成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法与流程

专利2026-08-28  13


本发明涉及成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。


背景技术:

1、有机el显示装置、液晶显示装置等平板显示装置正在被使用。例如,有机el显示装置包括在两个相对的电极之间形成有功能层的多层结构的有机el元件,所述功能层具有作为引起发光的有机物层的发光层。通过在成膜装置的腔室内使成膜材料经由掩模附着在玻璃等基板上,从而形成有机el元件的功能层、电极层。为了提高制造的面板的品质,要求在使成膜材料附着于基板之前高精度地对基板和掩模进行对准(位置调整)并使其密接。

2、在专利文献1(日本特开2019-083311号公报)中公开了如下内容:通过在使基板与掩模密接之前使用相机对基板和掩模各自的标记进行拍摄,从而将基板与掩模对准。另外,在专利文献2(日本特开2011-190536号公报)中公开了如下内容:一边使进行了图案化的掩模相对于基板进行相对移动,一边也使成膜源移动。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2019-083311号公报

6、专利文献2:日本特开2011-190536号公报


技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在此,已知有如下情况:特别是在使用成为高温的蒸发源作为成膜源等情况下,掩模、基板有时会在成膜装置内热膨胀。其结果是,即使在成膜之前使用相机对基板和掩模各自的标记进行拍摄而对基板与掩模进行了对准,也会由于成膜中的热膨胀的影响而使得掩模与基板的位置关系偏移,实际进行成膜的位置有可能会从期望的成膜预定位置偏移。

3、本发明是鉴于上述课题而完成的。本发明的目的在于提供一种抑制有可能会在基板与掩模的对位之后产生的基板的期望的成膜位置与实际的成膜位置之间的偏移的技术。

4、用于解决课题的手段

5、本发明采用以下的结构。即,提供一种成膜装置,所述成膜装置具有:

6、对准部件,所述对准部件使用设置于基板的基板标记和设置于掩模的掩模标记进行所述基板与所述掩模的对位;

7、密接部件,所述密接部件使利用所述对准部件进行对位后的所述基板与所述掩模密接;以及

8、成膜部件,所述成膜部件经由利用所述密接部件与所述基板密接后的所述掩模在所述基板上进行成膜,

9、其特征在于,

10、所述成膜装置具有拍摄部件,所述拍摄部件在开始基于所述成膜部件的成膜之后,对所述基板标记及所述掩模标记中的至少一方进行拍摄。

11、另外,本发明采用以下的结构。即,提供一种成膜方法,所述成膜方法使用具备对准部件、密接部件、成膜部件及拍摄部件的成膜装置,其特征在于,

12、所述成膜方法具有:

13、对准工序,在所述对准工序中,所述对准部件使用设置于基板的基板标记和设置于掩模的掩模标记进行所述基板与所述掩模的对位;

14、密接工序,在所述密接工序中,所述密接部件在进行所述对位之后使所述基板与所述掩模密接;以及

15、成膜工序,在所述成膜工序中,所述成膜部件在使所述基板与所述掩模密接之后经由所述掩模在所述基板上进行成膜,

16、所述拍摄部件在开始所述成膜工序中的成膜之后,对所述基板标记及所述掩模标记中的至少一方进行拍摄。

17、发明效果

18、根据本发明,能够提供一种抑制有可能会在基板与掩模的对位之后产生的基板的期望的成膜位置与实际的成膜位置之间的偏移的技术。



技术特征:

1.一种成膜装置,所述成膜装置具有:

2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

6.根据权利要求3所述的成膜装置,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的成膜装置,其特征在于,

8.一种成膜方法,所述成膜方法使用具备对准部件、密接部件、成膜部件及拍摄部件的成膜装置,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的成膜方法,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的成膜方法,其特征在于,

11.根据权利要求10所述的成膜方法,其特征在于,

12.根据权利要求8所述的成膜方法,其特征在于,

13.根据权利要求9所述的成膜方法,其特征在于,

14.根据权利要求13所述的成膜方法,其特征在于,

15.一种电子器件的制造方法,其特征在于,所述电子器件的制造方法使用权利要求8所述的成膜方法来制造电子器件。


技术总结
使用如下的成膜装置,所述成膜装置具有:对准部件,所述对准部件使用设置于基板的基板标记和设置于掩模的掩模标记进行基板与掩模的对位;密接部件,所述密接部件使对位后的基板与掩模密接;以及成膜部件,所述成膜部件经由与基板密接后的掩模在基板上进行成膜,其中,所述成膜装置具有拍摄部件,所述拍摄部件在开始基于成膜部件的成膜之后,对基板标记及掩模标记中的至少一方进行拍摄。

技术研发人员:田村博之,绞缬直之,渡部新,金井亮太
受保护的技术使用者:佳能特机株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/12/17
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