背景技术：
1、电流隔离总体上涉及隔离电路或系统的功能部分，以防止这些功能部分之间的直流电(dc)电流流动。交流电(ac)信号仍可以通过其它方式(如电容电感等)在电路或系统的部分之间进行交换。在两个或更多个电路被配置成彼此通信的情况下，可以使用电流隔离。然而，可能期望防止两个或更多个电路之间的dc电流回路，例如，在电路具有处于不同电位的接地节点时。电流隔离可以是一种通过防止不希望的dc电流在电路之间流动来断开接地回路的有效方法。
技术实现思路
1、本文所述的一实例为一种集成电路(ic)封装。所述ic封装包括第一ic裸片和第二ic裸片。所述第一ic裸片包括第一电路、电容器和聚酰亚胺层。所述第一电路安置在第一半导体衬底上。所述电容器包括底板和顶板。所述底板安置在所述第一半导体衬底上方，并且所述顶板安置在所述底板上方。第一距离是从所述底板的顶表面到所述顶板的底表面。所述聚酰亚胺层至少部分地安置在所述电容器的所述顶板上方。第二距离是从所述顶板的顶表面到所述聚酰亚胺层的底表面。所述第二距离等于或大于所述第一距离的30％。所述第二ic裸片包括第二电路，所述第二电路安置在第二半导体衬底上。信号路径电耦合在所述第一电路与所述第二电路之间。所述信号路径包括所述电容器，并且所述第二ic裸片在所述信号路径中不包括电流隔离电容器。
2、本文所述的另一个实例为一种半导体处理方法。在第一层间电介质(ild)上形成第一电容器板。将所述第一ild安置在半导体衬底上方。在第二ild上形成第二电容器板。将所述第二ild安置在所述第一电容器板和所述第一ild上方。第一距离是从所述第一电容器板的顶表面到所述第二电容器板的底表面的距离。所述第一距离等于或大于15μm。在所述第二电容器板和所述第二ild上方形成聚酰亚胺层。第二距离是从所述第二电容器板的顶表面到所述聚酰亚胺层的底表面。所述第二距离等于或大于所述第一距离的30％。
3、本文所述的一另外的实例为一种ic裸片。所述ic裸片包括电流隔离电容器和聚酰亚胺层。所述电流隔离电容器包括位于半导体衬底上方的底板和位于所述底板上方的顶板。第一距离是从所述底板的顶表面到所述顶板的底表面。所述第一距离等于或大于15μm。所述聚酰亚胺层位于所述电流隔离电容器的所述顶板上方。第二距离是从所述顶板的顶表面到所述聚酰亚胺层的底表面。所述第二距离等于或大于所述第一距离的30％。
4、前述
技术实现要素：
相当宽泛地概述了以下详细描述的说明书的实例的各个特征。此类实例的另外的特征和优点将在下文描述。所描述的实例可以容易地用作修改或设计在所附权利要求的范围内的其它实例的基础。
1.一种集成电路(ic)封装，其包含：
2.根据权利要求1所述的ic封装，其中所述第一距离等于或大于15μm。
3.根据权利要求1所述的ic封装，其中所述第一ic裸片进一步包含：
4.根据权利要求3所述的ic封装，其中所述一或多个缓冲介电层中的缓冲介电层的介电常数值为3.9或更小。
5.根据权利要求3所述的ic封装，其中所述一或多个缓冲介电层包含：
6.根据权利要求5所述的ic封装，其中：
7.根据权利要求5所述的ic封装，其中：
8.根据权利要求1所述的ic封装，其进一步包含导线，所述导线与所述第一ic裸片和所述第二ic裸片键合，所述导线穿过所述聚酰亚胺层与所述电容器的所述顶板键合，所述信号路径包括所述导线。
9.一种半导体处理的方法，所述方法包含：
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含：
11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述一或多个缓冲介电层包含：
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二距离等于或大于所述第一距离的32％。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二距离在所述第一距离的30％至38％的范围内。
14.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含通过穿过所述聚酰亚胺层的开口将导线与所述第二电容器板键合。
15.一种集成电路(ic)裸片，其包含：
16.根据权利要求15所述的ic裸片，其进一步包含：
17.根据权利要求15所述的ic裸片，其中所述第二距离等于或大于所述第一距离的32％。
18.根据权利要求15所述的ic裸片，其中所述第二距离等于或大于所述第一距离的37％。
19.根据权利要求15所述的ic裸片，其中所述第二距离在所述第一距离的30％至38％的范围内。
20.根据权利要求15所述的ic裸片，其中所述聚酰亚胺层的厚度等于或大于所述第一距离的110％。
