本发明涉及半导体材料生产，尤其涉及一种半导体材料研磨抛光设备及方法。
背景技术：
1、半导体材料在加工过程中需要进行抛光处理，传统的抛光设备不便于对半导体材料进行固定，导致使用不便。
2、现有技术cn219787888u公开一种半导体研磨抛光机，包括工作台、用于对半导体材料进行研磨抛光的研磨机构，还包括用于对不同尺寸的半导体材料进行夹持并防止抛光机部件相碰的夹持机构，所述工作台上侧安装所述夹持机构，所述夹持机构上侧设置所述研磨机构。有益效果：通过设置有多个夹持板，在半导体材料放置在工作台上时，拔出固定轴，滑动夹持板，应对半导体材料的高度调节夹持板的个数，使夹持板不高过半导体材料，防止研磨机构进行研磨抛光时，与夹持板接触产生碰撞，将固定轴插回原位，通过夹持板的通孔，将夹持板固定，通过螺杆的转动，使夹持板夹紧半导体材料，完成夹持。
3、上述装置能够对半导体材料进行夹持，但是在半导体材料的一侧抛光完成后，需要人工取下，并翻转半导体材料对另一侧进行抛光，这样导致抛光效率低下。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种半导体材料研磨抛光设备及方法，解决了的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供了一种半导体材料研磨抛光设备及方法，包括机架和顶面打磨组件，所述顶面打磨组件设置在所述机架上，还包括底面打磨组件；所述底面打磨组件包括旋转座、安装座、电推杆、升降座、夹持构件、第一打磨电机和底面研磨盘，所述旋转座与所述机架转动连接，并位于所述机架内部，所述安装座与所述旋转座固定连接，并设置在所述旋转座上，所述电推杆与所述安装座连接，并位于所述安装座内部，所述升降座设置在所述电推杆上，并与所述电推杆的输出端连接，所述夹持构件设置在所述升降座上，所述第一打磨电机与所述安装座连接，并位于所述安装座内部，所述底面研磨盘设置在所述第一打磨电机上，并与所述第一打磨电机的输出端连接。
3、其中，所述底面打磨组件还包括导向杆，所述导向杆与所述安装座连接，并与所述升降座连接，且设置在所述安装座上。
4、其中，所述导向杆包括杆体和套体，所述套体与所述安装座固定连接，并位于所述安装座内部；所述杆体的一端与所述套体滑动连接，所述杆体的另一端与所述升降座连接，所述杆体位于所述升降座靠近所述安装座的一侧。
5、其中，所述顶面打磨组件包括液压缸、第二打磨电机和顶面研磨盘，所述液压缸与所述机架连接，并设置在所述机架上；所述第二打磨电机设置在所述液压缸上，并与所述液压缸的输出端连接；所述顶面研磨盘设置在所述第二打磨电机上，并与所述第二打磨电机的输出端连接。
6、其中，所述夹持构件包括夹持座、驱动座和旋转部件，所述驱动座与所述升降座转动连接，并位于所述升降座内部；所述夹持座与所述升降座滑动连接，并与所述夹持座滑动连接，且设置在所述升降座上；所述旋转部件设置在所述升降座上，并驱动所述夹持座转动。
7、其中，所述夹持座包括移动轴、支架和摩擦板，所述移动轴与所述升降座滑动连接，并与所述驱动座滑动连接，且贯穿所述驱动座；所述支架与所述移动轴固定连接，并设置在所述移动轴上；所述摩擦板与所述支架固定连接，并位于所述支架的一侧。
8、本发明还包括一种半导体材料研磨抛光方法，包括以下步骤：
9、将待加工的半导体材料置于所述升降座内侧，并通过所述夹持构件夹持固定；
10、通过所述电推杆带动所述升降座下降，进而带动半导体材料下降至与所述底面研磨盘抵接；
11、通过所述第一打磨电机带动所述底面研磨盘转动，对半导体材料的底面进行研磨抛光；
12、通过所述顶面打磨组件对半导体材料的顶面进行研磨抛光。
13、本发明的一种半导体材料研磨抛光设备及方法，使用时，将多个待加工的半导体材料分别置于多个所述升降座内侧，并通过所述夹持构件对半导体材料进行夹持固定，此时通过所述电推杆带动所述升降座下降，进而带动夹持构件和半导体材料下降，使半导体材料的底面与所述底面研磨盘抵接，此时通过所述第一打磨电机驱动所述底面研磨盘转动，进而对半导体材料的底面进行研磨抛光，同时通过所述顶面打磨组件对半导体材料的顶面进行打磨，从而同时对半导体材料的顶面和底面进行研磨抛光；当一个半导体材料打磨完成后，通过所述驱动电机驱动所述旋转座转动，进而带动各个所述安装座转动，从而使加工完成的半导体材料从所述顶面打磨组件下方移开，而另一个待加工的半导体材料转动至所述顶面打磨组件下方进行加工，此时工作人员便能够取下加工完成的半导体材料，在上下料的同时不影响对半导体材料的加工，本发明的半导体材料研磨抛光设备不仅能够同时对半导体材料的顶面和底面进行研磨抛光，而且设置有多个工位进行加工，在上下料的同时不影响研磨抛光，从而实现提升加工效率的目的。
1.一种半导体材料研磨抛光设备，包括机架和顶面打磨组件，所述顶面打磨组件设置在所述机架上，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体材料研磨抛光设备，其特征在于，
3.如权利要求2所述的半导体材料研磨抛光设备，其特征在于，
4.如权利要求1所述的半导体材料研磨抛光设备，其特征在于，
5.如权利要求1所述的半导体材料研磨抛光设备，其特征在于，
6.如权利要求5所述的半导体材料研磨抛光设备，其特征在于，
7.一种半导体材料研磨抛光方法，采用如权利要求1-6任一所述的半导体材料研磨抛光设备，其特征在于，包括以下步骤：
