本揭露的一实施例是关于一种静电放电保护的电路及方法，特别是关于一种使用整流器电路的静电放电保护的电路及方法。
背景技术：
1、氮化镓(gan)正在成为集成电路(integrated circuit，ic)制造的有利材料。然而，gan基板可限制为在其上制造n型半导体装置。结果，gan结构中的静电放电(electrostatic discharge，esd)事件可能难以减轻。
技术实现思路
1、在一些实施例中，提供一种静电放电保护的电路。电路包含基板、在基板上的目标装置及电耦合至目标装置的静电放电装置。静电放电装置包含电耦合至第一参考电压供应及第二参考电压供应的静电放电侦测电路、电耦合至静电放电侦测电路并用以回应于第一参考电压供应或第二参考电压供应上的静电放电事件而经触发的反向器电路、电耦合至反向器电路并用以对自反向器电路放电的电流进行整流的整流器电路及电耦合至整流器电路并用以对经由整流器电路传递的剩余电流进行放电的晶体管。
2、在一些实施例中，提供一种静电放电保护的电路。电路其包含氮化镓基板、目标装置及电耦合至目标装置的静电放电装置。静电放电装置包含:电耦合至第一参考电压供应及第二参考电压供应的静电放电侦测电路；包含增强型晶体管装置及电阻元件的氮化镓反向器电路，其中氮化镓反向器电路电耦合至静电放电侦测电路，且其中氮化镓反向器电路用以回应于第一参考电压供应或第二参考电压供应上的静电放电事件而经触发；电耦合至氮化镓反向器电路并用以对自氮化镓反向器电路放电的电流进行整流的整流器电路；及电耦合至整流器电路并用以对经由整流电路传递的剩余电流进行放电的场效晶体管。
3、在一些实施例中，提供一种静电放电保护的方法，包含以下步骤：侦测参考电压供应上的静电放电电流；将静电放电电流传递至整流器电路；基于经由整流器电路流动的静电放电电流启用晶体管；及经由晶体管将静电放电电流自第一参考电压供应放电至第二参考电压供应。
1.一种静电放电保护的电路，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，其中该整流器电路包含一二极管，该二极管用以对来自该静电放电事件的一电流进行整流。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，其中该晶体管电耦合至该目标装置。
4.一种静电放电保护的电路，其特征在于，包含：
5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，其中该静电放电侦测电路包含电耦合至一电容器的一电阻器。
6.如权利要求4所述的电路，其特征在于，其中该氮化镓反向器电路，其中该增强型晶体管装置电耦合至该电阻元件。
7.如权利要求4所述的电路，其特征在于，其中该整流器电路包含以一反向偏置组态配置的多个二极管。
8.一种静电放电保护的方法，其特征在于，包含以下步骤：
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：通过使电流经由一电阻元件流动或启用一增强型晶体管装置来触发一反向器电路。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中启用该晶体管的步骤包含以下步骤：使电流经由至少一个二极管流动，
