本实用新型涉及led(lightemittingdiode，发光二极管)领域，尤其设计一种led倒装芯片及显示面板。
背景技术：
目前led倒装芯片结构如图1所示，led倒装芯片结构从上到下分别为透明基底81、n型层82、mqws层83、p型层84、n型电极层86和p型电极层85，n型电极层86和p型电极层85有两个作用，一是接入外部电源导入电流，二是可以做为反光层，当n型电极层86和p型电极层85通电后，led倒装芯片自mqws层83发光，一部分光线直接经led芯片的侧面及透明基底81透射至外围空间，另外一部分光线由n型电极层86和p型电极层85反射后从芯片的侧面及透明基底81透射至外围空间，此结构的led倒装芯片发光角度只有120°。从技术应用发展趋势来看，此结构的led倒装芯片在一些应用领域存在短板，例如：
在直下式大尺寸薄型化液晶显示领域，要求显示模组厚度更薄，成本更低，光学均匀性更佳。鉴于目前的led倒装芯片或封装技术受限，led倒装芯片发光角度只有120°左右，需要通过在led倒装芯片上方增加透镜来扩大led发光角度，增加光学均匀性，从而减少led颗数，通过增加透镜方式，无法降低成本，也无法将显示模块做的更薄。
在未来的mini/microled显示技术应用领域，要求芯片颗数少，光学均匀性好。而目前led倒装芯片的发光角度只有120°，预达到一定的光学均匀性要求，需要通过增加芯片排布数量，缩小芯片间间距，但此方案成本较高，也增加了工艺难度。
技术实现要素：
本实用新型提供一种led倒装芯片及显示面板，解决现有led倒装芯片发光角度小，导致应用存在成本高，难以降低显示模块的厚度及应用工艺难度的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种led倒装芯片，其包括从上往下依次设置的透光基底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及分别在所述第一半导体层和第二半导体层上形成的第一电极和第二电极；
所述透光基底与所述第一半导体层相对的面为下表面，所述透光基底上与所述下表面相对的一面为上表面；所述led倒装芯片还包括在所述上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和/或，在所述下表面上形成的具有透光性的第二反射层。
可选地，所述第一反射层和第二反射层中的至少一个反射层由多个依次叠加的子反射层构成。
可选地，所述多个依次叠加的子反射层中，不同子反射层的材质不同；
或，所述多个依次叠加的子反射层中，相邻子反射层的材质不同，位于同一子反射层上下两面的两个子反射层的材质相同。
可选地，所述多个依次叠加的子反射层中，不同子反射层的厚度的不同。
可选地，所述子反射层的厚度为0.01um-3um。
可选地，所述多个依次叠加的子反射层的折射率，沿远离所述透光基底的方向上依次减小。
可选地，所述第一反射层和第二反射层中，至少一个反射层的上表面和下表面中的至少一个面为粗糙面。
可选地，所述led倒装芯片包括在所述上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和在所述下表面上形成的具有透光性的第二反射层；
所述第一反射层与所述第二反射层的厚度、材质中的至少一个不同。
可选地，所述第一反射层和第二反射层中的至少一个反射层的厚度为0.05um-5um。
为了解决上述问题，本实用新型实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示背板和多颗如上所述的led倒装芯片，所述多颗led倒装芯片设置于所述显示背板上。
有益效果
本实用新型提供了一种led倒装芯片及显示面板，其中led倒装芯片包括从上往下依次设置的透光基底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及分别在第一半导体层和第二半导体层上形成的第一电极和第二电极；led倒装芯片还包括在透光基底上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和在透光基底下表面上形成的具有透光性的第二反射层中的至少一个，该led倒装芯片至少具有以下优点：
led倒装芯片自有源层发出的一部分光可经具有透光性的第一反射层和/或第二反射层反射后，从led倒装芯片侧面射出，从而改变芯片不同方向的出光量，降低led倒装芯片正面的出光量并增加其侧面出光量，从而扩大led倒装芯片的发光角度，使其发光角度可由120°扩大至150°-180°；
led倒装芯片的结构和制作简单，仅需增设在透光基底上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和/或，在透光基底下表面上形成的具有透光性的第二反射层中，通用性好，制作效率高，且制作成本低；
该led倒装芯片的在应用过程中，可大大降低额外增设透镜的几率，并可减少led倒装芯片的使用的颗数，从而达到利用该led倒装芯片的制作的显示面板更薄，所需使用的器件更少，光学均匀性更好，成本更低，加工工艺更为简便。
附图说明
图1为现有led倒装芯片结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的led倒装芯片结构示意图一；
图3为本实用新型实施例提供的led倒装芯片结构示意图二；
图4为本实用新型实施例提供的led倒装芯片结构示意图三；
图5为本实用新型实施例提供的子反射层结构示意图一；
图6为本实用新型实施例提供的子反射层结构示意图二；
图7为本实用新型实施例提供的子反射层结构示意图三；
图8为本实用新型实施例提供的反射层结构示意图一；
图9为本实用新型实施例提供的反射层结构示意图二；
图10为本实用新型实施例提供的反射层结构示意图三；
图11为图1中的led倒装芯片出光角度示意图；
图12为本实用新型实施例提供的led倒装芯片出光角度示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本施例提供的led倒装芯片可用于但不限于制作cob照明器件(例如cob灯条、cob灯等)或显示屏光源器件(例如背光光源，或直显式显示屏光源器件)；相对图1所示的led倒装芯片，至少具有出光角度更大，出光更均匀、应用成本更低，应用时的加工工艺更为简单，通用性更好，更利于微型倒装led芯片的推广使用。
为了便于理解，本实施例下面对led倒装芯片的结构进行示例说明。
本实施例中的led倒装芯片可为普通尺寸的led芯片，也可为微型led芯片，其中微型led芯片可为但不限于miniled倒装芯片或microled倒装芯片。其包括外延层，其中该外延层包括但不限于从上往下依次设置的透光基底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，led倒装芯片还包括分别在第一半导体层和第二半导体层上形成的第一电极和第二电极；
透光基底与第一半导体层相对的面为下表面(也即为透光基底下表面)，透光基底上与下表面相对的一面为上表面(也即为透光基底上表面)；led倒装芯片还包括在透光基底上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和/或，在透光基底下表面上形成的具有透光性的第二反射层。
应当理解的是，本实施例中的透光基底可以为透明基底，也可根据应用场景选用半透明基底。
应当理解的是，本实施例中，对于led倒装芯片的外延层结构不做限制，其除了可以包括上述示例的透光基底、第一半导体层、有源层(可以包括但不限于量子阱层)、第二半导体层外，还可根据应用场景增设其他的层结构，例如钝化层或保护层等。且本实施例中，第一半导体层可以为n型层，第二半导体为p型层，或第一半导体层可以为p型层，第二半导体为n型层，具体可灵活设置。
本实施例中，对于第一电极和第二电极的材质和形状也不做限定，例如一种示例中，第一电极和第二电极中的至少一个的材质可包括但不限于cr，ni，al，ti，au，pt，w，pb，rh，sn，cu，ag中的至少一种。且应当理解的，本实施例中第一电极和第二电极的材质可以相同，也可根据需求设置为不同。
为了便利理解，下面结合图2-图4所示的三种示例进行说明。
一种应用示例请参见图2所示，该led倒装芯片可为但不限于miniled倒装芯片或microled倒装芯片。其包括但不限于从上往下依次设置的透光基底1、第一半导体层2、有源层3、第二半导体层4，分别在第一半导体层2和第二半导体层4上形成的第一电极21和第二电极41；其还包括在透光基底1的上表面形成的第一反射层5。应当理解的是，本实施例中第一反射层5的形成工艺在本实施例中不做限定，例如可以采用但不限于电镀工艺、喷涂工艺、电子枪蒸发沉积镀膜。
另一种应用示例请参见图3所示，该led倒装芯片也包括但不限于从上往下依次设置的透光基底1、第一半导体层2、有源层3、第二半导体层4，分别在第一半导体层2和第二半导体层4上形成的第一电极21和第二电极41；其还包括在透光基底1的下表面形成的第二反射层6。应当理解的是，本实施例中第二反射层6的形成工艺在本实施例中也不做限定，例如也可以采用但不限于电镀工艺、喷涂工艺、电子枪蒸发沉积镀膜。
又一种应用示例请参见图4所示，该led倒装芯片也包括但不限于从上往下依次设置的透光基底1、第一半导体层2、有源层3、第二半导体层4，分别在第一半导体层2和第二半导体层4上形成的第一电极21和第二电极41；其还包括在透光基底1的下表面形成的第二反射层6，以及在透光基底1的上表面形成的第一反射层5。
可选地，在本实施例中，上述各示例中，第一反射层5和第二反射层6的中的至少一个可以为单层结构，也可为多层结构，可根据具体应用需求灵活设置好。例如在上述图2所示的示例中，第一反射层5可以为单层结构，或根据需求设置为多层结构，也即第一反射层5可由多个依次叠加的子反射层构成。相应的，在上述图3所示的示例中，第二反射层6也可以为单层结构，或根据需求设置为多层结构，也即第二反射层6也可由多个依次叠加的子反射层构成。以及在上述图4所示的示例中，第二反射层6也可以为单层结构，或根据需求设置为多层结构，第一反射层5可以为单层结构，或根据需求设置为多层结构；例如，第一反射层5和第二反射层6可以都设置为单层结构，或多层结构，或第一反射层5设置为单层结构，第二反射层6设置为多层结构，或第一反射层5设置为多层结构，第二反射层5设置为单层结构。
也即上述各示例中，第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层可由多个依次叠加的子反射层构成。
可选地，在本实施例的一些示例中，当第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层可由多个依次叠加的子反射层构成时，多个依次叠加的子反射层中，不同子反射层的材质也可灵活设定。例如，一些应用示例中，不同子反射层的材质可以相同。又一些应用示例中，不同子反射层的材质可以不同。
或在另一些应用示例中，还可设置多个依次叠加的子反射层中，相邻子反射层的材质不同，位于同一子反射层上下两面的两个子反射层的材质相同。例如假设有依次叠加的子反射层a、子反射层b、子反射层c、子反射层d，则子反射层a与子反射层b的材质不同，子反射层a与子反射层c的材质，子反射层b与子反射层c的材质不同，子反射层b与子反射层d的材质相同，从而不同材质的反射层交替设置，以提升反射效果和出光的均匀性。
也即，在本实施例中，当某一个反射层由多个子反射层构成时，各子反射层的材质可以相同，例如可以都采用有机材料(包括但不限于硅胶、树脂等)，也可都采用无机材料(可以包括但不限于二氧化硅、硅、二氧化钛、金、银、铬、镍)。当某一个反射层由多个子反射层构成时，各子反射层的材质可以不同，也可部分相同，部分不同，例如各子反射层都可采用有机材料，但具体采用的有机材料的材质可不同，或各子反射层都可采用无机材料，但具体采用的无机材料的材质可不同，或某一些子反射层可采用无机材料，某一些子反射层可采用有机材料，具体可根据应用场景灵活设置。
可选地，在本实施例中，当某一个反射层由多个子反射层构成时，各子反射层的厚度也可根据需求灵活设置，例如可以设置为各子反射层的厚度相同，也可设置为各子反射层的厚度各不相同，或设置为某些子反射层的厚度相同，某些子反射层的厚度不同。具体也可根据应用场景灵活设置。
例如，一种应用示例请参见图5所示，当第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层可由多个依次叠加的子反射层构成时，其可包括从下往上依次叠加的第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73，本应用示例中，第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73的厚度相同。
又一种应用示例请参见图6所示，当第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层可由多个依次叠加的子反射层构成时，其也可包括从下往上依次叠加的第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73，本应用示例中，第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73的厚度各不相同，且第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73的厚度为依次递增。在另一应用示例中，请参见图7所示，其与图6所示的主要区别在于，第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73的厚度为依次递减。
当然，各子反射层的厚度关系并不限于上述各示例所示，可根据应用需求灵活设置，在此不再赘述。
可选地，在本实施例的一些示例中，为了进一步提升反射效率和出光的均匀性，当第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层可由多个依次叠加的子反射层构成时，可设置多个依次叠加的子反射层的折射率，满足沿远离透光基底1的方向上依次减小，当光从有源层3发出，通过第二反射层6进入到透光基底1后，由于第一反射层5和第二反射层6的子反射层的折射率沿远离透光基底1的方向依次减小，更多的光在子反射层之间发生全反射后从透光基底1的侧面出射，从而提升倒装芯片的侧面出光效率。例如请参见上述图5至图7所示的应用示例，可设置其中至少一个应用示例中的第一子反射层71，第二子反射层72，第三子反射层73的折射率依次减小，且相邻子反射层之间的折射率的差值可以相同，也可不同。
可选地，在本实施例的一些示例中，为了进一步提升反射效率和出光的均匀性，还可设置第一反射层5和第二反射层6中，至少一个反射层的上表面和下表面中的至少一个面为粗糙面，且形成该粗糙面的方式可以灵活选用，例如可以采用但不限于通过雾面粗化处理的方式形成。
例如，一种应用示例请参见图8所示，第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层9中，其上表面可以为粗糙面91，下表面可以为相对光滑的面。另一种应用示例请参见图9所示，第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层9中，其上表面可以为相对光滑的面，下表面为粗糙面92。又一种应用示例请参见图10所示，第一反射层5和第二反射层6中的至少一个反射层9中，其上表面可以为粗糙面91，下表面也为粗糙面92。当反射层9由多个子反射层构成时，每一子反射层的上表面和下面表也可采用但不限于上述示例所示例的粗糙面，或仅在最上面和/或最下面的一个子反射层的上表面和/或下表面上形成粗糙面，具体可根据应用需求灵活选用。通过该粗糙面的设置，可以更充分的改变光的反射方向，提升反射效率和出光均匀性。
另外，应当理解的是，本实施例中，第一反射层和第二反射层的厚度也可根据需求灵活设置，例如一种示例中，第一反射层和第二反射层的厚度可以设置为但不限于0.05um-5um，具体可根据需求设置为0.05um，0.1um，0.2um，0.3um，0.4um，0.5um等。相应的，当反射层有多个子反射层构成时，各子反射层厚度可基于反射层的总体厚度灵活设置，例如可以设置为但不限于0.01um-3um，具体可根据需求设置为0.01um，0.02um，0.03um，0.05um，0.1um，0.15um、0.2um等。
可选地，在本实施例中，在透光基底1的下表面形成第二反射层6，并在透光基底1的上表面形成第一反射层5时，第一反射层5和第二反射层6的厚度、材质可以相同，也可设置第一反射层5和第二反射层6的厚度、材质中的至少一个不同。
例如，一种示例中，第一反射层5和第二反射层6的厚度可以不同，材质相同。在另一示例中，第一反射层5和第二反射层6的厚度可以相同，材质不同(材质不同必然导致第一反射层5和第二反射层6内的层结构不同)，或在又一示例中，第一反射层5和第二反射层6的厚度可以不同，材质也可不同。
可见，本实施例提供的led倒装芯片自有源层发出的一部分光可经具有透光性的第一反射层和/或第二反射层反射后，从led倒装芯片侧面射出，使其发光角度可由120°扩大至150°-180°。例如，请参见图11所示，经测试，图1所示的led倒装芯片的发光角度为120°，而采用本实施例上述示例中的led倒装芯片的一种应用示例中的发光角度为160°，请参见图12所示。且本实施例提供的led倒装芯片的结构和制作简单，仅需增设在透光基底上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和/或，在透光基底下表面上形成的具有透光性的第二反射层中，通用性好，制作效率高，且制作成本低。
本实施例还提供了一种显示面板，其包括显示背板和多颗如上各示例所示的led倒装芯片，多颗led倒装芯片设置于显示背板上。该显示面板可应用于各种电子显示装置中。由于采用上述发光角度的led倒装芯片，因此可以不需要额外增设透镜，并可减少led倒装芯片的使用的颗数，从而可使得显示面板更薄，所需使用的器件更少，光学均匀性更好，成本更低，加工工艺更为简便。
以上内容是结合具体的实施方式对本实用新型实施例所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
1.一种led倒装芯片，其特征在于，包括从上往下依次设置的透光基底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及分别在所述第一半导体层和第二半导体层上形成的第一电极和第二电极；
所述透光基底与所述第一半导体层相对的面为下表面，所述透光基底上与所述下表面相对的一面为上表面；所述led倒装芯片还包括在所述上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和/或，在所述下表面上形成的具有透光性的第二反射层。
2.如权利要求1所述的led倒装芯片，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层中的至少一个反射层由多个依次叠加的子反射层构成。
3.如权利要求2所述的led倒装芯片，其特征在于，所述多个依次叠加的子反射层中，不同子反射层的材质不同；
或，所述多个依次叠加的子反射层中，相邻子反射层的材质不同，位于同一子反射层上下两面的两个子反射层的材质相同。
4.如权利要求2所述的led倒装芯片，其特征在于，所述多个依次叠加的子反射层中，不同子反射层的厚度的不同。
5.如权利要求2所述的led倒装芯片，其特征在于，所述子反射层的厚度为0.01um-3um。
6.如权利要求2-5任一项所述的led倒装芯片，其特征在于，所述多个依次叠加的子反射层的折射率，沿远离所述透光基底的方向依次减小。
7.如权利要求1-5任一项所述的led倒装芯片，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层中，至少一个反射层的上表面和下表面中的至少一个面为粗糙面。
8.如权利要求1-5任一项所述的led倒装芯片，其特征在于，所述led倒装芯片包括在所述上表面上形成的具有透光性的第一反射层，和在所述下表面上形成的具有透光性的第二反射层；
所述第一反射层与所述第二反射层的厚度、材质中的至少一个不同。
9.如权利要求1-5任一项所述的led倒装芯片，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层中的至少一个反射层的厚度为0.05um-5um。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示背板和多颗如权利要求1-9任一项所述的led倒装芯片，所述多颗led倒装芯片设置于所述显示背板上。
技术总结