本申请涉及衬底加工领域，特别是涉及一种衬底支撑装置及其制备方法。
背景技术：
1、在半导体、微电子及mems(micro-electro-mechanical systems，微机电系统)等领域，不论是如光刻设备和刻蚀设备等的加工设备，还是流转设备，都需要有专用的衬底载具来承载衬底。
2、衬底载具为衬底提供了稳定的支撑和固定，防止其在加工过程中发生移动或变形，从而保证加工的精度和一致性。并且，为了确保衬底上的图案或器件能够准确无误地与加工设备上的相应部分对准，衬底载具通常配备有精密的定位和对准系统。由于定位和对准系统只能对相应尺寸的衬底进行定位和对准，因此，将尺寸不匹配的衬底放置在载具上则无法实现定位和对准，所以导致现有的加工设备无法用于加工其他尺寸的衬底。
技术实现思路
1、为了解决以上技术问题，本申请实施例提供一种衬底支撑装置及其制备方法。
2、第一方面，本申请实施例提供的衬底支撑装置，包括：支撑体、支撑凹部以及真空通道，所述支撑凹部形成于所述支撑体的上表面，所述支撑凹部用于将待加工衬底定位至所述支撑体上，所述支撑凹部具有相对于所述支撑体的上表面向下凹陷的底面，所述支撑凹部的底面开设有至少一条贯穿所述支撑体的所述真空通道，所述真空通道与抽真空系统相连，用于将所述待加工衬底固定于所述支撑凹部内。
3、在一些实施方式中，所述支撑体上形成有多个间隔设置的支撑凹部，所述支撑凹部与所述待加工衬底一一对应设置，每个所述支撑凹部用于将对应的所述待加工衬底定位至所述支撑体上。
4、在一些实施方式中，所述支撑凹部的底面开设有多个所述真空通道，多个所述真空通道间隔设置。
5、在一些实施方式中，所述支撑凹部的底面开设有一个所述真空通道，所述支撑凹部的底面还开设有真空槽部，所述真空槽部包括至少一个环形凹槽以及多个条形槽，所述环形凹槽与所述真空通道同轴设置，多个所述条形槽呈辐射状分布，用于连通所述环形凹槽和所述真空通道。
6、在一些实施方式中，所述真空槽部的深度为10μm-100μm。
7、在一些实施方式中，所述支撑凹部的底面为垂直于所述支撑凹部的轴线的平面。
8、第二方面，本申请实施例提供的衬底支撑装置的制备方法，包括：
9、在支撑体的上表面形成第一图案部，以使所述支撑体的上表面具有未被所述第一图案部遮蔽的第一区域，刻蚀所述第一区域形成支撑凹部；
10、在所述支撑凹部的底面形成贯穿所述支撑体的真空通道。
11、在一些实施方式中，在所述刻蚀所述第一区域形成支撑凹部之后，还包括：
12、在所述支撑凹部的底面形成真空槽部，所述真空槽部与所述真空通道连通。
13、在一些实施方式中，所述在所述支撑凹部的底面形成真空槽部包括：
14、去除所述第一图案部，在所述支撑体的上表面及所述支撑凹部内形成第二图案部，使所述支撑凹部具有未被所述第二图案部遮蔽的第二区域，刻蚀所述第二区域形成所述真空槽部。
15、在一些实施方式中，所述在所述支撑凹部的底面形成贯穿所述支撑体的真空通道，包括：
16、在所述支撑凹部的底面刻蚀或者激光打孔形成贯穿所述支撑体的真空通道。
17、对比现有技术，本申请实施例的有益特点为：该衬底支撑装置及其制备方法，衬底支撑装置包括支撑体、支撑凹部以及真空通道，支撑凹部形成于支撑体的上表面，支撑凹部用于将待加工衬底定位至支撑体上，支撑凹部具有相对于支撑体的上表面向下凹陷的底面，支撑凹部的底面开设有至少一条贯穿支撑体的真空通道，真空通道与抽真空系统相连，用于将待加工衬底固定于支撑凹部内，支撑体的尺寸与加工设备匹配的衬底的尺寸相同，可以将待加工衬底安装至支撑体上，然后将支撑体放置至加工设备的衬底载具上并定位、对准，无需针对待加工衬底定制专用加工设备，即可实现在现有的加工设备上加工待加工衬底，节约了生产成本，使得加工设备除了可以加工现有的尺寸相匹配的衬底之外，还可以加工其他尺寸的待加工衬底，提高了加工设备的兼容性和通用性，而且真空通道与抽真空系统相连将待加工衬底固定于衬底支撑装置内，可以避免待加工衬底在加工过程中发生移位，提高了加工精度。
1.一种衬底支撑装置，其特征在于，包括：支撑体、支撑凹部以及真空通道，所述支撑凹部形成于所述支撑体的上表面，所述支撑凹部用于将待加工衬底定位至所述支撑体上，所述支撑凹部具有相对于所述支撑体的上表面向下凹陷的底面，所述支撑凹部的底面开设有至少一条贯穿所述支撑体的所述真空通道，所述真空通道与抽真空系统相连，用于将所述待加工衬底固定于所述支撑凹部内。
2.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述支撑体上形成有多个间隔设置的支撑凹部，所述支撑凹部与所述待加工衬底一一对应设置，每个所述支撑凹部用于将对应的所述待加工衬底定位至所述支撑体上。
3.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述支撑凹部的底面开设有多个所述真空通道，多个所述真空通道间隔设置。
4.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述支撑凹部的底面开设有一个所述真空通道，所述支撑凹部的底面还开设有真空槽部，所述真空槽部包括至少一个环形凹槽以及多个条形槽，所述环形凹槽与所述真空通道同轴设置，多个所述条形槽呈辐射状分布，用于连通所述环形凹槽和所述真空通道。
5.如权利要求4所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述真空槽部的深度为10μm-100μm。
6.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述支撑凹部的底面为垂直于所述支撑凹部的轴线的平面。
7.一种衬底支撑装置的制备方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的衬底支撑装置的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀所述第一区域形成支撑凹部之后，还包括：
9.如权利要求8所述的衬底支撑装置的制备方法，其特征在于，所述在所述支撑凹部的底面形成真空槽部包括：
10.如权利要求7所述的衬底支撑装置的制备方法，其特征在于，所述在所述支撑凹部的底面形成贯穿所述支撑体的真空通道，包括：
