本发明涉及摄像装置。
背景技术：
1、已知有ccd(charge coupled device：电荷耦合器件)图像传感器及cmos(complementary mos：互补金属氧化物半导体)图像传感器等的摄像装置。关于摄像装置正在开展各种研究。
2、例如，提出了具有用来实现宽动态范围的结构的摄像装置。专利文献1的摄像装置具有1像素2单元结构。具体而言，在专利文献1的摄像装置中，在高灵敏度单元中配置有大面积的光电二极管，在低灵敏度单元中配置有小面积的光电二极管。
3、此外，例如提出了将光电变换部配置在半导体基板的上方的层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电变换而产生的电荷被积蓄在电荷积蓄部。与积蓄在电荷积蓄部的电荷量对应的电信号经由设置于半导体基板的ccd电路或cmos电路而被读出。专利文献2公开了这样的层叠型的摄像装置。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特许第4018820号
7、专利文献2：日本特许第6213743号
8、专利文献3：日本特许第6323813号
9、专利文献4：日本特许第6782431号
技术实现思路
1、本公开提供一种适合于实现高画质的摄像装置的技术。
2、有关本公开的一技术方案的摄像装置，其具备：半导体基板；以及像素，包括第1单元、与上述第1单元相比灵敏度低的第2单元、及比上述半导体基板靠上方且包含多个布线的上布线层；上述第1单元包括：第1光电变换部，将光变换为第1信号电荷；第1电荷积蓄部，位于上述半导体基板内，积蓄上述第1信号电荷，与第1节点电连接；以及第1布线，位于上述上布线层内，与上述第1节点电连接；上述第2单元包括：第2光电变换部，将光变换为第2信号电荷；第2电荷积蓄部，位于上述半导体基板内，积蓄上述第2信号电荷，与第2节点电连接；以及第2布线，位于上述上布线层内，与上述第2节点电连接；与上述多个布线的各自电连接的节点与上述第1节点及上述第2节点均不同；在上述上布线层中，上述第1布线与上述多个布线的最短距离比上述第2布线与上述多个布线的最短距离大。
3、有关本公开的技术适合于实现高画质的摄像装置。
1.一种摄像装置，具备：
2.如权利要求1所述的摄像装置，
3.如权利要求2所述的摄像装置，
4.如权利要求2所述的摄像装置，
5.如权利要求2所述的摄像装置，
6.如权利要求2所述的摄像装置，
7.如权利要求6所述的摄像装置，
8.如权利要求2所述的摄像装置，
9.如权利要求2所述的摄像装置，
10.如权利要求2所述的摄像装置，
11.如权利要求1所述的摄像装置，
12.一种摄像装置，具备：
13.一种摄像装置，具备：
14.一种摄像装置，具备：
15.一种摄像装置，具备：
16.如权利要求15所述的摄像装置，
17.一种摄像装置，具备半导体基板及像素，
18.如权利要求17所述的摄像装置，
19.如权利要求17所述的摄像装置，
20.如权利要求17所述的摄像装置，
