本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种功率器件的测试电路。
背景技术：
1、半导体功率器件的可靠性测试不仅包括静态测试，例如高温反向偏压测试(hightemperature reverse bias，htrb)、高温栅偏测试(high temperature gate bias，htgb)等，还包括动态测试，测试半导体功率器件在开通或关断过程中的一些关键参数。尤其是对于由碳化硅(sic)和氮化镓(gan)制成的宽带隙功率器件，传统测试无法识别某些新故障影响，因此需要针对特定应用定制新测试方法。由于这些故障对实际应用有影响，因此根据aqg324标准的定义，通过动态高湿高温反向偏置(h3trb)或动态反向偏置(dynamicreverse bias，drb)来弥补这一差距，以测试器件是否满足一定的dv/dt条件。在测试过程中，除了电气条件以外，更严苛的是需要叠加高温和高湿的环境。
2、而参考aqg324标准中，在双85环境中，实现该项动态测试有两种做法，一种是被动开关(passively switched)方式，一种是主动开关(active switched)方式。
3、在被动开关方式中，待测器件的门极施加关断电平，比如vgs＝0v或负压，使待测器件处于关断状态，待测器件直接并联在辅助器件的两端，由辅助器件的开关而给待测器件带来动态变化的反偏电压。因待测器件全程处于关断状态，所以称之为被动开关方式。
4、在主动开关方式中，两个待测器件组成半桥拓扑。若按照一定开关频率给两个待测器件的门极加以互补开通的驱动信号，待测器件的两端也可以得到动态变化的反偏电压。因待测器件的门极会高低电平来回切换，待测器件也会相应地处于导通或关断状态，所以称之为主动开关方式。
5、主动开关方式由于需要给待测器件门极施加高低电平，使待测器件处于高频开关状态除了动态反偏电压以外，也增加了门极动态电压(dynamic gate stress，dgs)的考核，从而使待测器件得到更全面充分的测试。
6、然而在功率器件的主动开关方式测试中，待测器件(device under test，dut)在开关过程中将产生开关损耗，这部分开关损耗导致待测器件发热，引起待测器件局部湿度的减小，从而偏离了测试环境目标。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种半导体功率器件的测试电路，在待测器件的开关测试过程中，控制待测器件的损耗，以减少待测器件的自发热，从而使待测器件的测试环境符合要求。
2、根据本发明的一实施例，提供了一种测试电路，包括：第一辅助器件，具有第一端耦接至电源电压端，具有第二端耦接至测试连接端；以及第二辅助器件，具有第一端耦接至所述测试连接端，具有第二端耦接至地；其中，所述第一辅助器件可并联至第一待测器件，所述第二辅助器件可并联至第二待测器件；其中：所述第一辅助器件在所述第一待测器件进行导通动作时保持导通状态；以及所述第二辅助器件在所述第二待测器件进行导通动作时保持导通状态。
3、根据本发明一实施例，提供了一种测试系统，包括如前所述的测试电路，还包括：第一待测器件，具有第一端耦接至电源电压端，具有第二端耦接至测试连接端；以及第二待测器件，具有第一端耦接至所述测试连接端，具有第二端耦接至地。
1.一种测试电路，包括：
2.如权利要求1所述的测试电路，其中，所述第一辅助器件在所述第一待测器件进行关断动作时保持导通状态。
3.如权利要求1所述的测试电路，其中，所述第二辅助器件在所述第二待测器件进行关断动作时保持导通状态。
4.如权利要求1所述的测试电路，其中所述第一辅助器件包括金属半导体氧化物场效应管。
5.如权利要求1所述的测试电路，其中所述第二辅助器件包括金属半导体氧化物场效应管。
6.如权利要求1所述的测试电路，其中所述第一辅助器件包括绝缘栅双极晶体管。
7.如权利要求1所述的测试电路，其中所述第二辅助器件包括绝缘栅双极晶体管。
8.一种测试系统，包括如权利要求1-7任一项所述的测试电路，还包括：
9.如权利要求8所述的测试系统，还包括电源电路，所述电源电路包括电压源。
10.如权利要求8所述的测试系统，还包括开关信号电路，提供第一测试辅助控制信号、第二测试辅助控制信号、第一测试控制信号和第二测试控制信号分别用于控制所述第一辅助器件、第二辅助器件、第一待测器件和第二待测器件。
