本发明涉及一种半导体元件的制造方法。
背景技术：
1、在专利文献1中公开有一种扇出型半导体元件的一例。在该半导体元件中，在半导体芯片与外部连接端子之间设置再配线层，通过再配线层展开半导体芯片的端子间隔而与外部连接端子连接。
2、以往技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-029557号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术课题
2、在以往半导体元件的制造方法中，例如，如图5的(a)所示，用临时固定材料112将多个半导体芯片110临时固定在玻璃载体120上，用密封材料130进行密封。并且，研磨密封材料130直至半导体芯片110的连接端子露出，在其上形成再配线层140(参考图5的(b))。然而，在该半导体元件的制造方法中，半导体芯片110通过临时固定材料112临时固定于载体120，因此在用模具成型机成形密封材料130时，会有在其压力下半导体芯片110从原始的设置位置移动而发生所谓芯片位移(die shift)s1的情形。在发生芯片位移的情况下，为了之后的工序(例如曝光工序)而需要单独的对准操作。
3、并且，在玻璃载体120与密封材料130之间夹有临时固定材料112的外周部s2被暴露，因此会有因所使用的药水的影响而受到损坏的情形。由此，在制程中途也存在玻璃载体120和密封材料130被剥离的倾向。此外，如图5的(b)所示，在从密封材料130剥离临时固定材料112时，会有因剥离时的力而在半导体芯片110与密封材料130之间产生裂纹的情形。会有临时固定材料112的树脂的残渣残留在密封材料130或半导体芯片110的表面(s3)，或者在进行制程的过程中在玻璃载体120上产生微裂纹s4、或者在微裂纹s4中混入在制程中使用的金属s5的情形。
4、本发明的目的在于提供一种能够抑制半导体芯片的位置偏移的同时容易提高芯片表面的清洁度的半导体元件的制造方法。
5、用于解决技术课题的手段
6、作为本发明的一个方面，涉及一种半导体元件的制造方法。该制造方法包括如下工序：准备层叠体，所述层叠体为多个半导体芯片中的每一个通过黏合剂层固定在载体上而成的层叠体，其中，多个半导体芯片的各连接端子以朝向与载体为相反侧的方式固定在载体的第1载体面；形成与多个半导体芯片的各连接端子连接的再配线层；及从与第1载体面为相反侧的第2载体面朝向第1载体面研削层叠体中的载体。在研削工序中，刮取载体及黏合剂层而露出与多个半导体芯片的设置有再配线层的第1芯片面为相反侧的第2芯片面。
7、在该半导体元件的制造方法中，多个半导体芯片通过黏合剂层固定在载体上。如此，半导体芯片用进行正式固定而不是临时固定的黏合剂层固定于载体。在该情况下，可确实地抑制半导体芯片的位置偏移。并且，在该半导体元件的制造方法中，在研削工序中，以使刮取载体而露出与多个半导体芯片的设置有再配线层的第1芯片面为相反侧的第2芯片面。在该情况下，刮取载体，因此不会残留树脂的残渣等，能够提高芯片表面的清洁度。
8、在上述半导体元件的制造方法中，黏合剂层为固化热固性黏合剂而成的层，可以与多个半导体芯片中的每一个对应而设置。在该情况下，在研削载体的工序中能够容易研削黏合剂层。
9、在上述半导体元件的制造方法中，黏合剂层的厚度优选为50μm以下。在该情况下，在研削载体的工序中能够容易研削黏合剂层。另外，黏合剂层的厚度进一步优选为20μm以下。在该情况下，能够更容易研削黏合剂层。
10、在上述半导体元件的制造方法中，黏合剂层含有固化性树脂成分及无机填料，以黏合剂层固化前的黏合剂的总量为基准，无机填料的含量优选为50质量％～95质量％。在该情况下，在研削载体的工序中能够容易研削黏合剂层。另外，以黏合剂层固化前的黏合剂的总量为基准，无机填料的含量进一步优选为80质量％～95质量％。在该情况下，在研削载体的工序中能够更容易研削黏合剂层。
11、在上述半导体元件的制造方法中，准备层叠体的工序可以包括如下工序：用黏合剂层将多个半导体芯片中的每一个固定于载体；及以覆盖载体上的多个半导体芯片的方式用密封材料进行密封来形成密封材料层。在该方式下，密封材料含有固化性树脂成分及无机填料，以密封材料的总量为基准，密封材料中的无机填料的含量可以为50质量％以上，优选为80质量％以上。在该情况下，能够确实地进行密封材料层的研削。
12、在上述半导体元件的制造方法中，准备层叠体的工序可以进一步包括如下工序：在密封工序之后，研削覆盖多个半导体芯片的密封材料层，直至多个半导体芯片的第1芯片面露出。
13、在上述半导体元件的制造方法中，研削载体的工序优选包括如下工序：用第1磨石粗研削载体的第2载体面；及用粒度比第1磨石高的第2磨石精加工研削经粗研削的载体。在该情况下，能够通过粗研削提高载体的研削速度，并且能够通过精加工研削提高经研削的表面的精加工。在该方式下，第1磨石为﹟200～﹟1000的粒度的磨石，第2磨石可以为﹟2000～﹟6000的粒度的磨石。由此，能够更确实地进行研削速度的提高及研削面的精加工精度的提高。在该方式下，在粗研削工序中，可以利用第1磨石刮取载体及黏合剂层的至少一部分，在精加工研削工序中，可以利用第2磨石研磨密封材料层及半导体芯片的第2芯片面。由此，能够更确实地进行研削速度的提高及研削面的精加工精度的提高。
14、在上述半导体元件的制造方法中，载体为硅载体，研削工序还可以包括为了再利用经研削的硅泥(硅屑)而回收的工序。在该情况下，能够再利用所使用的硅，能够成为环保的制造方法。例如，根据该制造方法，能够从经研削的硅泥去除杂质，能够用作再生硅。
15、发明效果
16、根据本发明，能够提供一种能够抑制半导体芯片的位置偏移的同时容易提高芯片表面的清洁度的半导体元件的制造方法。
1.一种半导体元件的制造方法，其包括如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其中，
9.根据权利要求7或8所述的半导体元件的制造方法，其中，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，
11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中，
12.根据权利要求10或11所述的半导体元件的制造方法，其中，
13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，
