物的损伤。通过本发明的方法,能够得到具有足够耐热性的光学材料。


技术特征:

1.一种光学材料的制造方法,其特征在于,

2.如权利要求1所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

3.如权利要求1或2所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

4.如权利要求1~3中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

5.如权利要求1~4中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

6.如权利要求1~5中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

7.如权利要求1~6中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

8.如权利要求1~7中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

9.如权利要求1~6中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

10.如权利要求1~9中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

11.如权利要求1~10中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

12.如权利要求1~11中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

13.如权利要求1~12中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

14.如权利要求1~13中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,

15.如权利要求1~14中任一项所述的光学材料的制造方法,其特征在于,


技术总结
本发明涉及一种能够以高芳香核氢化率得到具有足够的耐热性的光学材料的光学材料的制造方法,其通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(芳香核氢化)实现光学材料的制造。更具体而言,本发明涉及一种通过将芳香族乙烯基化合物系聚合物的芳香环氢化(芳香核氢化)来进行的光学材料的制造方法,其特征在于,使用了包含至少一种第一溶剂和至少一种第二溶剂的混合溶剂。

技术研发人员:佐藤英之,荒井启克,中村裕介,松下海琉,加藤宣之
受保护的技术使用者:三菱瓦斯化学株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/12/17
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