本实用新型属于电池片干法刻蚀技术领域，特别是涉及一种新型的电池片干法刻蚀装置。
背景技术：
黑硅太阳能电池由于其卓越的减反射性能而广泛受关注，制备黑硅太阳能电池的方法也随之发展，其中包括反应离子刻蚀、等离子体浸没离子注入刻蚀、金属纳米粒子催化刻蚀及激光刻蚀，目前反应离子刻蚀(干法黑硅，rie)和金属纳米粒子催化刻蚀(湿法黑硅，mcce)是量产黑硅的主要制备方法，且反应离子刻蚀匹配钝化工艺可使电池片的转换效率提高0.6-0.7％，较高的转换效率可提高多晶市场的竞争力，但反应离子刻蚀在反应过程中容易造成电池片边缘过刻，致使pecvd工序镀膜后边缘颜色变白，组件后存在边缘色差。
太阳能电池对人们而言已不再陌生，提高太阳能转换效率是人们一直追求的目标，在众多提高太阳能电池转换效率的手段中，多晶黑硅技术应运而生，其中反应离子刻蚀匹配钝化工艺可使电池片的转换效率提高0.6-0.7％，同时制备出黑硅电池片的外观也至关重要，反应离子刻蚀工艺导致电池片边缘过刻，制备出电池片边缘偏白，目前改善这一现象可以通过改善反应离子刻蚀和pecvd镀膜等工序，反应离子刻蚀的改善主要通过改善载板的间距、材质、反应条件等多种因素，但是改造过程复杂且效果不明显。黑硅电池片边缘发白主要是边缘绒面偏大，氮化硅膜厚，所以减少边缘膜厚是解决此问题的关键，通过减低石墨舟的饱和性，增加电池片边缘处石墨舟吸收氮化硅能力，可解决此问题，同时可降低石墨舟的饱和时间，增加产能，减少气体用量，降低生产成本。
在常规工艺电池技术方面，方块电阻越高，电池片表面复合中心浓度越低，制约电池片表面复合中心浓度进一步突破性下降的主要因素是扩散方块电阻方面遇到了瓶颈：当前技术条件下，方阻基本只能做到80欧姆左右，方块电阻进一步提升，会导致电池片方阻片内均匀性变差，且稳定性不好，电池转换效率得不到有效提升。
目前市场主要是酸刻蚀，尤其hf酸，环境不友好，排放问题，纯水消耗量大。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种新型的电池片干法刻蚀装置，通过在上料平台上侧放置上料电池可以向上料电池中放置大量的硅片，方便一次性为大量的硅片进行冲击刻蚀，节省了冲击刻蚀时间，提高工作效率。顶部连接件和顶部平台能为工艺腔中的硅片进行固定，防止在硅片进行激光刻蚀时硅片被甩出的情况发生，第一激光束和第二激光束会为硅片四周进行冲击刻蚀，使硅片能够被快速的被冲击刻蚀出理想的效果，刻蚀完成后的硅片会被输送到下料平台处，最后被取下，使用激光刻蚀，速度快，缩短工艺流程，解决了现有的技术问题。
为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：
一种新型的电池片干法刻蚀装置，包括基底座，基底座的上侧固定有工作平台，基底座的下侧固定有底板，底板的上侧装设有上料平台，且上料平台位于基底座的左侧，底板的上侧装设有下料平台，且下料平台位于基底座的右侧，底板的上侧还固定有u型支架，u型支架的下侧固定有顶部连接件，顶部连接件的一端安装有顶部平台，顶部平台的一侧安装有第二激光束，第二激光束的相对侧安装有第一激光束，顶部平台的下侧装设有压块。
可选的，上料平台的上侧放置有上料电池。
可选的，工作平台的上侧放置有工作电池片。
可选的，下料平台的上侧放置有下料电池。
可选的，第二激光束和第一激光束位于压块的两侧。
可选的，底板的下侧装设有支撑腿。
本实用新型的实施例具有以下有益效果：
本实用新型的一个实施例通过在上料平台上侧放置上料电池可以向上料电池中放置大量的硅片，方便一次性为大量的硅片进行冲击刻蚀，节省了冲击刻蚀时间，提高工作效率。顶部连接件和顶部平台能为工艺腔中的硅片进行固定，防止在硅片进行激光刻蚀时硅片被甩出的情况发生，第一激光束和第二激光束会为硅片四周进行冲击刻蚀，使硅片能够被快速的被冲击刻蚀出理想的效果，刻蚀完成后的硅片会被输送到下料平台处，最后被取下，使用激光刻蚀，速度快，缩短工艺流程。
当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一实施例的立体结构示意图；
图2为本实用新型一实施例的主视立体结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
上料平台1，下料平台2，上料电池3，工作电池片4，下料电池5，压块6，基底座7，工作平台8，第一激光束9，第二激光束10，顶部连接件11，顶部平台12。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
为了保持本实用新型实施例的以下说明清楚且简明，本实用新型省略了已知功能和已知部件的详细说明。
请参阅图1-2所示，在本实施例中提供了一种新型的电池片干法刻蚀装置，包括基底座7，基底座7的上侧固定有工作平台8，基底座7的下侧固定有底板，底板的上侧装设有上料平台1，且上料平台1位于基底座7的左侧，底板的上侧装设有下料平台2，且下料平台2位于基底座7的右侧，底板的上侧还固定有u型支架，u型支架的下侧固定有顶部连接件11，顶部连接件11的一端安装有顶部平台12，顶部平台12的一侧安装有第二激光束10，第二激光束10的相对侧安装有第一激光束9，顶部平台12的下侧装设有压块6。
本实施例一个方面的应用为：硅片可以是400-500片一叠进行上料，通过上料平台1将硅片传送至工艺腔，激光振镜通过顶部连接杆11和顶部平台12固定，工作状态时候，工作平台8顺时针旋转，顶部连接的第一激光束9和第二激光束10也可以逆时针旋转，第一激光束9和第二激光束10能对硅片四周进行冲击刻蚀，工艺时间3-5s，激光参数设计范围激光功率为20-30w，激光频率为600-800khz，激光运行速度为20000-30000cm/min，工作平台8具有抽风功能，将硅粉进行回收，工艺结束后，下料平台2将硅片取出，完成整套动作。需要注意的是，本申请中所涉及的激光振镜、抽风机均可通过蓄电池供电或外接电源。
通过在上料平台1上侧放置上料电池3可以向上料电池3中放置大量的硅片，方便一次性为大量的硅片进行冲击刻蚀，节省了冲击刻蚀时间，提高工作效率。顶部连接件11和顶部平台12能为工艺腔中的硅片进行固定，防止在硅片进行激光刻蚀时硅片被甩出的情况发生，第一激光束9和第二激光束10会为硅片四周进行冲击刻蚀，使硅片能够被快速的被冲击刻蚀出理想的效果，刻蚀完成后的硅片会被输送到下料平台2处，最后被取下，使用激光刻蚀，速度快，缩短工艺流程。
本实施例的上料平台1的上侧放置有上料电池3，方便一次性放置多个硅片，用于一次性为多个硅片进行冲击刻蚀，加快了工作的效率。
本实施例的工作平台8的上侧放置有工作电池片4，放在工作平台8上面的硅片能被上方的顶部平台12挤压将其固定，防止在冲击刻蚀时，被装置转动甩出平台。
本实施例的下料平台2的上侧放置有下料电池5，能快捷的将硅片从装置中取下，取放时的速度，加快工作速度，提高工作效率。
本实施例的第二激光束10和第一激光束9位于压块6的两侧。
本实施例的底板的下侧装设有支撑腿，为装置提供更加稳定的支撑底座。
上述实施例可以相互结合。
需要注意的是，在本说明书的描述中，诸如“第一”、“第二”等的描述仅仅是用于区分各特征，并没有实际的次序或指向意义，本申请并不以此为限。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
1.一种新型的电池片干法刻蚀装置，其特征在于，包括：基底座(7)，基底座(7)的上侧固定有工作平台(8)，基底座(7)的下侧固定有底板，底板的上侧装设有上料平台(1)，且上料平台(1)位于基底座(7)的左侧，底板的上侧装设有下料平台(2)，且下料平台(2)位于基底座(7)的右侧；
底板的上侧还固定有u型支架，u型支架的下侧固定有顶部连接件(11)，顶部连接件(11)的一端安装有顶部平台(12)，顶部平台(12)的一侧安装有第二激光束(10)，第二激光束(10)的相对侧安装有第一激光束(9)，顶部平台(12)的下侧装设有压块(6)。
2.如权利要求1所述的一种新型的电池片干法刻蚀装置，其特征在于，上料平台(1)的上侧放置有上料电池(3)。
3.如权利要求1所述的一种新型的电池片干法刻蚀装置，其特征在于，工作平台(8)的上侧放置有工作电池片(4)。
4.如权利要求1所述的一种新型的电池片干法刻蚀装置，其特征在于，下料平台(2)的上侧放置有下料电池(5)。
5.如权利要求1所述的一种新型的电池片干法刻蚀装置，其特征在于，第二激光束(10)和第一激光束(9)位于压块(6)的两侧。
6.如权利要求1所述的一种新型的电池片干法刻蚀装置，其特征在于，底板的下侧装设有支撑腿。
技术总结