本说明书一个或多个实施例涉及半导体工艺，尤其涉及一种利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺。
背景技术：
1、压电芯片在生产过程中，由于需要将pzt上表面的电极引出，因此pzt层需要留一个桥梁。但这会使结构不对称，影响器件性能。为保证对称性，如果把周围区域都刻掉形成沟槽，会造成中间孤岛上电极无法引出的问题。
2、综上所述，本申请现提出利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺解决上述出现的问题。
技术实现思路
1、本发明旨在解决背景技术中提出的问题，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，在保持芯片对称的前提下，解决引线问题，保证器件性能。
2、基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，包括以下步骤：准备衬底，衬底具有相对的正面及背面；在衬底的正面生长金属层和压电层，压电层和金属层间隔设置；刻蚀最上层金属层，使最上层金属层图形化产生缝隙，缝隙使最上层金属层形成由内向外的第一振动部和焊盘；刻蚀压电层，使压电层图形化产生缝隙，缝隙使压电层形成由内向外分成相互独立的与第一振动部对应的第二振动部和固定部；刻蚀下层金属层因缝隙裸露的部分，裸露衬底的正面部分面积；通过电性连接线将第二金属层的第一振动部与焊盘连接；在最上层金属层远离衬底的平面生长用于封住电性连接线的聚合物，并延伸至所述缝隙中；刻蚀衬底的背面，使衬底的背面形成空腔；去掉聚合物。
3、根据本发明实施例所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，所述衬底为soi衬底。
4、根据本发明实施例所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，所述衬底为硅衬底。
5、根据本发明实施例所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，所述聚合物包括聚二甲基硅氧烷、水凝胶、parelene、pi和硅胶中的一种或几种组合。
6、根据本发明实施例所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，所述电性连接线包括金线。
7、根据本发明实施例所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，所述聚合物采用湿法腐蚀溶解。
8、下面根据本发明的实施例及附图来详细描述本发明的有益效果。
1.一种利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，其特征在于，所述衬底为soi衬底。
3.根据权利要求1所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
4.根据权利要求1所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，其特征在于，所述聚合物(8)包括聚二甲基硅氧烷、水凝胶、parelene、pi和硅胶中的一种或几种组合。
5.根据权利要求1所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，其特征在于，所述电性连接线(7)包括金线。
6.根据权利要求1所述的利用聚合物辅助引线的压电芯片制备工艺，其特征在于，所述聚合物(8)采用湿法腐蚀溶解。
