本发明涉及静态随机存取存储器，具体涉及一种写噪声容限的测量方法、装置、存储介质及设备。
背景技术：
1、静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)是计算机系统中常用的存储设备，只要保持通电，里面的数据就可以一直保持。
2、静态噪声容限(static noise margin，snm)是sram存储单元所能承受的最大直流噪声信号，若sram存储单元在工作状态下的噪声波动超过这个值，存储节点的状态会发生错误翻转。因此，snm是衡量sram存储单元抗干扰能力的重要参数，静态噪声容限越大，sram越稳定。
3、实际应用中，按照sram存储单元的状态，snm静态噪声容限可以分为保持噪声容限、读噪声容限、写噪声容限。其中，保持噪声容限指的是sram存储单元处于保持状态下的噪声容限。读噪声容限指的是sram存储单元处于读状态下的噪声容限。写噪声容限指的是sram存储单元处于写状态下的噪声容限。
4、然而，现有写噪声容限的测量方法，所得到的写噪声容限误差较大，影响对sram存储单元抗干扰能力的评估。
技术实现思路
1、本发明要解决的问题是：提高测量效率以及提高写噪声容限的准确性。
2、为解决上述问题，本发明实施例提供了一种写噪声容限的测量方法，所述方法包括：
3、获取反映待测sram存储单元中反相器特征的写蝴蝶曲线，所述写蝴蝶曲线包括第一曲线以及第二曲线；
4、遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的所有内接正方形的边长集合；
5、将所述所有内接正方形的边长集合中最大边长，作为写噪声容限。
6、在一种可能的实施例中，所述遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的所有内接正方形的边长集合，包括：
7、遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的正方形集合；
8、判断各正方形是否为内接正方形；
9、计算所有内接正方形的边长，形成所有内接正方形的边长集合。
10、在一种可能的实施例中，所述遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的正方形集合，包括：
11、计算以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点正方形的其余两点坐标，得到所有正方形集合。
12、在一种可能的实施例中，所述判断各正方形是否为内接正方形，包括：
13、判断所述正方形是否完全位于所述蝴蝶曲线的蝶形区域内；
14、当所述正方形完全位于所述蝴蝶曲线的蝶形区域内时，判定所述正方形为内接正方形，否则非内接正方形。
15、在一种可能的实施例中，以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的正方形，是通过在所述第一曲线及第二曲线上随机取点所得到的。
16、在一种可能的实施例中，所述第一曲线为：在写状态下，所述待测sram存储单元中第二反相器输出端电压随第一反相器输出端电压变化的曲线；所述第二曲线为：在写状态下，所述待测sram存储单元中第一反相器输出端电压随第二反相器输出端电压变化的曲线。
17、在一种可能的实施例中，所述第一曲线是采用如下方法得到的：将所述待测sram存储单元中字线接入电源电压、第一反相器输出端初始化为电源电压，第二反相器输出端初始化为0，第一位线接入电源电压，并控制第二位线由电源电压扫描至0。
18、在一种可能的实施例中，所述第二曲线是采用如下方法得到的：将所述待测sram存储单元中字线接入电源电压、第一反相器输出端初始化为电源电压，第二反相器输出端初始化为0，第二位线接入电源电压，并控制第一位线由电源电压扫描至0。
19、本发明实施例还提供了一种写噪声容限的测量装置，所述测量装置包括：：
20、获取单元，适于获取反映待测sram存储单元中反相器特征的写蝴蝶曲线，所述写蝴蝶曲线包括第一曲线以及第二曲线；
21、遍历单元，适于遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的所有内接正方形的边长集合；
22、计算单元，适于将所述所有内接正方形的边长集合中最大边长，作为写噪声容限。
23、在一种可能的实施例中，所述遍历单元，包括：
24、遍历子单元，适于遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的正方形集合；
25、判断子单元，适于判断各正方形是否为内接正方形；
26、计算子单元，适于计算内接正方形的边长，形成内接正方形的边长集合。
27、本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行，以实现上述任一种所述方法的步骤。
28、本发明实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述任一种所述方法的步骤。
29、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
30、应用本发明的方案，在获取到反映待测sram存储单元中反相器特征的写蝴蝶曲线后，直接通过遍历所述第一曲线及第二曲线，来得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的内接正方形的边长集合，最后将内接正方形的边长集合中最大边长，作为写噪声容限。相对于现有方案，无需对蝴蝶曲线进行坐标系转换，更无需计算第一曲线及第二曲线的差值，测量方法简化，由此可以提高测量效率。并且，将第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点来得到写蝴蝶曲线的内接正方形，可以更加快速地找到写蝴蝶曲线的所有内接正方形，由此可以进一步提高测量效率。并且，本发明的方案，由于无需通过计算第一曲线及第二曲线的差值来确定内接正方形，故第一曲线及第二曲线对称度对计算结果影响较小，这样即便在第一曲线及第二曲线对称度不高时，具有内接正方形的最大边长仍能够准确地反映写噪声容限，故写噪声容限的准确性更高。
1.一种写噪声容限的测量方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，所述遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的所有内接正方形的边长集合，包括：
3.如权利要求2所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，所述遍历所述第一曲线及第二曲线，得到以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的正方形集合，包括：
4.如权利要求2所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，所述判断各正方形是否为内接正方形，包括：
5.如权利要求1所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，以所述第一曲线及第二曲线上各一点作为对角顶点的正方形，是通过在所述第一曲线及第二曲线上随机取点所得到的。
6.如权利要求1所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，所述第一曲线为：在写状态下，所述待测sram存储单元中第二反相器输出端电压随第一反相器输出端电压变化的曲线；所述第二曲线为：在写状态下，所述待测sram存储单元中第一反相器输出端电压随第二反相器输出端电压变化的曲线。
7.如权利要求6所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，所述第一曲线是采用如下方法得到的：将所述待测sram存储单元中字线接入电源电压、第一反相器输出端初始化为电源电压，第二反相器输出端初始化为0，第一位线接入电源电压，并控制第二位线由电源电压扫描至0。
8.如权利要求6所述的写噪声容限的测量方法，其特征在于，所述第二曲线是采用如下方法得到的：将所述待测sram存储单元中字线接入电源电压、第一反相器输出端初始化为电源电压，第二反相器输出端初始化为0，第二位线接入电源电压，并控制第一位线由电源电压扫描至0。
9.一种写噪声容限的测量装置，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的写噪声容限的测量装置，其特征在于，所述遍历单元，包括：
11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至8任一项所述方法的步骤。
12.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至8任一项所述方法的步骤。
