本发明的示例性实施方式涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。
背景技术：
1、在专利文献1中公开一种原子层蚀刻(ale)的方法。在该方法中，使基片暴露于氟化氢气体中，以在金属氧化物膜上形成氟化表面层。然后，使基片暴露于含硼气体中，以从金属氧化物膜去除氟化表面层。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2018-26566号公报。
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本发明提供一种可获得高生产率的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
3、用于解决问题的技术手段
4、在一个示例性实施方式中，等离子体处理方法包含：(a)提供基片的工序，所述基片具有包含第一材料的第一区域和包含与所述第一材料不同的第二材料的第二区域；(b)供给用于对所述第一区域的表面进行改性的改性气体和含碳前体的工序；(c)利用通过供给第一高频功率而从包含所述改性气体和所述含碳前体的混合气体生成的等离子体，对所述第一区域的所述表面进行改性而形成改性层的工序；和(d)停止供给所述第一高频功率或供给比所述第一高频功率小的第二高频功率，使所述改性层与所述含碳前体进行反应，从而去除所述改性层的工序。
5、发明效果
6、根据一个示例性实施方式，提供一种可获得高生产率的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于：
5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
6.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
7.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
8.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
9.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
10.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
11.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
12.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
13.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
14.根据权利要求13所述的等离子体处理方法，其特征在于：
15.根据权利要求13所述的等离子体处理方法，其特征在于：
16.一种等离子体处理方法，其特征在于，包含：
17.一种等离子体处理方法，其特征在于，包含：
18.根据权利要求17所述的等离子体处理方法，其特征在于：
19.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：
