本公开涉及感光基板的显影方法、光掩模的制作方法和电子器件的制造方法。
背景技术：
1、近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，为350～400pm。因此，在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module：lnm)。将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：美国专利第5968691号说明书
技术实现思路
1、在本公开的1个观点中，感光基板的制造方法包含以下步骤：对被曝光的感光基板进行加热，以使其在多个扫描场中分别呈现在感光基板的面上在与第1方向交叉的第2方向上具有温度梯度的温度分布，其中，感光基板通过利用包含多个中心波长的脉冲激光经由光掩模在第1方向上分别扫描感光基板中包含的多个扫描场而被曝光；以及在对感光基板进行加热后，向感光基板的表面供给显影液而进行显影。
2、在本公开的1个观点中，光掩模被用于使用了包含多个中心波长的脉冲激光的光刻，光掩模的制作方法包含以下步骤：计测向被曝光且被加热的第2测试晶片的表面供给显影液而被显影的第2测试晶片的晶片图案，取得表示在第2方向上排列的多个分割区域各自的计测结果的计测晶片图案，其中，该第2测试晶片通过利用脉冲激光经由第2测试掩模在第1方向上扫描第2测试晶片而被曝光，该第2测试晶片被加热，以在第2测试晶片中包含的多个扫描场中分别呈现在第2测试晶片的面上在与第1方向交叉的第2方向上具有温度梯度的温度分布；根据被形成于第2测试掩模的测试掩模图案、计测晶片图案和设为感光基板的目标的晶片图案即目标图案，制作用于制作光掩模的校正掩模图案；以及根据校正掩模图案制作光掩模。
3、在本公开的1个观点中，电子器件的制造方法包含以下步骤：通过激光装置生成包含多个中心波长的脉冲激光；将脉冲激光输出到曝光装置；在曝光装置内，利用脉冲激光经由光掩模在第1方向上分别扫描感光基板中包含的多个扫描场并进行曝光；对被曝光的感光基板进行加热，以使其在多个扫描场中分别呈现在感光基板的面上在与第1方向交叉的第2方向上具有温度梯度的温度分布；以及在对感光基板进行加热后，向感光基板的表面供给显影液而进行显影。
1.一种感光基板的显影方法，其包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
3.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
4.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
5.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
6.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
7.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
8.根据权利要求1所述的显影方法，其中，
9.根据权利要求8所述的显影方法，其中，
10.根据权利要求9所述的显影方法，其中，
11.根据权利要求9所述的显影方法，其中，
12.根据权利要求11所述的显影方法，其中，
13.根据权利要求12所述的显影方法，其中，
14.根据权利要求13所述的显影方法，其中，
15.根据权利要求13所述的显影方法，其中，
16.一种光掩模的制作方法，所述光掩模被用于使用了包含多个中心波长的脉冲激光的光刻，其中，所述光掩模的制作方法包含以下步骤：
17.根据权利要求16所述的制作方法，其中，
18.根据权利要求16所述的制作方法，其中，
19.一种感光基板的显影方法，其包含以下步骤：
20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
