本申请涉及半导体器件，具体涉及一种镍钯金引线框架及其制备方法。
背景技术：
1、引线框架是集成电路芯片的载体，用于将芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，其起到了和外部导线连接的桥梁作用。
2、在制作引线框架时，需要在铜带基板上电镀镍钯金层；而现有技术的引线框架的电镀工艺制造的引线框架中，在焊接时，会在上板焊接处发现引线框架断面后镍镀层与钯镀层脱离发黑异常现象，从而导致引线框架的不良率较高；在剥离金镀层后发现轻微黑盘现象，即由于镀金药水和镍层的激烈反应，会导致镍层深度腐蚀，产生晶界腐蚀，从而导致引线框架出现不良表面缺陷，导致镍层的致密性与可焊性差，推力不稳定，使得镍层与钯层结合力差，易脱离，继而使得成品率较低。
3、因此，现有技术中引线框架的制造工艺具有进一步的改善空间。
技术实现思路
1、有鉴于此，针对上述现有技术中的镍钯金引线框架的制造工艺容易导致镍层与钯层之间结合力差，易脱离的技术问题，本申请提供一种镍钯金引线框架及其制备方法，其引线框架的镀镍层与度钯层之间的结合力较好，二者不易脱离，极大地提高了引线框架的成品率。
2、第一方面
3、本申请提供一种镍钯金引线框架的制备方法，所述方法包括以下步骤：
4、s1、对基板表面进行粗化处理；
5、s2、在基板上依次镀镍层、镀钯层和镀金层，得到电镀基板；
6、s3、电镀基板与pcb板焊接，得到镀镍钯金引线框架；
7、其中，在步骤s2中，包括步骤s22：在镀镍层之后，在镀钯层之前对基板进行酸洗，酸洗液体中的硫酸每升含量为5.5%-8.0%；
8、在步骤s2中，还包括步骤s23：在镀金层时，金缸浓度为0.8-1.6g/l。
9、与现有技术相比，本申请的镍钯金引线框架的制备方法中，在步骤s1中，对基板表面进行粗化处理，从而增加镍镀层与基板的黏着效果，使得镍镀层不会轻易与基板脱离；其中，在步骤s2中，在镀镍层后，采用硫酸每升含量为5.5%-8.0%的酸液对基板进行清洗，将镀镍后的基板上的有机物进行清洗，较强浓度的酸液能够较好地将有机物清洗干净，并且能够较好地将镍钝化层完全彻底去除，从而提高镍镀层与钯镀层的结合力，并且避免有机物对镍镀层污染而降低镍镀层和钯镀层的结合力，提高镍镀层的致密性，从而提高了镍镀层的可焊性；再配合步骤s23中，将金缸浓度调整为0.8-1.6g/l，配合酸液中硫酸浓度，可以避免镀金药水与镍镀层发生激烈反应，避免对镍镀层的深度腐蚀，避免产生晶界腐蚀，避免产生黑盘现象，从而提高镍镀层的品质，降低引线框架的不良品率。
10、优选的，在步骤s2中，还包括步骤s21：在镀镍层时，镀镍电流为23-30a。
11、优选的，在步骤s21中，具体还包括：镀镍温度为60-70℃；镀镍浓度为93-110g/l。
12、优选的，在步骤s23中，具体还包括：镀金层时，基板传动速度为1.5m/min-4.0m/min。
13、优选的，在步骤s23中，具体还包括：镀金电流为0.7-1.2a。
14、优选的，在步骤s1之后，在步骤s2之前，还包括：
15、s11、对粗化后的基板进行化学清洗。
16、优选的，在步骤s2中，镍镀层厚度为0.5～2.0 μm，钯镀层厚度为0.02～0.15 μm，金镀层厚度为0.005～0.015 μm。
17、优选的，在步骤s22中，具体包括：间隔t1时间进行镍缸清洗，其中，清洗步骤包括增加电解处理且使用碳芯循环处理t2时长。
18、优选的，t1为一个月时长；t2为12小时。
19、本申请的一种镍钯金引线框架及其制备方法，其至少具有以下技术效果：
20、1、通过在将酸液中的浓度提高，可以将镍钝化层完全彻底去除，从而提高镍与钯的结合力，提高镍层的可焊接力，同时，将金缸浓度控制在0.8-1.6g/l，从而减少金缸药水对镍镀层的腐蚀，避免金镀层上出现黑盘现象；金缸浓度与酸液浓度共同配合下，可以使得镍镀层的焊接力加强，提高引线框架的良品率；
21、2、通过将镀镍电流控制在23-30a，配合镀镍浓度，通过降低化学镀镍的沉积速率和改善镍镀层结晶来提高镀镍层的品质；
22、3、通过对粗化后的基板进行化学清洗，可以将基板上的c和o去除，增加基板表面的清洁度，避免残留的c和o对镍镀层产生污染；
23、4、通过每隔一月对镍缸进行清洗，并且采用增加电解处理和碳芯循环处理，能够将镍缸药水杂质电解彻底，使得镍缸内药水含杂质更少，提高镍镀层的品质。
24、第二方面
25、本申请提供一种镍钯金引线框架，采用第一方面中任意实施例提供的镍钯金引线框架的制备方法制得，本申请的引线框架采用较好的工艺制得，其良品率较高，同时，镍镀层与钯镀层不易发生脱离发黑异常现象。
1.一种镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1至7任意一项所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的镍钯金引线框架的制备方法，其特征在于，
10.一种镍钯金引线框架，其特征在于，采用如权利要求1至9任意一项所述的镍钯金引线框架的制备方法制得。
