在此所公开的主题总体上涉及用于在半导体处理室中抑制或去除颗粒污染的方法和系统，尤其涉及用于在处理室的清洁与清扫循环期间抑制或去除颗粒污染的气体供给管线装置。
背景技术：
1、半导体衬底处理系统系通过包括蚀刻、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)、脉冲沉积层(pdl)、等离子体增强脉冲沉积层(pepdl)、以及抗蚀剂移除的技术而用以处理半导体衬底。其中一种半导体衬底处理设备为包含真空处理室的等离子体处理设备，真空处理室包含上电极与下电极。真空处理室系由处理气体供给管线所供给。在衬底处理循环中，将射频(rf)功率施加在这些电极之间，以将处理气体激发成等离子体而处理在室中的半导体衬底。例如，在处理室的清洁与清扫循环中，颗粒材料可能会堆积在气体供给管线的内部表面上，在后续处理中污染晶片，并且引起阀泄漏。
2、本文中所提出的现有技术大致上用于呈现本公开内容的背景。应当注意，本节中所描述的信息是为了将以下所公开的主题的一些背景提供给本领域技术人员，不应将其视为公认的现有技术。具体而言，在此背景技术部分中描述的范围内的当前指定的发明人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
1、提出了用于在半导体处理室与设备中抑制或去除颗粒污染的方法、系统、以及计算机程序。某些示例包括用于在处理室的清洁与清扫循环期间抑制颗粒污染的气体供给管线装置。
2、在一些示例中，提供了一种用于在衬底处理室中抑制颗粒污染的气体供给管线装置。示例性的气体供给管线装置包含：清洁气体源，其用于衬底处理室的清洁循环；清扫气体源，其用于所述衬底处理室的清扫循环；气体供给管线，其用于朝向所述衬底处理室运送清洁气体与清扫气体；以及三通阀，其包含：阀入口，其连接至所述气体供给管线；第一阀出口，其与所述衬底处理室流体连通，所述第一阀出口能操作以允许或防止清洁气体通往所述衬底处理室；以及第二阀出口，其连接至转向管线，并且其能操作以允许或防止含颗粒的清扫气体通往所述转向管线。
3、在一些示例中，所述第二阀出口被配置成仅在所述第一阀出口关闭时开启。
4、在一些示例中，所述第一阀出口在关闭时限定内部清洁气体终止点。
5、在一些示例中，所述第二阀出口在开启时限定内部清扫气体转向点。
6、在一些示例中，所述内部清扫气体转向点位于所述三通阀的本体内的所述内部清洁气体终止点的上游。
7、在一些示例中，在清扫循环期间，能清扫在所述清扫气体转向点与所述清洁气体终止点之间的所述三通阀的所述本体的容积中的气体与颗粒材料。
8、在一些示例中，所述三通阀直接连接至所述衬底处理室或其入口歧管。
1.一种用于在衬底处理室中抑制颗粒污染的气体供给管线装置，所述气体供给管线装置包含：
2.根据权利要求1所述的气体供给管线装置，其中所述第二阀出口被配置成仅在所述第一阀出口关闭时开启。
3.根据权利要求1所述的气体供给管线装置，其中所述第一阀出口在关闭时限定内部清洁气体终止点。
4.根据权利要求3所述的气体供给管线装置，其中所述第二阀出口在开启时限定内部清扫气体转向点。
5.根据权利要求4所述的气体供给管线装置，其中所述内部清扫气体转向点位于所述三通阀的本体内的所述内部清洁气体终止点的上游。
6.根据权利要求5所述的气体供给管线装置，其中在所述清扫循环期间，能清扫在所述清扫气体转向点与所述清洁气体终止点之间的所述三通阀的所述本体的容积中的气体与颗粒材料。
7.根据权利要求1所述的气体供给管线装置，其中所述三通阀直接连接至所述衬底处理室或其入口歧管。
8.一种在衬底处理室的清洁或清扫循环期间抑制颗粒污染的方法，所述方法包含：
9.根据权利要求8所述的方法，其还包含仅在所述第一阀出口关闭时开启所述第二阀出口。
10.根据权利要求8所述的方法，其还包含配置所述第一阀出口以在关闭时限定内部清洁气体终止点。
11.根据权利要求10所述的方法，其还包含配置所述第二阀出口以在开启时限定内部清扫气体转向点。
12.根据权利要求11所述的方法，其还包含配置或操作所述三通阀，以使所述内部清扫气体转向点位于所述三通阀的本体内的所述内部清洁气体终止点的上游。
13.根据权利要求12所述的方法，其还包含在清扫循环期间，清扫在所述内部清扫气体转向点与所述内部清洁气体终止点之间的所述三通阀的所述本体的容积中的气体与颗粒材料。
14.根据权利要求8所述的方法，其还包含将所述三通阀直接连接至所述衬底处理室或其入口歧管。
15.一种包含指令的有形机器可读介质，当所述指令被机器读取时，使所述机器执行在衬底处理室的清洁或清扫循环期间抑制颗粒污染的方法中的操作，所述方法包含：
