本揭示的一实施例是关于一种记忆体装置及其操作方法，特别是关于一种控制漏电流记忆体装置及其操作方法。
背景技术：
1、半导体记忆体被广泛用作诸如个人计算机、蜂巢式电话、个人数据助理及其他类似产品的数字装置的储存媒体。以一位元为单位的数字信息经储存于位元单元或记忆体单元的二维阵列中。通常，记忆体装置包含一或多个记忆体阵列及周边电路，该一或多个记忆体阵列包含记忆体单元，这些周边电路用于进行功能，诸如对记忆体单元进行寻址、将数据储存于记忆体单元中及自记忆体单元中撷取数据。记忆体阵列可为任何合适类型的记忆体，诸如动态随机存取记忆体(dynamic random-access memory，dram)或静态随机存取记忆体(static random-access memory，sram)。在sram中，只要向其供电，便可维护数据。另一方面，dram是挥发性的，此意谓其需要不断重写来维护其内容。dram既小又便宜，因此被用于大多数系统记忆体。
技术实现思路
1、本揭示的一实施例提供一种反馈电路，包括参考单元阵列、参考电流产生器、比较器以及负电压产生器。参考单元阵列可操作以产生代表记忆体装置的漏电流的读出电流。参考电流产生器可操作以产生具有预设值的参考电流。比较器可操作以将参考电流与读出电流进行比较且基于比较来提供赋能信号。负电压产生器可操作以基于赋能信号来产生偏置电压，其中偏置电压在待机模式下经施加至记忆体装置的多个字元线。
2、本揭示的一实施例提供一种记忆体装置，包括记忆体单元阵列及第一反馈电路。记忆体单元阵列，包括多个行及多个列的矩阵，其中此些行中的每一行包括连接至多个字元线中的字元线的多个第一记忆体单元，且其中此些列中的每一列包括连接至多个位元线中的位元线的多个第二记忆体单元。第一反馈电路，可操作以在待机模式期间将偏置电压提供至此些字元线，其中反馈电路将记忆体单元阵列的漏电流限制于预设值。
3、本揭示的一实施例提供一种操作记忆体装置的方法，方法包括以下步骤：产生读出电流，读出电流是记忆体装置的记忆体单元阵列的漏电流的代表；产生具有预设值的参考电流；将读出电流与参考电流进行比较；基于比较来产生赋能信号；及基于赋能信号来调整施加至记忆体单元阵列的多个字元线的偏置电压。
1.一种反馈电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的反馈电路，其特征在于，其中该偏置电压是一负电压且在该读出电流大于该参考电流时减小。
3.如权利要求1所述的反馈电路，其特征在于，其中该参考单元阵列包括置放于该记忆体装置的一晶粒上的一或多个位置处的一或多个参考单元子阵列。
4.如权利要求1所述的反馈电路，其特征在于，其中该读出电流是该参考单元阵列的多个参考单元的多个漏极源极电流的一总和。
5.一种记忆体装置，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的记忆体装置，其特征在于，其中该第一反馈电路包括：
7.如权利要求6所述的记忆体装置，其特征在于，其中该负电压产生器是一电荷泵。
8.如权利要求6所述的记忆体装置，其特征在于，其中该参考单元阵列的多个字元线连接在一起作为一共用字元线，其中该参考单元阵列的多个位元线连接在一起作为一共用位元线，且其中该参考单元阵列的多个源极线连接在一起作为一共用源极线。
9.如权利要求5所述的记忆体装置，其特征在于，进一步包括一第二反馈电路，其中该第二反馈电路可操作以将一泵送字元线电压提供至该记忆体装置的所述多个字元线中的一者以用于一读取操作或一写入操作，
10.一种操作记忆体装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：
