本发明关于一种形成电容器电极的方法，特别是一种能够抑制或防止损坏底层的形成电容器电极的方法。
背景技术：
1、适用于半导体装置的电容器包括形成在基板上的底电极、形成在底电极上的介电层以及形成在介电层上的顶电极。这里，通过堆叠钛氮化物(tin)薄膜与钨(w)薄膜来形成顶电极以及底电极的每一者。
2、钛氮化物(tin)薄膜使用含有四氯化钛(ticl4)的原料所形成，且钨(w)薄膜使用含有六氟化钨(wf6)的原料所形成。
3、然而，当钛氮化物(tin)薄膜以及钨(w)薄膜的每一者被形成时，含在原料中的氯(cl)以及氟(f)会渗透至底层中，例如由金属氧化物制成的接触层。因此，会存在底层(亦即接触层)被损坏的缺陷，且因此会使电容器的特性劣化。
4、(现有技术文件)
5、(专利文献1)韩国授权专利no.10-1110077
技术实现思路
1、技术问题
2、本发明提供一种能够抑制或防止损坏底层的形成电容器电极的方法。
3、本发明也提供一种能够改善电气特性的形成电容器电极的方法。
4、技术方案
5、根据示例性实施例，形成电容器电极的方法包括制备基板、通过将含有钛(ti)的原料喷射于基板上来形成含有钛的第一薄膜，并且通过将含有贵金属元素或铜(cu)的原料喷射于基板上来形成第二薄膜。
6、第一薄膜的形成以及第二薄膜的形成可以交替重复。
7、第二薄膜的形成可以在第一薄膜的形成之前进行。
8、在第一薄膜的形成中，可以多次连续地进行钛氮化物(tin)原子层沉积。
9、在第二薄膜的形成中，可以连续地进行多个沉积循环。
10、第一薄膜的形成可以比第二薄膜的形成重复更多次。
11、执行第一薄膜的形成的次数(t1)与执行第二薄膜的形成的次数(t2)之比(t1：t2)可以被调节为1：1至10：1。
12、含有贵金属元素的原料可以为含有钌(ru)、铂(pt)、金(au)、银(ag)、铑(rh)、钯(pd)、铽(os)、铱(ir)、钇(yi)和钼(mo)中的至少一者的前体。
13、第二薄膜的形成可以包括在喷射含有贵金属元素或铜(cu)的原料之后喷射还原气体并且使用等离子体激活还原气体。
14、第二薄膜的形成可以包括在喷射含有贵金属元素或铜(cu)的原料之后喷射还原气体并且使基板曝露于等离子体。
15、有益效果
16、根据示例性实施例，在电极形成期间抑制或防止对底层造成的损坏是可能的。此外，降低电极的电阻率是可能的，且可以有改善电极的电气特性的功效。
17、此外，因为对底层造成的损坏被抑制或防止且电极的电气特性被改善，所以有改善电容器的质量特性的功效。
1.一种形成电容器电极的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的形成电容器电极的方法，其中，交替重复进行所述第一薄膜的形成以及所述第二薄膜的形成。
3.如权利要求1所述的形成电容器电极的方法，其中，在所述第一薄膜的形成之前进行所述第二薄膜的形成。
4.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，在所述第一薄膜的形成中，多次连续地进行tin原子层沉积。
5.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，在所述第二薄膜的形成中，连续地进行多个沉积循环。
6.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，所述第一薄膜的形成比所述第二薄膜的形成重复更多次。
7.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，执行所述第一薄膜的形成的次数(t1)与执行所述第二薄膜的形成的次数(t2)之比(t1：t2)被调节为1：1至10：1。
8.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，含有贵金属元素的所述原料为含有钌(ru)、铂(pt)、金(au)、银(ag)、铑(rh)、钯(pd)、锇(os)、铱(ir)、钇(yi)和钼(mo)中的至少一者的前体。
9.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，所述第二薄膜的形成包括：
10.如权利要求1至3中任一项所述的形成电容器电极的方法，其中，所述第二薄膜的形成包括：
